冷轧压下率分配对IF钢深冲性能的影响

冷轧压下率对IF钢的深冲性能有重要的影响。采用两次冷轧，在总压下率一定的情况下，两次冷轧压下率的分配是影响IF钢深冲性能的关键。通过冷轧实验，得出在总压下率一定时，两次冷轧比一次冷轧的塑性应变比r值要高；总压下率一定，一次冷轧压下率较小，两次冷轧压下率较大时，可使r值提高；同时，冷轧总压下率提高，也可使r值提高。     

氧退火对Ba1-χ Srχ TiO3薄膜电荷存储特性的影响

采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺,在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡(Ba1-χsrχTiO3)薄膜,再在氧气氛中进行不同条件的退火处理,然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极,从而形成金属-绝缘体-氧化物-半导体(MIOS)双介质电容器结构.通过该薄膜电容器的充放电实验,研究薄膜的电荷存储特性.结果表明,该薄膜在不超过800℃下退火,其电荷存储能力主要与氧组分有关;氧空位越多,电荷存储能力越强.     

L型连续退火炉退火工艺的模拟实验

结合唐钢镀锌线退火炉的工艺特点，热模拟了退火工艺，检验了退火后带钢的力学性能和金相组织，为实际生产提供了理论依据。     

可锻铸铁退火工艺的现状和发展

本文综述了我国可锻铸铁的生产状况和国内可锻铸铁生产中的各种退火新工艺,并重点介绍了盐浴加热快速退火新工艺以及它的配套措施。对可锻铸铁的退火工艺的发展方向及配套措施提出了自己的看法。     

α－Si：H快速退火电学性质的研究

对α－Ｓｉ：Ｈ材料作快速退火固体晶化工艺处理，Ｈａｌ效应测试表明：随着退火温度的增加，μＨ和σ逐渐增加．经８００℃，８ｍｉｎ退火后，样品电导率激活能０．１０４ｅＶ．     

施主态氧沉淀的微观分布

本文利用扩展电阻研究了低温退火及低-高温二步退火后P-CZ硅中新施主的微观分布。指出在新施主的氧沉淀界面模型下,通过扩展电阻法测量新施主的分布提供了确定氧的微小沉淀的一个灵敏的方法,其灵敏度取决于原始电阻率,新施主的分布可以通过讨论氧沉淀的分布,氧沉淀动力学过程以及晶体生长的液流模型得到解释。     

多晶硅一维MIS结构光位敏探测器的研制

以横向光伏效应为工作模式，采用氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）的快速退火固相晶化工艺，我们成功地研制了一维ＭＩＳ结构的多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）光位敏探测器（ＰＳＤｓ）．测试结果表明：该器件光响应峰位在６６０ｎｍ附近，峰位处光谱灵敏度为１×１０－３μＡ／μＷ，在２０ｍＷ／ｃｍ２光功率密度下，对７８０ｎｍ的近红外光其平均位敏度约０．２８ｍＶ／ｎｍ，与未经退火的α－Ｓｉ：Ｈ器件相比，光响应最大光位敏度为０．４６ｍＶ／ｎｍ，峰位红移６０ｎｍ，光谱灵敏度提高了１－２个数量级。     

e型枪热蒸法制备的非化学计量ZnO薄膜的结构性能

采用ｅ型电子枪热蒸技术，在不同条件下成功地制备了不同Ｏ／Ｚｎ比的非化学计量ＺｎＯ薄膜。利用系列物理手段，如ＸＰＳ，ＸＲＤ法对其结构性能进行了分析。结果表明，选择适当的基底温度及热处理温度可获得物理性能很好的非化学计量的ＺｎＯ薄膜。