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51.
采用光学显微镜、维氏硬度计和透射电子显微镜研究Al-Zn-Mg-Cu合金大变形热轧板退火过程中的组织演变和力学性能变化,探讨再结晶形核和长大机制,并通过分析位错和储存能变化规律研究动态回复对再结晶的影响。研究结果表明:Al-Zn-Mg-Cu合金在390℃热轧变形时,其主要软化机理为动态回复;当变形至90%时,其组织由直径为0.3~0.6μm的位错胞和亚晶组成,这种回复时发生的多边形化促进了随后退火过程中静态再结晶的进行。根据硬度曲线和组织分析确定总变形量为90%的Al-Zn-Mg-Cu热轧板再结晶起始温度为400℃,完全再结晶温度为420℃;超过450℃时再结晶晶粒明显长大,再结晶形核机制以亚晶合并形核为主。  相似文献   
52.
采用水热法在180℃下合成纳米级的尖晶石相的Ni0.6Zn0.4Fe2O4铁氧体材料,在空气中退火温度分别为600、800、1000℃.使用X射线衍射(XRD)、红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)分别表征NiZn铁氧体纳米粉体的相组成、微结构以及磁性能.XRD衍射谱和FTIR谱表明:未退火退火的纳米晶NiZn铁氧体皆为单一尖晶石相;退火温度对晶格常数基本无影响,主要提高了致密度以及使晶粒尺寸得到长大;样品的饱和磁化强度随着退火温度的提高逐渐增大到1 000℃时的58.75 emu/g;样品的矫顽力与未退火的样品相比,先增加后减小,其矫顽力主要取决于样品的微结构.  相似文献   
53.
针对非晶硅和有机薄膜晶体管的低迁移率问题,以高纯Zn为靶材,反应磁控溅射沉积、且在不同温度下退火的ZnO薄膜作为半导体活性层,成功地制备出基于ZnO材料的薄膜晶体管(ZnO-TFT),研究了退火温度对ZnO -TFT电特性的影响.结果表明:ZnO- TFT的载流子迁移率随退火温度的升高而明显增大,700℃退火的样品迁移...  相似文献   
54.
利用单辊快淬法制备宽0.35 mm,厚0.033 mm的Fe76Si7.6B9.5P5C1.9非晶薄带,具有明显的纵向巨磁阻抗效应,最大磁阻比达到754%.氮气保护条件下进行热处理的样品,最大阻抗比和灵敏度都有明显提高,440℃退火1 h的样品最大阻抗比达到1 196%,灵敏度为715%/(A·m-1).  相似文献   
55.
化学成分、非金属夹杂物、连铸坯等轴晶率、热轧、冷轧及和退火工艺都会对材料的深冲性能有较大的影响,结合山东泰山钢铁集团有限公司SUS430热轧不锈钢带的实际生产工艺水平,将研究重点放在了冷轧和退火工艺上.通过对比分析,最终得出使用退火的热轧板、酸洗后一次冷轧并把压下率控制在80%~85%可以使冷轧成品板退火后具有优良的深冲性能.  相似文献   
56.
在Finemet合金FeSiNbBCu系列的基础上,设计了Fe75.9Cu1Si13B8Nb1.5Mo0.5Dy0.1合金铁芯,用于研究铁芯的软磁性能.结果表明:Fe75.9Cu1Si13B8Nb1.5Mo0.5Dy0.1的工业化非晶合金带材在铸态下为完全的非晶态结构,真空退火后在非晶基体上析出了α-Fe纳米晶相.Fe...  相似文献   
57.
利用差示扫描量热法研究了铸态和退火态Zr65Al7.5Ni10Cu17.5金属玻璃在冷轧过程中的自由体积演化.随着塑性变形的进行,自由体积含量先增加,然后于临界应变之上达到饱和,在此过程中材料则始终维持在完全非晶状态.金属玻璃的初始自由体积含量少,变形过程中自由体积增加的速度大,因此不同初始状态的金属玻璃在大塑性变形后自由体积含量彼此接近.剪切带中的自由体积聚合形成纳米孔洞是自由体积在大应变下达到饱和的原因.  相似文献   
58.
采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺,在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡(Ba1-χsrχTiO3)薄膜,再在氧气氛中进行不同条件的退火处理,然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极,从而形成金属-绝缘体-氧化物-半导体(MIOS)双介质电容器结构.通过该薄膜电容器的充放电实验,研究薄膜的电荷存储特性.结果表明,该薄膜在不超过800℃下退火,其电荷存储能力主要与氧组分有关;氧空位越多,电荷存储能力越强.  相似文献   
59.
结合唐钢镀锌线退火炉的工艺特点,热模拟了退火工艺,检验了退火后带钢的力学性能和金相组织,为实际生产提供了理论依据。  相似文献   
60.
文章采用金相跟踪法研究了变形温度、变形程度及随后的退火方式对TC11钛合金显微组织的影响。  相似文献   
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