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1.
田仁玉  莫越奇  彭俊彪 《科学通报》2006,51(13):1613-1616
以苯撑与硅芴共聚物(PSiF6-PPP)同聚硅芴(PSiFC6C6)的共混物做发光层, 制备了高效的蓝紫光聚合物发光二极管, 研究了共混比例对器件性能的影响. 发现当PSiF6-PPP与PSiFC6C6的质量比为1︰3时器件性能最优, 在发光亮度为105 cd/m2时, 器件的外量子效率可以达到1.96%, 电致发光光谱的峰值位于397 nm, 半高宽为67 nm. 分析表明, PSiFC6C6向PSiF6-PPP的能量转移以及共混后电子和空穴注入的均衡, 是使器件性能明显提升的主要原因.  相似文献   
2.
为适应柔性有源有矩阵有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,将低温溶液处理的氧化锌作为半导体层、电化学氧化的氧化铝钕作为栅绝缘层,制备了氧化锌薄膜晶体管(TFT).制备氧化锌半导体层所用的前驱体溶液为无碳的Zn(OH)x-(NH3)y(2-x)+水溶液,这种氨络合物溶液制备简单、成本低,并且由于容易形成高活性的氢氧自由基,使得氨-金属之间的分解所需要的活化能较低,生成氧化锌所需的能量较小,可以在180℃的较低温度下获得氧化锌多晶薄膜.所制备的TFT器件的最高迁移率可达0.9 cm2/(V·s).这种低温氧化锌薄膜工艺与室温电化学氧化的栅绝缘层工艺相结合,具有温度低和迁移率高的特点,完全能与柔性衬底兼容,在柔性显示中具有很大的应用前景.  相似文献   
3.
TPD:CuPcLB薄膜作为电子阻挡层被引入到ITO/TPD:CuPc/Alg:DCM1/Al电致发光器件中的PPV和Alq:DCM1层之间。不含任何TPD:CuPc层或仅含单层TPD:CuPc且在较高直流电压(≥8V)驱动下的器件,它们的发射光谱同时来自PPV(513nm)和Al:DCM1(591nm)。相反,当含单层TPD:CuPc的器件在较低电压驱动下(<7V)或含双层TPD:CuPc的器件均具有591nm的发射峰值,这表明在此类器件中Al:DCM1作为电子转移型的发光层而TPD:CuPc则作为能有效地阻挡电子的电子阻挡层,因而我们可以通过调整载流子阻挡层的厚度来精确地控制载流子的复合区域从而得到不同的电致发光光谱  相似文献   
4.
放电处理高分子薄膜场致发射阴极的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
考察了聚苯胺(PANI—CSA)、聚对苯乙烯磺酸(PEDOT)、聚乙烯咔唑(PVK)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)4种高分子薄膜经放电处理后的场致电子发射性能.首先将这些材料配制成溶液分别在ITO玻璃衬底上旋涂成膜,放入真空测试箱中,通过放电处理这些薄膜的表面;再将处理好的薄膜作为阴极发射体.文中比较了这些薄膜的场致发射阈值电压、电流一电压特性曲线以及相应的福勒一诺德海姆(F-N)曲线,测试了这4种高分子薄膜的电导率,比较电导率对放电处理结果的影响.实验证明,电场作用下高分子薄膜的电子发射能力和电导率有关,具较高电导率的高分子薄膜经表面放电处理后其发射能力更强.  相似文献   
5.
芴与二噻基苯并噻二唑共聚物的电致发光和光致发光研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
彭俊彪  许怡赦  侯琼  牛于华  阮文英  曹镛 《科学通报》2002,47(16):1233-1236
使用自己实验室合成的9,9-二辛基芴与4,7-二噻基苯并噻二唑系列共聚物(1% DBT,5%,DBT,10%,DBT,15%DBT,25%DBT),采用双层结构制备了高效率和红色聚合物发光二极管(PLEDs),器件的外量子效率接近1.4%(15%DBT共聚物),流明效率超过1.0cd/A,最大发光亮度达到3700cd/m^2,电致发光发射光谱峰值位于675nm  相似文献   
6.
通过双锍盐前驱聚合法合成了含杂环的聚(2,5-二苯基-1,3,4-恶二唑)-3,3‘-乙烯(M-PPV),讨论了其较佳的合成路线,构造了ITO/M-PPV/A1型电致发光器件,与未取代的PPV所构器件ITO/PPV/A1发黄绿乐相比,含杂环的聚(2,5-二苯基-1,3,4-恶二唑)3,3’-乙烯发光材料所构器件发蓝光。  相似文献   
7.
以高分子聚(2-甲氧基-5-(2-乙基-已氧基)-1,4-苯撑乙烯撑)(MEH-PPV)为半导体有源层、Ta2O5为绝缘层,制备了有机薄膜晶体管(OTFT),研究了氢热处理Ta2O5绝缘层对OTFT性能的影响,并对该器件性能改善的原因进行了分析.结果表明,经氢热处理的Ta2O5绝缘层使MEH-PPV的场效应迁移率提高了一个数量级,从1.24×10-5cm2/(V.s)提高到2.15×10-4cm2/(V.s),阈值电压有所降低.  相似文献   
8.
为适应高分辨率、大尺寸的液晶(LCD)和有源有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,开发了一种新型的基于金属氧化物有源半导体材料的薄膜晶体管(MOTFT)驱动面板.文中阐述了MOTFT的材料、器件结构、制作工艺以及应用,并对影响MOTFT性能的因素进行了讨论.研发团队开发的MOTFT的迁移率最高可达21.6cm2/(V.s),阈值电压为1.63V,开关比为109,亚阈值摆幅为0.216 V/decade.基于该MOTFT驱动面板,在国内率先实现了5英寸彩色AMOLED显示屏.该MOTFT驱动面板具有迁移率高、制作工艺简单、成本较低以及容易实现大面积等优势,在LCD和AMOLED等新型显示领域具有广泛的应用前景.  相似文献   
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