Bi系高温超导带材冷压工艺优化试验

采用套管法（ＰＥＴ）制备Ｂｉ系高温超导带材,进行了冷压工艺的优化研究。试验结果表明,Ｂｉ系带材所能承受的压力有一个限值,若超过这个限值后,密度虽可提高,但晶粒破碎严重Ｊｃ值反而降低,带材优化的冷压工艺参数是８３８℃／６０ｈ＋冷压＋８３８℃／６０ｈ。第１次压力为２ＧＰａ,第２次２．５ＧＰａ;冷压压下速率为１．５×１０＾－４ｍｍ／ｓ。同时研究还表明冷压的主要作用是提高带材的致密度和晶粒取向度,最终改善     

Bi4Ti3O12铁电薄膜溶胶—凝胶法制备过程中Bi—Ti溶胶的匀胶规律研究

介绍了Ｓｏｌｇｅｌ法制备Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的工艺过程,研究了ＢｉＴｉ溶胶在Ｓｉ基片上的匀胶规律;用ＴＧＤＴＡ和ＴＥＭ技术研究了ＢｉＴｉ干凝胶的形态,并成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ基片上制备了ｃ轴取向的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜．     

Meso-[四(对-三甲铵基)苯基]卟啉常温下测定痕量铋的研究

在ｐＨ５．３７的ＨＡｃ－ＮａＡｃ介质中,在酒石酸钠钾和苯羟乙酸的存在下,ｍｅｓｏ－［四（对－三甲铵基）苯基］卟啉与Ｂｉ（Ⅲ）在室温下反应１０ｍｉｎ形成Ｂｉ（Ⅲ）：ＴＡＰＰ＝１：２的络合物。络合物的最大吸收在４６３ｎｍ,摩尔吸光系数为１．０×１０＾５ｍｏｌ＾－１·Ｌ·ｃｍ＾－１,Ｂｉ（Ⅲ）在０￣１６μｇ／２５ｍｌ内符合比耳定律,对测定５μｇ／ｍｌＢｉ（Ⅲ）而言,共存离子允许量（μｇ）为：ＮＯ３＾－（     

掺Sm、Pr的MnB1合金薄膜的磁性、结构和磁光性能研究

讨论了掺Sm、Pr的MnBi合金薄膜的结构、磁性和磁光性能．实验表明,经过退火处理(375℃～425℃／2～4h),样品形成MnBi晶体结构．掺杂含量x=0．1～0．25,样品具有较大的Kerr角(θKmax=2．57°),内禀矫顽力MHC=1．5～5．6kOe,剩余磁化强度Mr=3．0～5．6kOe,剩磁比r=0．88～0．98．磁光谱表明,随着掺杂含量的增大,样品Kerr角的极大值向长波方向移动．在变温过程中,样品的矫顽力随温度上升而增大,在薄膜(d<250nm)情况下矫顽力以形核机制为主。     

低价钨化合物反应的研究（Ⅲ）~［1］──六氯合钨酸钾还原有机化合物的反应

六氯合钨酸钾是一个温和、有效的还原试剂，能够将亚砜还原为硫酸，将Ｎ－氧化吡啶还原为吡啶，还能部分地将苯甲醛还原为苯甲醇。     

高T_c超导体Bi_(1.7)Pb_(0.3)Sr_2Ca_2Cu_3O_y中的电四极相互作用研究

Bi系高T_c超导体比Y系具有更高的转变温度,许多研究表明:Bi-O层对超导电性有十分重要的作用,为了更进一步了解Bi在超导电性上起的作用,微观地研究Bi位置周围的电荷分布还是有重要意义的.在超导样品的制备中,由于多超导相的共生和杂相(Ca,Sr)CuO_2的存在,对Bi位置的研究很小,对Bi的NQR研究也很少,而且谱线宽到难以辨认.Bi的NMR实验,也因核的电四极矩的影响,会引起谱线的增宽及共振峰强度的减弱,难以获得有用的信息.微分扰动角关联(differential perturbed angular correlation,DPAC)方法对探针原子核周围局部的电荷分布极端的灵敏.在Y系高T_c超导体的研究中,提供了一些很有意义的微观信息,我们用几乎单高温项([2223]相90%左右)的Bi系超导样品进行了DPAC实验.     

Bi系超导体工艺研究

本文叙述了Ｂｉ系高温超导体的工艺对其性能的影响，以及对样品进行电击穿实验等。结果表明，高温烧结，液氮淬火，低温退火，缓慢降温有利于生成高温超导体相；超导样品是由一些颗粒连接而成，其击穿电压和零电阻温度成反比。     

三苯基铋系列对端羟基共聚醚的固化催化作用

用ＤＳＣ以温度扫描和时间扫描方式，研究三苯基铋系列对环氧乙烷－四氢呋喃共聚醚和Ｎ－１００固化系统的催化效果，并通过动力学参数对实验结果进行了讨论。     

固相法制备含铋层状结构PBN压电陶瓷

研究了固相反应法合成PbBi2Nb2O9(PBN)层状结构压电陶瓷粉体的化学反应过程,发现固相反应主要发生在590,710,820℃·590℃时反应产物为Pb2Bi6O11、Pb5Bi8O17、Pb3Nb4O13及PBN;710℃时反应产物为Pb5Bi8O17和PBN;在820℃保温1h,可以获得单相PBN·PBN粉体在1080℃进行烧结,可获得相对密度达975%,组织细小均匀的PBN陶瓷·     

硫化法脱除铜电解废液中As,Sb,Bi的试验

对硫化沉淀法净化铜电解废液进行了条件试验和扩大试验．结果表明，控制适当的条件，采用硫化法能同时将铜电解废液中绝大部分的As，Sb，Bi除去，而对Ni的回收不产生影响．此外，还对硫化渣中的杂质分离方案进行了讨论，从实践的角度证实了硫化法净化铜电解废液的可行性．