首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   385篇
  免费   18篇
系统科学   1篇
丛书文集   13篇
教育与普及   6篇
现状及发展   9篇
综合类   374篇
  2023年   9篇
  2022年   8篇
  2021年   10篇
  2020年   5篇
  2019年   9篇
  2018年   24篇
  2017年   24篇
  2016年   17篇
  2015年   21篇
  2014年   16篇
  2013年   18篇
  2012年   13篇
  2011年   21篇
  2010年   26篇
  2009年   19篇
  2008年   22篇
  2007年   27篇
  2006年   27篇
  2005年   22篇
  2004年   16篇
  2003年   21篇
  2002年   16篇
  2001年   11篇
  2000年   1篇
排序方式: 共有403条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
掺杂对纳米ZnO粉末晶粒度和结构的影响   总被引:8,自引:3,他引:5  
研究了用化学共沉淀方法分别制备的掺杂Bi,Sb,Co,Cr,Mn和多元掺杂对纳米ZnO粉末晶粒度和相结构的影响,发现经500℃/h热处理后,掺Bi,Mn,Co和Cr的粉末晶粒度没有明显变化,而掺Sb的ZnO粉末晶粒度随Sb含量的增加而减小;掺Bi的粉末除主晶相ZnO外还有BiOCl相,掺Sb的粉末有主晶相和尖晶石相,所掺Mn,Co,Cr均固溶于主晶相ZnO;多元掺杂晶粒度均为30nm,相为主晶相和尖晶石相。  相似文献   
62.
采用正交试验设计、转矩流变仪共混、传递模压成型方法制备了苎麻/钛酸钾晶须/聚丙稀多元复合材料,并以拉伸强度和冲击韧性为指标进行了极差分析,在此基础上研制了苎麻/钛酸钾晶须(10%)/聚丙稀复合材料,并对其力学性能(含拉伸、弯曲、冲击等)进行了研究,利用扫描电镜对材料的断口进行了分析.结果表明:对复合材料拉伸和冲击强度影响大小的顺序为:钛酸钾晶须含量>苎麻含量>苎麻的表面处理;晶须能有效提高材料的拉伸和弯曲强度;在晶须含量一定的情况下,复合材料的拉伸强度、弯曲强度、冲击强度随苎麻含量的增加而提高.  相似文献   
63.
化学沉积Ni-Fe-P及Ni-Fe-P-B合金膜的结构和显微硬度   总被引:7,自引:0,他引:7  
利用X射线衍射方法研究了不同Na2H2PO2的质量浓度以及热处理温度条件下化学镀三元Ni-Fe-P和四元Ni-P-B镀层的结构,在温度为200-700℃范围内加热镀层产生结构变化,当热处理温度等于或低于400℃时,镀层的显微硬度随温度增加,这与从Ni-P-B镀层非晶基底中析出(Fe,Ni)固溶体,Ni3P相以及从Ni-P-B镀层(Fe,Ni)固溶体基底中析出Fe2B等相有关,热处理温度大于或等于500℃时,NiP,Fe3P,Fe2B等相析出,同时随温度增加颗粒逐渐粗化,引起镀层软化,在Ni-Fe-P镀层中加入KBH4,经300℃热处理引起镀层显微硬度增加,低于300℃热处理对镀层硬度影响不明显,该现象可由B与Ni-Fe固溶体基底形成了晶化相加以证实。  相似文献   
64.
MgH2-V体系解氢能力的第一原理计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于MgH2-5%(原子数分数)V机械合金化检测到VH0.81/MgH2相界的实验结果, 构建了一个VH/MgH2相界模型, 然后采用第一原理赝势平面波方法, 研究了V对MgH2解氢能力的影响及其电子作用机制. 结果显示: 合金化后形成的VH/MgH2相界比MgH2相的结构稳定性差, 表明VH相的存在能改善MgH2相的解氢能力. 电子态密度(DOS)和电子密度图的分析发现: V对MgH2相解氢能力的增强主要源于V诱导VH/MgH2相界Fermi能级EF处电子密度N(EF)的增加和EF附近HOMO-LUMO能隙ΔEH-L的消失, V对MgH2解氢动力学的催化作用可归因于V-H间电子相互作用比Mg-H间强, α-Mg形核在MgH2-V体系的VH/MgH2相界中比在MgH2相中容易.  相似文献   
65.
在半固态成形工艺中,对温度的波动幅度较小的初始固相率的选择是顺利实施半固态成形工艺的先决条件.借助计算机辅助热分析方法,通过试验研究镁合金AM60固相率与温度的关系,结果表明,镁合金AM60固相率对温度的变化极为敏感,当初始固相分数从20%过渡到30%,初始固相率波动幅度为(12.8%~19.2%)/℃;当初始固相分数从30%过渡到40%,初始固相率波动幅度为(7.8%~10.4%)/℃;当温度在577.9~589.9℃区间内,镁合金AM60固相分数则始终维持在62%上下.因此,镁合金AM60半固态成形工艺中,其合理的初始固相率为62%.  相似文献   
66.
