左Clifford双半环的性质与结构

定义了双半环的分配格和带双半环。利用这两个定义以及左Clifford半群的性质,给出了左双环和左Clifford双半环的定义,并得到了双半环是左双环的充分必要条件和双半环是左Clifford双半环的充分必要条件。     

唐赋演进与唐代赋序的发展变化

唐代是赋序发展的转变期,既延续了两汉所确立的赋序基本特征,又因唐代社会发展和唐赋变化的影响而呈现出新的风貌。唐代赋序内容丰富,在颂美讽谏、体物写志、言史记学等主题中均体现出唐赋演进乃至唐代社会发展变化的特点。既体现了唐人诗赋并举的文体观的同时,又因大量探讨律赋写作技巧的批评专著的出现而削弱了其文学批评价值。随着赋文由骈入散,唐代赋序的散体化风格特征逐步形成,并终成定式。作为赋与序交织而成的产物,唐代赋序既与唐赋演进密切关联的同时,又保有其独立的文体地位。     

罗伯特·安格斯·史密斯:英国有毒气体污染治理的奠基者

罗伯特·安格斯·史密斯是19世纪著名的化学家和环境学家,他担任了英国中央碱督察局第一任首席督察官,填补了督察局检查程序和工作风格的空白,提出"最佳实用方法"进行盐酸减排,强调督察员与碱业制造商的良好关系,以化学技术和咨询手段管控制碱业,有效减少有毒气体盐酸的排放,平衡污染治理与经济发展之间的关系。此外,史密斯还发现并命名了"酸雨",指出有毒气体二氧化硫的巨大危害,利用化学方法分析降水成分,对化学气候学做出开创性的贡献。     

非除氧条件下碱溶胀法制备中空聚合物微球

在非除氧条件下,采用碱溶胀法制备中空聚合物微球.探究了乳化剂用量、核壳单体滴加速度、搅拌速度、碱处理时间以及pH值等工艺条件对中空微球乳胶粒粒径和体系稳定性的影响.结果表明,最佳制备工艺条件为乳化剂用量占单体的0.5%,搅拌速度为80～100r/min,单体滴加速度为0.1 g/min,碱溶胀pH值为9,制得的聚合物中空微球粒径均匀、体系稳定,产生的凝胶最少.     

双渠道零售商质量信息披露策略研究

在质量信息不对称下,文章基于Hotelling模型研究了双渠道零售商线上线下纵向差异化产品的质量信息披露决策问题。研究发现最优披露策略主要受到产品质量定位和披露成本的影响如下:若披露成本较低,则两渠道均有可能披露,即当两产品质量均较小时,线上线下均不披露;当两渠道产品质量都较高时,线上线下均披露;当线下渠道产品质量较高而线上渠道产品质量较低时,仅线下渠道披露。若披露成本适中,则仅线下渠道可能被披露,且只有当线下渠道产品质量较高时,才会披露;否则,两渠道均不披露。若披露成本较高时,则线上线下都不披露。此外,线下渠道服务水平和线上单位匹配成本的增加总是导致线上渠道披露更少的信息,而线下渠道披露更多的信息。     

复合材料双悬臂梁试验Ⅰ型分层扩展的三维近场动力学模拟

近场动力学(peridynamics,PD)模拟复合材料分层损伤,相较于传统的数值方法有一定优势。双悬臂梁试验(double cantilever beam,DCB)是测量复合材料Ⅰ型层间断裂韧性GIC的标准试验。本文研究了复合材料双悬臂梁试验Ⅰ型分层扩展过程的三维近场动力学模拟。计算模型选用了球型域的常规态近场动力学复合材料模型,并引入了基于能量的失效判定准则。结果表明,近场动力学模拟的载荷-位移曲线与试验结果吻合得很好,并且模拟结果能够捕捉到DCB试验的"指甲盖形"分层前缘。在此基础上,进一步比较了Ⅰ型分层扩展过程的近场动力学模拟结果与试验结果,验证了本文采用的复合材料近场动力学模型计算Ⅰ型分层扩展的有效性。     

半群的(U,V)-区间值模糊双理想

在半群中引入(U,V) 区间值模糊双理想的概念, 并讨论其基本性质. 给出半群的(U,V) 区间值模糊双理想与模糊双理想以及区间值模糊双理想的关系, 证明半群的(U,V) 区间值模糊双理想的交仍然是半群的(U,V) 区间值模糊双理想, 并讨论半群的(U,V) 区间值模糊双理想直积的相关特性.     

PTO种子层对PZT铁电薄膜结晶温度和电学性能的影响

该文采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了PZT和PZT/PTO两种结构的铁电薄膜,通过PTO种子层调控PZT薄膜的微观结构和电学性能.研究发现,加入PTO种子层之后,薄膜的SEM图像呈现出更加致密的形态,晶粒分布较均匀.PZT/PTO铁电薄膜在550℃下退火后测得的剩余极化强度比PZT薄膜650℃下退火获得的剩余极化强度要大,说明种子层的加入降低了薄膜的结晶温度.此外,加入PTO种子层后,PZT铁电薄膜的介电常数升高,介电损耗降低,抗疲劳性能也变好,薄膜的电学性能得到了较好的改善.     

基于Cu和TiN盖层的Hf0.5Zr0.5O2薄膜铁电性能比较研究

该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)薄膜，并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器掠入射X射线衍射测试表明，TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜都具有明显的正交相系统比较研究了Cu和TiN盖层对HZO薄膜的铁电、漏电和可靠性的影响极化 电压测试表明，TiN和Cu为盖层的HZO薄膜在±4 V扫描电压下，剩余极化强度 (2Pr) 值分别为40.4 μC/cm2和21.2 μC/cm2相应的矫顽电压分别为+1.7 V和+2.0 V极化疲劳与保持特性测试表明，在经过2.3×108循环次数后，以TiN和Cu为盖层的HZO薄膜的2Pr值分别衰减了39.7%和45.6%经过1.3×104 s保持测试，TiN和Cu盖层的HZO薄膜的2Pr值从初始34.4 μC/cm2和17.1 μC/cm2分别下降到了22.6 μC/cm2和1.6 μC/cm2上述结果说明，金属盖层是影响HZO铁电性的一个非常重要的因素盖层的功函数、热膨胀系数、界面缺陷和界面介电层都是导致HZO薄膜铁电性差异的可能机制该文工作对于进一步理解HZO铁电性起源和影响机制提供了有意义的借鉴，将有助于发展未来高性能的HZO铁电存储器和负电容晶体管