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相似文献
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1.
在制备锗点接型晶体二极管时,锗片先以稳态过氧化氢作化学腐蚀,然后用20%KOH 电解液进行电解,则电学特性和稳定性有所改进。如果在过氧化氢化学腐蚀后再以 AgNO_3加 KNO_3电解液用小电流作电解,然后用大电流进行阳极钝化,则可获得更好的特性和稳定性。合金结 P-N-P 晶体三极管采用苏联ΦΓ9或国产ΦΓ9作涂料,在高低温特性,防潮性及电学特性和稳定性方面,不如用国产ΦΓ9与硫化清漆的混合物作涂料可以得到较好的效果。文中讨论了阳极钝化及掺硫的涂料对晶体管特性和稳定性的作用。  相似文献   

2.
本文讨论了测量磁阻的实验方法及其与能带结构的关系;测量了取向(110)的n型锗单晶在0—7000高斯范围内弱场磁阻随磁场强度和温度变化的关系;还测量了霍耳效应和电导率。在略去高于磁场强度二次项的情况下,从实验结果计算出立方对称晶体唯象公式中的诸参数。这些结果表明锗导带能谷不在布里渊区中心,且具有非球形对称等能面。  相似文献   

3.
样品的描述本工作测试了P-N~ -N-P锗漂移型三极管低频h参数的温度关系.所采用的样品是在高阻的N型锗基片上扩散一层强N型层,然后用合金方法在锗片两面制成P型区的发射极和集电极,其结构示意图如图1所示.  相似文献   

4.
利用行波管中电子注非线性以实现变频不仅可能而且所获性能比微波晶体变频优越,有关此问题的研究已在“变频行波管的研究”一文中报导。对于电子注变频分析,目前能见到的只有国外 R.W.Degrass 的小讯号理论分析。电子注非线性的变频分析尚未见报导,它并非小讯号线性理论所能论证。因此小讯号分析不能如实反映变频管中实际的物理过程,R.W.Degrass 的理论值和实验值不能很好的符合。本文分析方法系利用 Paschke 的三级空间电荷波非线性方程加以扩大至四级并运用于二个讯号变频的工作,因而既可分析小讯号的情况,也分析了大讯号的情况,从而获得了良好的结论。小讯号下,理论分析所得和 R.W.Degrass 基于运动学小讯号分析的结果相同。在大讯号下,理论分析获得了大讯号变频的理论关系式。经过实验核对,证实本文提出的大讯号分析所获的理论结果,胜过小讯号分析,而与实验值(R.W.Degrass 所做实验值和我们所做实验值)有良好的符合。  相似文献   

5.
确定了晶体的德拜温度随温度变化的普适关系,导出了在此关系下晶体热力学函数的表达式.在此基础上,研究了铟的德拜温度和定压热容量随温度变化的规律.结果表明:理论计算与实验值基本一致.其中,在低温段和高温段理论值与实验值符合得较好,而中间段符合得稍差.  相似文献   

6.
以铁为例,讨论了原子非简谐振动对晶体的定压热容量和电阻率的影响.结果表明:温度不太低情况下,研究晶体的热力学性质和电学性质时,只有考虑到非简谐振动效应,理论计算结果才与实验较为一致.  相似文献   

7.
硅晶体管的温度应用范围比锗晶体管要宽广得多。因此硅晶体管参数的温度变化的研究对其更广的温度应用范围及大功率运用具有很大的意义。本文从实验方面研究了硅合金结及扩散结两  相似文献   

8.
本工作主要着眼于锗硅合金(Si_(1-x) Ge_x∶H)红外吸收谱的某些变化和生长参数的关系,以寻求较合适的生长条件.实验中改变的参数有三个:锗含量,衬底温度,射频功率.我们首次观察到空气中的氧能扩散进某些条件下生长的锗硅合金膜.样品的制备和测量所用无定形锗硅合金膜,是在射频辉光放电中分解一定体积比的硅烷(SiH_4)和锗烷(GeH_4)淀积而成.硅烷、锗烷的纯度为99.999%,水和氧的含量都少于五百万分之一.红外测量的样品是淀积在粗抛过的高阻硅单晶片上.用涡旋分子泵把真空室抽空至真空度高于3×10~(-8)乇,然后通进硅烷和锗烷,按所要求的体积比进行混和,并把总压力固定在0.25乇.锗的含量x 在0和0.75之间变化,衬底温度在228—  相似文献   

9.
本文就硅材料物理参数与应力的关系作了研究。对不同型号的硅晶体及硅扩散层,测试了施加不同应力的情况下电阻率的变化;测试了应力状况改变时电阻率变化的情形。测量结果经微型世电子计算机处理。发现:半导体硅晶体的电阻率与应力状况有明显的对应关系;导电类型不同的硅晶体,这种关系恰好相反。文中还就实验结果作了理论分析。  相似文献   

10.
研究了原子相互作用势与晶体德拜温度的关系.考虑到原子作非简谐振动,得到了格林乃森参量随温度变化的规律.以晶体铟为例,探讨了晶体德拜温度随温度的变化规律,理论计算与实验基本符合.  相似文献   