分别采用鳞片石墨、生石油焦和煅后沥青焦为基体炭质原料,以酚醛树脂作为粘结剂,掺入定量SiC,B4C陶瓷相,通过模压成型(140MPa 1min)制备弥散型C-SiC-B4C复合材料.研究了原料种类及含量对C-SiC-B4C复合材料性能和显微结构的影响.研究表明:C-SiC-B4C复合材料的性能和显微结构与基体炭质原料的种类和含量有关,生焦的微观结构以流线型为主,以生石油焦为原料制备的复合材料抗压强度最高,达到226MPa;煅后沥青焦的显微结构以镶嵌型居多,制备的样品导电性较差,抗氧化能力最弱;以晶态鳞片石墨为原料制备的复合材料显示出了较低的电阻率和较好的抗氧化性能.  相似文献   
67.
以硅溶胶、炭黑、TiO2和B4C为原料,采用碳热还原法合成TiB2-SiC复合粉末.研究了反应温度、TiO2添加量对合成TiB2-SiC复合粉末的物相组成和显微形貌的影响;对反应过程进行了热力学分析和计算,并探讨了TiB2-SiC复合粉末的生长机理.结果表明:TiB2-SiC复合粉末适宜的合成条件为在1 600℃保温1h.在反应过程中,TiB2先于SiC生成,TiB2的生成改变了SiC的生长方式.当复合粉末中TiB2的质量分数为10%左右时,SiC的合成过程由气-固(V-S)反应转变为气-固(V-S)和气-气(V-V)共同反应,复合粉末主要由少量球状颗粒、短棒状颗粒以及大量的晶须组成.当体系中生成的TiB2质量分数(≥20%左右)较大时,生成的晶须数量减少,同时球状、片状和短棒状等结构颗粒明显增多,出现多样化结构并存的现象,SiC的生长仍然由V-S反应和V-V反应共同控制.  相似文献   
68.
采用金相显微镜、X射线衍射仪和透射电子显微镜研究了Fe-20Mn-2.6Al-2.6Si TRIP/TWIP钢在不同变形量下的微观组织变化.结果表明:在应变初期,主要是形成层错和位错;随应变的增大,γ奥氏体相逐渐减少,ε马氏体相和α马氏体相增多;在断裂阶段,主要组成相为α马氏体,即Fe-20Mn-2.6Al-2.6Si钢在拉伸变形过程中主要发生γ→ε→α或γ→α相变诱导塑性变形.金相组织表明:该钢变形量达到6.5%时,开始出现许多平直的条纹(通常称为形变孪晶);但高分辨透射电镜研究表明:不同程度变形后的微观组织都难以观察到形变孪晶,而那些金相组织和低倍透射电镜照片上的平直条纹往往是ε马氏体相,这进一步证实该钢的变形机制主要是TRIP效应.  相似文献   
69.
再结晶碳化硅(RSiC)是不含烧结助剂、经蒸发-凝聚传质机制得到的高纯碳化硅陶瓷,一直以来是高温领域的一种重要结构材料,然而伴随其烧结机制产生的低致密度、多孔性等问题制约了其更广泛的应用.本文围绕RSiC多孔且孔隙相互连通的结构特征,结合碳化硅的耐高温、耐腐蚀、抗热震等诸多优异性能,阐述了前驱体浸渍-裂解法与再结晶法相结合增密RSiC的原理和技术,介绍了RSiC的多孔化应用开发和评价,综述了熔渗法制备RSiC结构-功能一体化复合材料的进展,并对RSiC及其复合材料在新能源、环保、电子等领域的新应用进行了简要介绍.  相似文献   
70.
针对La_2Ce_2O_7抗烧结性能较差,La_2Zr_2O_7的热膨胀系数较低的性能特点,采用水热法合成了La_2Ce_2O_7内核,然后通过共沉淀法成功制备La_2Ce_2O_7@La_2Zr_2O_7核壳结构纳米粉体.将粉体预压成块,分别在1 100℃、1 300℃和1 500℃下进行了不同时间的烧结测试及在1 100~1 500℃烧结6 h以考察温度对其抗烧结性能的影响.采用扫描电镜、透射电镜、能谱仪分析了材料的形貌和成分,并测试了试样的密度和显微硬度.结果表明,La_2Ce_2O_7内核具有立方结构或八面体结构外形,粒径约200 nm. La_2Zr_2O_7壳层为非晶体,形成了包覆效果良好的La_2Ce_2O_7@La_2Zr_2O_7核壳结构.等温烧结时,核壳结构的密度变化率保持在2.1%以内,远低于La_2Ce_2O_7和La_2Zr_2O_7,孔隙和晶粒尺寸分布均匀,无裂纹和烧结现象出现.当烧结温度在1 300℃以内时,核壳结构组织均匀,多孔,密度变化率稳定在10.6%以内,晶粒尺寸约维持在450nm,晶粒长大速率与La_2Zr_2O_7接近,抗烧结性能良好;当烧结温度高于1 300℃时,核壳结构孔隙增大且晶粒迅速长大,致密化加快,晶粒长大速率也变快,与La_2Ce_2O_7接近,出现明显烧结现象;其显微硬度稍高于La_2Ce_2O_7,而远低于La_2Zr_2O_7.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号