Pr3+离子能级理论结果的参数拟合分析

稀土离子在激光材料和光通讯材料及器件中有着广泛的应用。这些应用对电子结构的计算和作用 机制的分析提出了要求。通过对Pr³⁺离子的从头计算的理论能级和实验能级进行参数拟合和综合分析发 现：可以结合相对论Coupled-Cluster理论和多体微扰理论,对不同参数的计算,主要考虑对此参数有重要 贡献的机制,来实现稀土离子电子结构的有效计算。     

硅日光电池中某些物理参数的测定

硅 PN 结高掺杂区载流子复合、禁带收缩等特性对硅 PN 结静态和动态性能的影响,已受到人们的重视.测定 PN 结高掺杂区有效寿命、禁带收缩、过剩电荷等参数的实验方法,已于1977年发展起来.测试研究过的对象有:特制的硅 P+N 结二极管实验样品, 0.1Ω-cm 硅 N+P 结日光电池实验样品,均匀掺杂宽基区 NPN 晶体三极管实验样品.     

A transition zone complex regulates mammalian ciliogenesis and ciliary membrane composition

Mutations affecting ciliary components cause ciliopathies. As described here, we investigated Tectonic1 (Tctn1), a regulator of mouse Hedgehog signaling, and found that it is essential for ciliogenesis in some, but not all, tissues. Cell types that do not require Tctn1 for ciliogenesis require it to localize select membrane-associated proteins to the cilium, including Arl13b, AC3, Smoothened and Pkd2. Tctn1 forms a complex with multiple ciliopathy proteins associated with Meckel and Joubert syndromes, including Mks1, Tmem216, Tmem67, Cep290, B9d1, Tctn2 and Cc2d2a. Components of this complex co-localize at the transition zone, a region between the basal body and ciliary axoneme. Like Tctn1, loss of Tctn2, Tmem67 or Cc2d2a causes tissue-specific defects in ciliogenesis and ciliary membrane composition. Consistent with a shared function for complex components, we identified a mutation in TCTN1 that causes Joubert syndrome. Thus, a transition zone complex of Meckel and Joubert syndrome proteins regulates ciliary assembly and trafficking, suggesting that transition zone dysfunction is the cause of these ciliopathies.     

并行处理机的算法

一旦采用少许一般性技术,许多小型计算机就能有效地同时运行,由此可以解决从空气动力学到天体物理各门学科中需要大量计算的问题。由于计算机技术的发展,我们正在开始一场计算革命。超大规模集成电路的进展不仅导致更快的计算机,也导致更加便宜、更加小型化的计算机——由几片集成块组成的计算机。这些计算机的实用价值大得令人瞠目结舌,而且也使得制造“超大功能计算机”,或称之为“超计算机”成为现实可行,这即是由许许多多的小型计算机组成的并行处理机。     

锗合金结及合金扩散结晶体管低频h参数的温度关系

一、引言晶体三极管电学参数随温度变化而发生的剧烈变化是限制它们在无线电设备中更广泛应用的重要原因之一.因此,研究晶体三极管电学参数的温度关系能为晶体管的更广泛应用提供有价值的参考资料;同时,把实验结果与理论计算相比较,还可检验理论的正确性.锗合金结P-N-P晶体三极管小讯号参数的温度关系已有一部分实验及理论工作,锗合金扩散结P-N-P晶体三极管小讯号参数温度关系的资料目前还较零星.本     

P-N~ -N-P锗漂移型三极管低频h参数的温度关系

样品的描述本工作测试了P-N~ -N-P锗漂移型三极管低频h参数的温度关系.所采用的样品是在高阻的N型锗基片上扩散一层强N型层,然后用合金方法在锗片两面制成P型区的发射极和集电极,其结构示意图如图1所示.