鸿利光电子：璀璨夺目2008北京奥运会开幕式——“3528系列贴片发光二极管的封装技术与应用”项目介绍

广州市鸿利光电子有限公司于2006年6月成立“贴片式高亮发光二极管（SMDLED）研发小组”,通过引进先进的生产设备,主要针对SMDLED的封装技术及结构设计展开研究,不断从发光效率、发光强度、光学特性及可靠性完善SMDLED的封装技术,其中以TOPLED中的3528系列产品为项目研究的重点。     

双色8×8点阵LED的动态显示

双色8×8点阵LED矩阵发光屏采用逐行扫描方式驱动,以8031单片机为核心,MAX7219作为行、列驱动器,完成了双色8×8点阵LED矩阵发光屏驱动板设计与制作,实现了LED显示器件的动态驱动。通过对驱动波形的测试与分析,加深了学生对显示像素4种状态（全选点,行、列半选点和非选点）的理解。通过对该实验系统功能的扩展,可以强化学生平板显示器件驱动技术方面的训练。     

《4位7段LED的8级灰度显示》实验设计

对《4位7段LED的8级灰度显示》实验教学设计与实践进行了探讨。通过对实验系统的构建与实验结果的分析,培养学生的动手实践能力,强化了学生综合实验素质的训练。针对现有的LED显示屏,学生能掌握7段LED驱动器HEF4543的结构原理和应用电路,测量LED的驱动波形信号;掌握占空比调制灰度原理,并测量亮度一占空比曲线。     

氮化物发光二极管引领照明革命--一种没有灯丝的灯

光，点亮世界，照耀未来，照明光源是人类希望的象征。照明及其装置是国计民生不可缺少的重要组成部分，它从一个侧面反映城市文化，映射出地区或者都市经济繁荣的程度，社会发展现代化的水平。     

发光二极管光轴测量的实验研究

提出对光传感器使用的发光二极管进行光轴测量的必要性，并采用面积加权法对其进行测量。得到芯片位置变化及芯片加载电流变化对光轴位置的影响。     

有机电致发光材料研究进展

有机发光二级管(OLED)具有主动发光、高亮度、低驱动电压、结构简单和发光颜色可调等优点,目前在平板显示、高效节能照明光源等领域显示出了极大的应用前景.本文按分类系统介绍了近年来有机电致发光材料的研究进展,通过对有机分子化学结构与发光特性、成膜特性等关系的分析,指出了各类材料的优缺点并预测了未来发展前景.     

Efficient polymer light-emitting diodes with violet blue emission based on blends of PSiF6-PPP and PSiFC6C6

Efficient polymer light-emitting diodes (PLEDs) with violet blue emission were fabricated using blends of copolymers of paraphenylene-co-silafluorene (PSiF6-PPP) and polymer of poly (9,9'-alkyl-3,6-silafluorene) (PSiFC6C6). The performances of the devices are sensitive to the blend ratio. When the mass ratio of PSiF6-PPP to PSiFC6C6 is 1 : 3, the highest external quantum efficiency is 1.96% at luminance of 105 cd.m2, its electroluminescent (EL) spectrum peaks at 398 nm and full width at half maximum is 67 nm. The improvements of the device performances were due to the energy transfer from PSiFC6C6 to PSiF6-PPP and the balanced injection of electrons and holes.     

8255A控制交通灯的应用系统设计

单片机是一个基本的微型计算机,由MCS-51单片机一个芯片通过简单的电路连接,便可组成最小应用系统,利用集成在单片机内部的接口,实现并、串行数据传输,定时/计数控制,中断等功能,从而完成一定的检测控制功能。为扩大单片机的实际应用范围,常需要将单片机系统扩展,以实现更为强大的功能。所谓扩展就是在以CPU为核心的单片机的外围连接具有各种功能的芯片,包括ROM扩展芯片、RAM扩展芯片、并行接口芯片、中断扩展芯片、定时/计数器扩展芯片等。8255就是并行接口芯片的一种,在各种应用系统设计中使用非常广泛。     

用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度

针对半导体发光二极管 (LED)出光效率低下的问题 ,提出了一个在LED顶部引入周期性微结构的新设想。根据这一设想 ,采用简单的微加工技术研制成功带有环形槽微结构的圆台形InGaAlP量子阱LED。结果表明 ,这种新型LED在竖直方向的出射光强比不带微结构的LED有明显增强。这一成功为改进发光二极管的出光效率提供了新的途径