11.
根据PNP型晶体三极管的工作原理,借助等效电源电压和射极偏置放大器中晶体三极管静态工作点电压、基射极导通电压之间大小关系,研究了确定射极偏置放大器中PNP型晶体三极管工作状态的方法,提出了一种简易可行的判据.  相似文献   

12.
文章用半导体Si和超导体YBa2Cu3O7(YBCO)组成一维超导体光子晶体(AB)N,利用传输矩阵法对其反射特性进行了理论推导与数值模拟仿真研究.由于该一维超导体光子晶体组成材料中,仅有超导体YBCO的相对介电常数会受外部温度的调节,通过调整超导体YBCO的厚度、温度、电磁波的入射角和极化关系等参数,利用传输矩阵法计算其反射率,经过数值仿真发现其反射率对超导体YBCO的厚度、电磁波的入射角和极化关系等参数变化明显,而对外部温度的变化不明显.我们希望这些数值模拟仿真的结果能为设计可调的光波反射器提供理论研究基础.  相似文献   

13.
研究了锗(Ge)量子点薄膜表面形貌随退火温度的变化及其相应的电学特性。以锗烷为主要反应气体,应用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)在300℃温度、p-硅(100)基片上沉积了锗量子点薄膜,然后分别在400℃、500℃、600℃温度下退火。应用原子力显微镜(AFM)系统地观察了锗量子点薄膜的二维、三维图像,发现原位生长的锗量子点尺寸起伏大、薄膜表面比较粗糙。退火后,锗量子点分布趋于均匀,并且随退火温度的升高,量子点呈一定的取向排列,表面变得平整。通过电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试,发现锗量子点薄膜具有良好的电学特性。随退火温度的升高,电流、电容显著增大,漏电流减小,说明退火后,锗量子点薄膜晶界和粗糙度减小,使样品的表面、界面特性更好。  相似文献   

14.
Ce:KNSBN光折变晶体两波耦合特性研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用Ar+ 514.5nm的o光和e光测量了Ce:KNSBN晶体两波耦合增益系数随写入光夹角的变化关系曲线 ,得到了Ce:KNSBN晶体的有效电荷密度、有效电光系数和电子 -空穴对抗率等参数.依据光折变理论对增益系数随写入光夹角变化关系实验数据进行了拟合 ,拟合曲线与实验结果符合较好  相似文献   

15.
测量了Ce:KNSBN晶体双光束耦合调制度随入射光强比的变化特性,用中间段光折变理论对变化关系进行了参数理论分析,理论结果和实验结果定性符合。  相似文献   

16.
在晶体三极管的试验或使用中,不时要涉及到一些晶体三极管共射输入特性曲线的相交。对于为什么会相交这个问题,本文从理论上进行分析,从而给出这些晶体三极管共射输入特性曲线相交的理论诠释。  相似文献   

17.
本文引入平均共价因子, 采用点电荷模型, 对SrAl12O19:Mn2+晶体的吸收光谱及因子进行理论研究, 计算结果表明理论值与实验值符合较好. 其次, 利用=110时g因子的实验值, 得出了键长随温度变化的关系.  相似文献   

18.
煤体瓦斯解吸过程温度场测量研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了研究煤体瓦斯解吸过程温度场变化规律,自行设计加工了含有锗单晶的专用瓦斯吸附缸体,研制了瓦斯吸附解吸过程温度场测量实验系统,并应用红外热像仪对不同水分条件下煤体瓦斯解吸过程温度场变化进行了实验测量.应用SAT软件对红外辐射视频信号进行了数据处理,在此基础上应用希尔伯特-黄对红外辐射信号进行EMD分解,有效的去除了红外辐射噪声信号的影响,得到了瓦斯解吸过程煤体表面温度场的变化规律.实验结果表明,煤体对瓦斯的解吸过程是吸热过程,伴随有温度的变化,煤体解吸瓦斯的同时对外吸收热量,从而使煤体的温度下降;瓦斯解吸所造成的温度下降与水分含量大小有明显的对应关系,煤样水分含量越高,则温度降低的越少,温度下降的幅度也越小.对不同水分条件下煤体瓦斯解吸过程温度变化曲线进行了拟合,其温度变化曲线符合指数函数.研究结果对应用红外热像技术进行工作面煤与瓦斯突出非接触式预测预报奠定了理论与实验基础.  相似文献   

19.
利用时域有限差分方法,理论研究了二维三角晶格光子晶体的完全带隙.通过计算由各种形状锗柱排列在空气中组成的三角晶格光子晶体的能带结构,发现对于空心三角形锗柱排列在空气中组成的晶体结构,存在一个宽度为0.098(2πc/a)的完全禁带,该宽度达到了禁带中心频率的19.8%.并且系统讨论了不同结构参数对于完全禁带宽度的影响.  相似文献   

20.
本文基于体积弹性模量对压强的一个导数B′T和Anderson-Grüneisen参数δT遵循相同变化关系的假设,提出了一个计算高温高压条件下晶体热压的理论计算公式.以Au为例,理论预测值和实验值吻合很好,表明本文的计算模型具有一定实用价值.  相似文献   

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