硅日光电池中某些物理参数的测定

硅 PN 结高掺杂区载流子复合、禁带收缩等特性对硅 PN 结静态和动态性能的影响,已受到人们的重视.测定 PN 结高掺杂区有效寿命、禁带收缩、过剩电荷等参数的实验方法,已于1977年发展起来.测试研究过的对象有:特制的硅 P+N 结二极管实验样品, 0.1Ω-cm 硅 N+P 结日光电池实验样品,均匀掺杂宽基区 NPN 晶体三极管实验样品.     

Pr3+离子能级理论结果的参数拟合分析

稀土离子在激光材料和光通讯材料及器件中有着广泛的应用。这些应用对电子结构的计算和作用 机制的分析提出了要求。通过对Pr³⁺离子的从头计算的理论能级和实验能级进行参数拟合和综合分析发 现：可以结合相对论Coupled-Cluster理论和多体微扰理论,对不同参数的计算,主要考虑对此参数有重要 贡献的机制,来实现稀土离子电子结构的有效计算。     

P-N~ -N-P锗漂移型三极管低频h参数的温度关系

样品的描述本工作测试了P-N~ -N-P锗漂移型三极管低频h参数的温度关系.所采用的样品是在高阻的N型锗基片上扩散一层强N型层,然后用合金方法在锗片两面制成P型区的发射极和集电极,其结构示意图如图1所示.     

MOSFET二维数值分析程序——TDAM

集成电路的发展要求不断缩小MOSFET的尺寸.用解析方法描述小尺寸器件有较大的局限性.为精确描述小尺寸器件,人们不得不求助于较复杂的数值方法. 本文提出一种适用于小型计算机的短沟MOSFET二维数值分析程序——TDAM.在处理基本方程时,对流函数作了简化,使运算收敛速度加快.在描述杂质分布时,结合解析和数值方法实现了二维模拟.TDAM同SUPREM-2联用,能从器件的工艺和几何参数出发预测物理特性和电特性.TDAM除能给出MOSFET的端子直流特性,还可提供二维载流子分布、电势分布、电流密度分布等用测量手段得不到的信息. 以下依次叙述物理模型、数学处理、程序概述、计算结果及讨论和结束语等.     

锗合金结及合金扩散结晶体管低频h参数的温度关系

一、引言晶体三极管电学参数随温度变化而发生的剧烈变化是限制它们在无线电设备中更广泛应用的重要原因之一.因此,研究晶体三极管电学参数的温度关系能为晶体管的更广泛应用提供有价值的参考资料;同时,把实验结果与理论计算相比较,还可检验理论的正确性.锗合金结P-N-P晶体三极管小讯号参数的温度关系已有一部分实验及理论工作,锗合金扩散结P-N-P晶体三极管小讯号参数温度关系的资料目前还较零星.本     

CMOS集成电路中闩锁效应的模拟

为了预测体硅OMOS电路中闩锁效应发生的条件,本文开发了一个改进的集总参数模型,以计算闩锁的维持特性与静态触发特性;提出了一个新的扩展电阻公式以代替费时的二维数值计算。模拟结果与实验数据吻合,对6微米工艺和等比例缩小的3微米工艺CMOS电路中的闩锁效应进行了计算和比较。     

水平排列硅光二极管色传感器及其特性

简要介绍水平排列硅光二极管色传感器的制作工艺，该器件波长在５００ｎｍ到６５０ｎｍ范围内有一个单调的近于线性的光谱响应。入射光波长为６００ｎｍ时，入射光强度化五个数量级，测出的波长基本不变，器件波长分辨率、最低入射光强、长时间测量的波长漂移以及波长温漂系数等特性的测量结果表明：该类色传感器已达高性能实用要求。     

含三氯乙烷干氧气氛中二氧化硅薄层的生长规律

研究了含TOA(三氯乙烷)干氧气氛中,温度在900～1100℃范围内,10～100nm二氧化硅薄层的生长规律。讨论了该规律的解析表达式和有关模型参数。比较了经高温含氧退火和未经高温退火所生长的氧化层的击穿电场强度和可动离子沾污等特性。结果表明,前者优于后者。经含氧退火处理的薄氧化层更适用于小尺寸器件。     

Pr^3＋离子能级理论结果的参数拟合分析

稀土离子在激光材料和光通讯材料及器件中有着广泛的应用。这些应用对电子结构的计算和作用机制的分析提出了要求。通过对Pr^3 离子的从头计算的理论能级和实验能级进行参数拟合和综合分析发现：可以结合相对论Coupled—Cluster理论和多体微扰理论，对不同参数的计算，主要考虑对此参数有重要贡献的机制，来实现稀土离子电子结构的有效计算。     

西部地区发展体育旅游产业的优势因素分析

西部独特的自然景观吸引了国内外大量喜爱自然,追求冒险,渴望挑战自我的游人。所有这些自然条件都是其它地区所欠缺的,因此,发展体育旅游应成为西部体育开发的重中之重。据统计,西部现有民族传统体育项目700多项。其中广西150多项;新疆180多项;陕西120多项;云南380项,构成了西部蔚为壮观的体育文化资源体系。因此,得天独厚的旅游资源,使西部体育旅游独占鳌头,是西部体育产业重要的支撑点。