助熔剂H3BO3对白光发光二极管用Li2BaSiO4：Eu^2＋蓝绿色荧光粉材料性能的影响

采用燃烧法在700℃下成功合成了用做白光发光二极管（WLED）的Li2BaSiO4∶Eu^2＋蓝绿色荧光粉,研究了不同摩尔分数的H3BO3对Li2BaSiO4∶Eu^2＋荧光粉材料晶体结构、颗粒粒径大小、激发光谱和发射光谱性能的影响.结果表明：随着硼酸量的增加,激发和发射光谱有着显著的提高,H3BO3的最佳摩尔分数为0.06.过量硼酸的加入,基质会有新的物相产生.可见适量的H3BO3对白光发光二极管用Li2BaSiO4∶Eu^2＋蓝绿色荧光粉材料的光学性质有很重要的影响.     

含有单一发光层的白色有机发光器件的进展

1前言 全世界每年总电能产量的大约20％要用于照明,荧光灯已逐步取代白炽灯是目前使用最普遍的照明光源,荧光灯的典型发光效率为901m／W,要远高于白炽灯,但还有待提高。同时由于荧光灯使用汞,对废弃处理带来很大的压力。提高照明用电效率,节能减排和环境友好,必须寻找新的替代光源。电致白色发光二极管,被认为是将取代荧光灯的新一代光源,目前已经有少量商品进入市场。     

半导体照明用荧光粉的研发及产业化

1项目背景及介绍 白光半导体发光二极管LED具有光电转换效率高、节能[在同样的亮度下能耗为白炽灯的1／6,紧凑型荧光灯（节能灯）的3／4]、环保（无荧光灯的汞污染）、安全可靠、使用寿命长（5万小时以上、全固体化）等特点,正在引发21世纪照明革命。目前,白光LED技术主要是在掺铟（In）氮化镓（GaN：In）发蓝光的芯片上,加少量发黄光的掺铈（Ce）钇铝石榴石（YAG：Ce）荧光粉,蓝光和黄光混合形成白光。     

便携式多功能比色仪的研制及试验

采用发光二极管作为光源,以光电二极管作为探测器;MSP430单片机作为主机研制出一种便携式多功能比色仪,该比色仪由光源、样品池、探测器、信号放大与处理系统、显示输出系统以及USB通信系统等6部分组成.介绍了该比色仪的工作原理、光路、机械结构及电路软、硬件,分析了其中技术难点及其相应的解决方法,并通过结合葡萄糖氧化酶光度法将该仪器应用于葡萄糖浓度测定试验,得到满意结果.     

国际

<正>英研发节能"发光壁纸"英国碳信托公司日前宣布,将投入数十万英镑资助一家公司研发"发光壁纸"。这种基于有机发光二极管(OLED)技术的新产品,可以制成覆盖在墙壁上的薄膜,全方位发出类似自然光的柔和光线,避免灯泡带来的阴     

光强可调大功率LED开关电源的设计与研究(英文)

针对当今LED线性稳压源功耗高、体积大的不足,利用LM2575 DC/DC降压芯片设计了一种恒流驱动大功率LED的PWM开关电源。其发光效率在80%以上,且体积小、性能稳定、成本低,通过调节外部电位器可以改变驱动电流进而改变LED的发光强度。     

梦想照进现实——邂逅“未来之城”

"一切始于世博会"。一个半世纪以来,人类对于未来世界的诸多探索从世博会走向了现实。徜徉在以"城市,让生活更美好"为主题的上海世博会,"未来之城"仿佛触手可及:会呼吸的房子,发电地板,智能机器人……世博会为我们打开通向"未来之城"的一扇门,赋予我们梦想的力量!本期,就让我们也来妙想一把,让虚拟的主人公去体验这座"未来之城"的美好生活。或许有一天,本文中描绘的图景已经一一呈现在了我们面前。也许10年,也许20年……     

GaN LED量子阱光发射模型

在分析GaN LED量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制Stark效应和Franz-Kddysh效应,提出了一种基于InGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模拟结果表明LED的光发射效率和波长依赖于有源区In组分变化引起的势能涨落和阱尺寸,并得到LED发光波长红移的原因为：非故意掺杂引入新的施主能级和受主能级,新能级之间以小于带隙的能量跃迁;Franz-Keldysh效应随阱厚的增加而加强;压电极化和自发极化形成的内电场在空间上将电子和空穴隔开,但电子和空穴波函数的交叠允许它们在较低的能级上辐射复合;以及带边吸收的影响.     

"绿色"照明灯

什么是“绿色”照明灯?举一个例子,一支耗电仅4W的这种照明灯,亮度却与30多瓦普通白炽灯相当,而使用寿命是白炽灯的50倍以上。这就是被誉为21世纪照明革命的半导体灯,它有个学名叫发光二极管。因为它节能、长寿、环保,所以人们称它为“绿色”照明灯。     

高效蓝紫光器件的实现: 苯撑与硅芴共聚物同聚硅芴共混

以苯撑与硅芴共聚物(PSiF6-PPP)同聚硅芴(PSiFC6C6)的共混物做发光层, 制备了高效的蓝紫光聚合物发光二极管, 研究了共混比例对器件性能的影响. 发现当PSiF6-PPP与PSiFC6C6的质量比为1︰3时器件性能最优, 在发光亮度为105 cd/m²时, 器件的外量子效率可以达到1.96%, 电致发光光谱的峰值位于397 nm, 半高宽为67 nm. 分析表明, PSiFC6C6向PSiF6-PPP的能量转移以及共混后电子和空穴注入的均衡, 是使器件性能明显提升的主要原因.