平板显示器件的多种灰度显示方案

介绍了各种灰度实现的方案，分析其灰度级实现原理和各自的特点，并着重描述子场和PWM方法；同时介绍一款专用灰度调制芯片BHL2000及其在动态图像显示中的实际应用方案，该芯片已在目前国内最大的FED驱动电路中采用。较其它FPD灰度调制方面的文章，本文的分析更为全面，并举出应用实例。     

电子束蒸发制备碳化硼微球涂层的工艺研究

自行设计一套筛网反弹盘三维沉积装置,用于电子束蒸发制备碳化硼微球涂层. 采用电子束蒸发法并结合此装置在直径为1 mm的玻璃小球表面沉积了碳化硼涂层. 研究了筛网振动频率、电子束制备工艺对沉积速率、涂层厚度以及涂层表面粗糙度的影响. 采用X射线照相技术测试涂层的厚度;XPS测试涂层表面成分;AFM表征涂层的表面形貌和均方根粗糙度. 结果表明：涂层主要成分为B4C,表面较为光滑、均匀;当筛网振动频率为0.25 Hz,且电子束蒸发工艺参数定为：真空度P小于3×10-3 Pa,高压U 等于6 kV,束流I 在 1     

电子束蒸发制备碳化硼球面涂层的表面氧化研究

利用电子束蒸发技术沉积制备了碳化硼微球涂层,将微球涂层依次经退火和稀硫酸腐蚀处理后得到碳化硼空心微球,并借助XRD和SEM对碳化硼微球涂层的表面氧化问题进行了研究.XRD结果显示当衬底温度在120℃附近时,碳化硼涂层部分被晶化;对退火前后和酸腐蚀后的微球涂层进行SEM分析,结果表明,退火前的涂层表面部分被氧化成B2O3,退火后B2O3覆盖在涂层表面,酸腐蚀可以去掉B2O3,得到表面光洁的碳化硼空心微球.     

跳动及滚动激励制备的碳化硼涂层表面形貌的对比

利用电子束蒸发技术蒸发碳化硼, 通过弹跳激励和滚动激励两种方案来随机滚动小球, 从而分别在玻璃和钢球心轴上制备了碳化硼涂层. 采用扫描电子显微镜对涂层表面形貌进行了分析. 同采用弹跳激励制备的涂层相比, 在用滚动激励制备的涂层表面不存在裂纹和微粒脱落现象, 其微粒生长的更大, 相互接合的更致密. 经对比证明, 在制备碳化硼涂层上, 滚动激励装置优于跳动激励装置.     

利用DV-Xα法研究铁在高压下的物理性质

采用密度泛函理论中原子簇嵌入模式的电荷自洽变分DV-Xα方法(Self-ConsistentofCharge-Discrite Variation-Embedded Cluster Model),对bcc结构用fcc结构的铁在较高压强范围内的物理参量进行了计算,得到了系统的总能随体积变化的关系,以及压强与体积的关系曲线;根据计算结果,作者得到平衡条件下,铁体心结构(bcc)晶格常数为2.75A,面心结构(fcc)晶格常数为3.377A;并推断出体心结构铁在17.75GPa压强下,可能转变成面心结构铁;还将得到的结果与实验结果和其它理论计算结果进行了比较,吻合较好.     

利用DV-Xα法研究铁在高压下的物理性质

采用密度泛函理论中原子簇嵌入模式的电荷自洽变分DV—Xα方法（Self-Consistentof Charge-Discrite Variation—Embedded Cluster Model）,对bcc结构用fcc结构的铁在较高压强范围内的物理参量进行了计算,得到了系统的总能随体积变化的关系,以及压强与体积的关系曲线;根据计算结果,作者得到平衡条件下,铁体心结构（bcc）晶格常数为2．75A,面心结构（fcc）晶格常数为3．377A;并推断出体心结构铁在17．75GPa压强下,可能转变成面心结构铁：还将得到的结果与实验结果和其它理论计算结果进行了比较,吻合较好．     

利用电子束蒸发制备高K介质TiO2薄膜

利用电子束蒸发在不同的衬底温度和蒸发束流下制备了TiO2薄膜,利用椭圆偏振仪测出了不同工艺条件下薄膜的厚度和折射率;利用高频CV曲线研究了制备工艺条件对TiO2薄膜的电容特性的影响,发现衬底温度和蒸发束流严重影响TiO2薄膜的CV曲线特性;最后利用XPS（X射线能谱）和FI-IR（傅立叶红外吸收）相结合的方法对TiO2薄膜的成分进行了分析,发现在与硅交界处存在一个亚稳态的过渡层,其成分是低价态的TiOx(x<2)和SiOy(y<2).     

电子束蒸发沉积制备碳化硼薄膜的化学结构研究

采用了电子束蒸发在Si(100)片沉积了碳化硼(B4C)薄膜,并用傅里叶变换衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)对薄膜样品组分和结构进行分析,以研究在不同基片温度和束流下对薄膜结构的影响.分析表明:薄膜中均含有1170cm-1,1660cm-1两个特征峰,分别对应于碳化硼中正二十面体和三原子链的结构.不同基片温度对薄膜化学结构无影响;而不同束流,形成的结构不同,主要体现在碳化硼的特征结构(三原子链和正二十面体)的形成,随着束流的增大,薄膜中二十面体结构显著增多,B的流失减少.     

退火保温时间对碳化硼微球涂层表面形貌的影响

采用电子束蒸发镀膜技术,并结合本课题组自行设计的磁控滚动三维沉积装置,以及真空连续加料装置,在Ф1～2mm钢球上沉积碳化硼微球涂层.通过X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM),对退火处理中不同保温时间的碳化硼微球涂层进行表征.结果表明,微球涂层硼碳比较小,有部分B流失;不同的保温时间对微球形貌的影响比较明显.随着保温时间的增加,微球表面粗糙度逐渐增大,但致密性和力学性能同时也得到相应加强.确定保温时间为1~3h为最佳退火保温条件.     

粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷

作者对AlGaAs/GaAs结构调制掺杂材料及多量子阱材料,分别使用电子束或质子束辐照.电子束辐照能量为0.4～1.8MeV,辐照注量为1×1013cm-2～1×1016cm-2,质子束辐照能量为20～130keV,辐照注量为1×1011cm-2～1×1014cm-2.辐照前后的样品均经过深能级瞬态谱(DLTS)的测试.测试结果表明,电子束辐照引入了新缺陷,其能级位置为E3=Ec-0.65eV,而质子辐照引入的深缺陷能级为E1=Ec-0.22eV,电子和质子束辐照同时对与掺Si有关的原生缺陷Dx中心E2=Ec-0.40eV也有影响,即浓度发生改变,峰形亦不对称,说明其中包含有其他邻近缺陷的贡献.DLTS测试给出了这些深中心的浓度及俘获截面等参数.