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采用磁控溅射方法制备了Ta/NiFe/非磁金属隔离层/FeMn多层膜, 研究了交换耦合场Hex相对于非磁金属隔离层厚度的变化关系. 实验结果表明: 随非磁金属隔离层厚度的增加, 以Bi和Ag为隔离层的Hex薄膜急剧下降, 以Cu为隔离层的薄膜的Hex下降较缓慢. 对Cu而言, 它的晶体结构与NiFe层晶体结构相同且晶格常数相近, Cu层以及FeMn层都可以相继外延生长, FeMn层的(111)织构不会受到破坏, 因此, Hex随Cu沉积厚度增加缓慢下降. 对Ag而言, 虽然它的晶体结构与NiFe层晶体结构相同, 但晶格常数相差较大, Ag层以及FeMn层都不可能外延生长, FeMn层的织构将会受到破坏, Hex随Ag沉积厚度增加迅速下降. 对Bi而言, 不仅它的晶体结构与NiFe层的不同, 而且晶格常数相差也较大, 同样, Bi层以及FeMn层也不可能外延生长, FeMn层的织构也会受到破坏, 因此, Hex也随Bi沉积厚度增加迅速下降. 但是, X射线光电子能谱研究表明: 极少量的表面活化原子Bi沉积在NiFe/FeMn界面时, 会上浮到FeMn层表面, 因而Hex下降很少. 相似文献
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在现有模糊增强技术的基础上,结合象素的空间特性,给出了一种增强效果更好的模糊增强技术.最后给出了一些实验结果. 相似文献
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体育信息化建设是实现体育事业跨越式发展、加快体育现代化进程的重要举措。本文针对江苏体育信息化工作进行实地调查,对现阶段江苏省体育信息化的现状、发展前景及其影响因素进行实证分析,以期把握现阶段我国体育信息化组织与制度创新的需求、动因和行动路径。研究针对江苏省体育信息化的信息网络、信息资源、信息技术和产业、信息化人才、信息化政策法规和标准规范等信息化体系要素进行了问卷调查。调查表明江苏省体育信息化建设协同发展能力较差,信息技术应用水平普遍较低,获取服务信息的效率低下。随着江苏省信息化进入了全面、融合、创新发展的新阶段,体育信息化建设将迎来良好发展机遇。江苏省体育信息化建设目标应包括体育资源数字化、网络化,追求智能化、虚拟化和服务化管理模式,同时快速提升体育信息化产业水平。为此,研究认为应选择"智慧体育"作为切入点融入"智慧江苏"发展战略体系,通过建设典型信息应用系统形成以点带面的发展局面,借助校企结合培养专门人才同时培育体育信息技术企业,相信借助江苏省特有的区位优势及其社会发展水平,江苏体育信息化建设方面必将取得良好进展。 相似文献
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实验上使用大能量、亚ps激光脉冲大角度入射固体靶,获得了沿靶面方向定向传播、发散角仅有2°、峰值能量为3–4 Me V的准直、准单能电子束.实验发现激光对比度对靶面电子束的产生起到了至关重要的作用,最佳的对比度为5×10-6.在此最优化条件下,通过背向散射光谱分析发现,共振吸收激发的等离子体波加速可能是电子的主要加速机制.探针光阴影成像及等离子体自发光的精细结构显示,预脉冲与固体靶相互作用中产生了尺度100μm左右的过临界密度预等离子体.这种等离子体的作用类似于等离子体反射镜,使得激光脉冲被限制在预等离子体区与靶面之间,因而最终造成了电子束沿靶面方向的导引.这种靶面电子束因其合适的能量范围、高度的准直性及沿靶面方向定向传播的特性有望在惯性约束聚变尤其是锥靶快点火中得到应用. 相似文献
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在真空度为133.3μPa时,用真空气相沉积方法在玻璃衬底上沉积SnO2薄膜。通过XRD,SEM等测试分析,研究了杂质掺杂及热处理前后的SnO2薄膜的结构,晶粒尺寸,电学特性以及不同工艺条件对薄膜性能的影响。结果表明,掺Bi有效地抑制了晶粒生长,提高了薄膜的稳定性。掺Bi后,薄膜的电学特性增强,而掺In,Cd则影响不大。 相似文献
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随着我国经济和科学技术的飞速发展,人们日益关注水资源。在部分工矿企业中,生产、生活用水塔的重要性日益突出,直接关系到企业的正常生产与成本,因此根据水塔液位高低的变化进行自动启停机控制就显得尤为重要。而在很多地方依然沿用着以往旧式的水塔,这无疑对水塔的控制带来了诸多不便。本文中作者利用数字电路对老式水塔的控制电路做了改进,提高了水塔运行的效率,体现出自动化控制的特点。 相似文献
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体育院校术课教师信息素养评价体系的构建研究 总被引:1,自引:0,他引:1
李明华 《南京体育学院学报(自然科学版)》2009,8(1)
运用文献资料法、专家访谈法、数理统计法,分析决定我国体育院校术课教师信息素养的六大指标为:信息认知检索能力、信息评价获取能力、信息组织管理能力、信息处理利用能力、信息传播指导能力、自我规范与终身学习能力。并得出各指标在整个指标体系中所占的权重,继而构建出术课教师信息素养评价体系。 相似文献
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采用掺杂和表面修饰技术制备LaFeO3乙醇气体传感器,明显地改善了传感器的特性.元件的灵敏度β≥10(当乙醇气体浓度为200×10-6时),乙醇气体和汽油的分离度α为14.3,在整个相对湿度变化范围内,元件阻值的相对变化在4%~6%之间,元件不通电存放7d,其初期恢复时间为70s,不通电贮存270d,其初期稳定时间小于3d,在使用环境中连续工作90d其阻值相对变化率小于5%. 相似文献
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