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C^+离子注入与CoSi2薄膜就力的研究
引用本文:
王若楠,刘继峰,等.C^+离子注入与CoSi2薄膜就力的研究[J].自然科学进展,2002,12(12):1296-1300.
作者姓名:
王若楠
刘继峰
摘 要:
根据改进的Thomas-Fermi-Dirac模型,分析了CoSi2薄膜中本征应力的起源,证明了基体与薄膜的原子表面电子密度差是薄膜本征应力的来源。实验在Si(100)基体注入碳离子(C^ ),然后沉积钴(Co)薄膜,再进行快速退火(Rapid Thermal Annealing,简称RTA)形成二硅化钴(CoSi2)薄膜,发现薄膜中的应力随C^ 离子注入剂量的增加而减少,理论计算了由C^ 离子注入引起的应力减小的数值,并与实验结果进行了比较。
关 键 词:
C^+离子注入
CoSi2薄膜
本征应力
原子表面电子密谋
TFD模型
二硅化钴薄膜
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