同轴磁控管永磁磁路的模拟及实验

同轴磁控管磁路的小型化是使医用直线加速器尺寸小型化的重要途径.将具有优良电磁性能的钐钴永磁用于同轴磁控管磁路系统中,可以以较小体积激励出磁感应强度高的近均匀磁场.结合Poisson Superfish程序模拟和实验测量对同轴磁控管的永磁磁路系统产生的高强度磁场分布进行了分析,结果表明: 钐钴永磁材料在同轴磁控管中能产生基本满足高强度和均匀性要求的工作磁场.改进了设计方案,设计了一个电磁-永磁复合磁路,通过调节电流密度使磁场分布调至最佳状态.     

钴酞菁的微波合成及牛白蛋白测定

以邻苯二腈、硫酸钴为原料,采用微波固相法合成了钴酞菁。将钴酞菁磺化所得的磺酸基钴酞菁溶液与牛白蛋白作用将导致共振瑞利散射显著增强。在460 nm处存在一共振散射强峰,其强度增加与牛白蛋白的浓度呈线性关系,据此建立了一种用共振散射光谱测定牛白蛋白的方法。该方法的线性范围为0.1~6.0 ug/mL,检测限为5.73 ng/mL。     

负载型铜、钴催化剂的室温固相合成及对邻二甲苯的深度催化氧化

采用低温固相法制备了系列负载型铜、钴以及铜钴复合催化剂,用于邻二甲苯的深度催化氧化,以邻二甲苯的分解率和二氧化碳产率综合评价催化剂的活性.考察了制备方法、活性组分及载体对催化剂活性的影响.采用XRD,BET,SEM,TPR等技术对催化剂进行表征,结果表明:室温固相法制备的催化剂,具有低结晶度、小晶体粒度和高比表面积等结构特点;铜钴复合催化剂的活性高于单-金属氧化物催化剂,载体对催化剂活性影响显著.     

初始溶液中钴铁摩尔比对钴取代Fe3O4中铁的影响

从实际应用的角度出发,研究了初始溶液中钴铁摩尔比对室温下Co2 进入尖晶石结构的速率和程度的影响,过程中的氧化-还原电位和产物的化学分析、XRD以及IR等光谱分析的结果表明:初始溶液中较小的钴铁摩尔比有利于钴铁酸盐的生成.另外,随Co2 进入尖晶石结构,产物的晶面间距和晶格常数增加,红外振动吸收峰向高波数移动.     

1,4,7-三氮杂环壬烷合钴与牛血清白蛋白的相互作用

利用荧光光谱法研究了1,4,7-三氮杂环壬烷合钴(Ⅱ)与牛血清白蛋白的相互作用,实验结果表明1,4,7-三氮杂环壬烷合钴(Ⅱ)对牛血清白蛋白的荧光猝灭是静态猝灭,并得出在水溶液和胶束溶液中1,4,7-三氮杂环壬烷合钴(Ⅱ)与牛血清白蛋白作用的结合点位数、结合常数和热力学参数,△H0,△S0,其分子间的作用力主要表现为疏水作用力.     

穴位注射腺苷钴铵治疗腰椎间盘突出症50例临床观察

观察穴位注射腺苷钴铵在治疗腰椎问盘突出中的临床疗效;方法:选择我科腰椎间盘突出症患者50例,随机分为治疗组(穴位注射腺苷钴铵)与对照组(单纯穴位针灸治疗),每一组25例,连续治疗4个疗程(每个疗程8天);治疗组每天给予腰阳关、志室、肾俞、阿是穴等穴位注射等量的腺苷钴铵,对照组每天给予相同穴位的针灸治疗;两组患者疗程及所处环境相同,尽量保证治疗组和对照组的治疗统一性,降低环境及其他因素导致的误差;经上述治疗后,治疗组:临床有效15,好转9例,无效1例,总有效率96%。对照组:临床有效14例,好转4例,无效7例,两组患者治疗后疼痛程度由视觉模拟评分法(VAS)。由以上数据可见治疗组的临床有效率远大于对照组。结论:穴位注射腺苷钴铵治疗腰椎间盘突出症较单纯针灸治疗可更有效的缓解腰椎间盘突出症导致的疼痛及活动受限等症状,具有良好的临床疗效,值得临床推广应用。     

凯时联合甲钴铵治疗32例糖尿病患者勃起功能障碍

目的:观察脂化前列腺素1(凯时)与甲钴胺联合应用治疗糖尿病患者勃起功能障碍(ED)的疗效。方法:将32例勃起功能障碍的糖尿病患者给予凯时与甲钴胺联合治疗,治疗前后根据国际勃起功能指数表(IIEF-5)患者进行自我评分。结果:32例患者接受凯时与甲钴铵治疗后,患者IIEF-5总评分和各问题的评分均显著高于治疗前(P<0.05或0.01)。结论:凯时联合甲钴铵治疗糖尿病合并ED具有良好的效果。     

CoCl（CNPh）2（pph3）2的制备,结构和性质

由ＣｏＣｌ（ＰＰｈ３）３与过量ＰｈＮＣＳ在苯溶液中的反应制备出一种流的Ｃｏ（Ｉ）的五配位配合物．根据红外，１Ｈ核磁共振、快原子轰击质谱、ｘ电子能谱及元素分析结果确定其分子式为ＣｏＣｌ（ＣＮＰｈ）２（ＰＰｈ３）２与类似的配合物比较，推断该配合物具有三角双锥结构，其中两个大体积的叔膦基成轴间配位．从ｄ－ｐ户反馈π键度讨论了ＩＲ及１ＨＮＭＲ．此外，也对该回合物的溶解性、热稳定性以及对Ｏ２的稳定性加以了描述．     

C^＋离子注入与CoSi2薄膜就力的研究

根据改进的Thomas-Fermi-Dirac模型，分析了CoSi2薄膜中本征应力的起源，证明了基体与薄膜的原子表面电子密度差是薄膜本征应力的来源。实验在Si(100）基体注入碳离子（C^ ），然后沉积钴（Co）薄膜，再进行快速退火（Rapid Thermal Annealing，简称RTA）形成二硅化钴（CoSi2）薄膜，发现薄膜中的应力随C^ 离子注入剂量的增加而减少，理论计算了由C^ 离子注入引起的应力减小的数值，并与实验结果进行了比较。