| 不同的氧氩比对ZnO薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 潘志峰,袁一方,李清山,孔繁之,张利宁.不同的氧氩比对ZnO薄膜性能的影响[J].曲阜师范大学学报,2007,33(1):65-68. |
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| 作者姓名： | 潘志峰 袁一方 李清山 孔繁之 张利宁 |
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| 作者单位： | 济宁医学院物理教研室，上海理工大学光电学院，鲁东大学校长办公室，济宁医学院物理教研室，济宁医学院物理教研室 272013山东省济宁市，上海理工大学光电学院，200093，上海市，200093上海市，264000山东省烟台市，272013山东省济宁市，272013山东省济宁市 |
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| 摘 要： | 利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能.随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍射峰略向θ角减小的方向移动.随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少,ZnO薄膜的方块电阻明显减小,说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小.
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 晶体结构 导电性能 氧氩比 |
| 文章编号： | 1001-5337（2007）01-0065-04 |
| 修稿时间： | 2006-06-06 |
Effect of Difference O2 to Ar Ratio on Function of ZnO Thin Film |
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| PAN Zhi-feng,YUAN Yi-fang,LI Qing-shan,KONG Fan-zhi,ZHANG Li-ning.Effect of Difference O2 to Ar Ratio on Function of ZnO Thin Film[J].Journal of Qufu Normal University(Natural Science),2007,33(1):65-68. |
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| Authors: | PAN Zhi-feng YUAN Yi-fang LI Qing-shan KONG Fan-zhi ZHANG Li-ning |
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| Institution: | 1. Department of Physics, Jining Medical College,272013, Jining, Shandong;2. College of Optics and Electrorics Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, 200093, Shanghai; 3.President Office, Ludong University, 264000, Yantai, Shandong, PRC |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO films crystallization structure function of conducting electricity O_2 to Ar ratio |
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