内射余模的Baer准则

本文借助余循环余模，研究了内射余模的Ｂａｅｒ差别准则，统一了右余理想和余循环余模，并给出了余半单余代数的一个同调刻划。     

W，V对Fe—Cr—Mn奥氏体钢辐照诱起晶界偏析和相稳定性的作用

利用电子束辐照Fe-Cr-Mn(W,V)合金的结果表明，添加原子半径尺寸大的溶质元素W和V，可形成大量微细碳化物，增多相界面即增加基体中尾闾数目，能有效降低合金基体中点缺争过饱和浓度，减少空洞肿胀，同时有利于形成高密度位错环，减少它们相互间的间距 缩短点缺陷向尾闾移动扩散的平均自由程，导致点缺陷捕获溶质原子的机会减少，进而抑制辐照诱起晶界偏析，提高合金γ相稳定性。     

格雷码加速遗传算法及其理论研究

在分析基于二进制编码的加速遗传算法的基础上 ,对格雷码编码及加速遗传算法作了深入地探讨 .提出了格雷码加速遗传算法 ( GAGA) ,研制了 GAGA实施的详细步骤 ,并推导出了相应的模式定理和收敛定理 .对 GAGA的有效性和可行性进行了理论分析和实例分析 .结果表明 ,GAGA具有直观、简便、准确、快速和适用性强等特点 ,是一种既可以较大概率搜索全局最优解 ,又能进行局部细致搜索的优秀非线性优化方法 .     

铅笔头之疯

铅笔头疯了。这是件谁都不敢相信的事，但他确实疯了。     

山东胶州赵家庄遗址4000年前稻田的植硅体证据

山东地区新石器时代稻田遗迹的确认和研究, 不仅是中国稻作农业历史研究中的重要问题, 也是东亚地区稻作农业东传路线研究中的关键内容. 由于受到考古学资料和研究方法的局限, 一直没有发现山东地区新石器时代的稻田遗迹. 在田野考古发掘工作中识别了可能是稻田遗迹的基础上, 系统分析了胶州赵家庄遗址稻田遗迹土样的植硅体, 结果证明该遗址保存有4000年前的稻田. 这是中国北方首次采用系统的植硅体分析方法确认的新石器时代稻田遗迹, 对于东亚地区水稻东传路线的研究也具有重要意义.     

硅单晶上类金刚石薄膜织构和外延取向与界面价电子结构的关系

金刚石和立方氮化硼薄膜由于其优异的性能已经获得了实际应用. 该类薄膜的特定取向对其在光学和微电子学领域的应用有特殊意义. 用固体与分子经验电子理论(EET)计算了衬底硅不同晶面与金刚石和立方氮化硼薄膜不同晶面的相对电子密度差, 从计算结果分析认为, 对所研究的薄膜, 薄膜与基底界面的电子密度差越小, 薄膜在热力学上越稳定, 界面的电子密度差是决定薄膜织构或外延取向的本质原因. 这些推断与实验事实符合得很好. 该计算方法和理论不仅为探讨金刚石和立方氮化硼在硅单晶表面上的薄膜生长机制提供了一个新视角, 还可能为其他薄膜取向的预测提供指导.     

固相合金中的C-Me偏聚理论在陶瓷中的应用

氧化锆陶瓷由于性能优异, 已得到了广泛的应用. 氧化锆陶瓷的相变影响其性能, 为控制相变进而控制性能, 相变机理的研究至关重要. 用固体与分子经验电子理论计算了c-ZrO₂、t-ZrO₂和m-ZrO₂的价电子结构, 得到形成它们强键骨架的共价键上的总共价电子对数分别为3.19184、3.45528和3.79625. 按固相合金中的C-Me偏聚理论的思想推测ZrO₂从高温到低温的相变顺序应为液相→c相→t相→m相. 从价电子结构进行的推断与实验结果完全一致, 说明合金相变的电子理论可以扩展到陶瓷材料中.     

生长时间对ZnO纳米棒形貌和光学性能的影响

在低温条件下，利用化学溶液沉积法（CBD）成功在Si（100）衬底上生长出近一维ZnO纳米棒阵列．采用X射线衍射（XRD），扫描电子显微镜（SEM）和光致发光谱（PL）对样品进行结构、形貌和光学性能分析．结果表明：产物为结晶良好的六角结构晶体．随着生长时间的增加，ZnO纳米棒的尺寸随之增大．PL测试表明产物有较好的光致发光性能，并且随着纳米棒尺寸的减小，紫外发射峰发生蓝移现象．     

西藏谢通门县雄村铜(金)矿矿石物质成分研究及其意义

西藏谢通门县雄村铜(金)矿是新发现的超大型细脉浸染型铜(金)矿.通过详细的岩石学、矿石学研究,表明矿石类型主要分为氧化矿石、次生硫化物矿石和细脉浸染状硫化物矿石三大类型.矿石主要为细脉浸染状.主要金属矿物为黄铜矿、黄铁矿、磁铁矿、磁黄铁矿,其次是辉铜矿等.主要非金属矿物为石英,约占矿物总量的60%～70%;其次是红柱石、钾长石、斜长石、黑云母、白云母、绢云母、绿帘石、石榴子石等.矿石主成矿元素以Cu为主,伴生有用组分为Au,Ag,Zn和Pb等.     

不同的氧氩比对ZnO薄膜性能的影响

利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能.随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍射峰略向θ角减小的方向移动.随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少,ZnO薄膜的方块电阻明显减小,说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小.