FeNi基非晶薄带的巨磁阻抗效应研究

采用甩带快淬法制备了FeNi基[(Fe50Ni50)77.5Cr0.5Si11B11]软磁非晶薄带,测试与分析了FeNi基合金薄带的微结构、静磁性能和磁阻抗.结果表明:FeNi基合金薄带在快淬态便具有良好的软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应,薄带的几何尺寸对其GMI效应有明显影响,尺寸为宽2 mm,长20 mm的薄带具有最佳GMI效应,在5 MHz下,最大纵向GMI比达到25.0%,最大横向GMI比达到19.7%.讨论了最佳几何尺寸样品的磁阻抗比在不同的频率下随外加直流磁场的变化规律.     

Fe36 Co36 Nb4 Si4.8 B19.2合金带巨磁阻抗效应研究

在Fe36 Co36 Nb4 Si4.8 B19.2非晶合金中发现明显巨磁阻抗效应,最大磁阻比达到35．9％,并利用直流电流退火对样品进行热处理．实验表明：电流密度为35A／mm^2时退火600s灵敏度得到大幅提高,达到0．0067／（A·m^-1）;适当大小的张应力电流退火有效地提高了磁阻比幅度．     

气流对电流退火铁钴基薄带GMI效应的影响

在流动气体中,用焦耳热退火方法研究了单辊快淬技术制得的Fe36Co36Nb4Si4.8B19.2非晶薄带经32A/mm2电流退火10 min的巨磁阻抗效应.结果表明:保护气体的流速对材料的巨磁阻抗曲线有明显的影响,当保护气体的流速为1.8 m/s时出现了尖刺巨磁阻抗现象,灵敏度达到了最大值5 538%/(A.m-1).     

驱动频率对FeCo基磁环巨磁阻抗效应的影响

利用 Fe36Co36Nb4Si4.8B19.2(FeCo基)磁环样品,在不同电流驱动频率下进行了环向驱动巨磁阻抗效应(环向外磁场作用下)的研究.发现最佳巨磁阻抗比基本上在驱动频率为200 kHz附近出现,最大阻抗比峰值达到了286%.分析认为是样品材料磁结构的分层分布造成的.     

Ni80Fe20复合结构多层膜的巨磁阻抗效应研究

用磁控溅射法在载玻片上制备了(Ni₈₀Fe₂₀/SiO₂)_n/Cu/(SiO₂/Ni₈₀Fe₂₀)_n复合结构多层膜， 并对其巨磁阻抗效应进行了研究.研究结果表明，采用多组双层结构(n>1)后，样品的巨磁阻抗效应明显增大；当n=3时，观测到最大的纵向巨磁阻抗(LMI)效应为10.81%，最大的横向巨磁阻抗(TMI)效应为17.08%.当n=4,5时，巨磁阻抗效应比n=3时略有减小. 由XRD谱和磁滞回线等，研究了双层结构(Ni₈₀Fe₂₀/SiO₂)循环次数n引起的样品材料晶体结构和磁性能等变化，以及对样品巨磁阻抗效应的影响.     

FeCuNbSiB多层非晶薄带的压应力阻抗效应研究

采用单辊法制备宽3.2 mm厚25μm的Fe73.5Cu1Nb3S i13.5B9非晶薄带,利用4294A型阻抗分析仪测试了非晶薄带的应力阻抗效应。结果表明:当测试频率较低时,双层Fe73.5Cu1Nb3S i13.5B9非晶薄带的应力阻抗效应较弱,随着频率的升高,双层Fe73.5Cu1Nb3S i13.5B9非晶薄带的应力阻抗效应出现了明显的增强;多层非晶薄带的应力阻抗效应比单层的小。     

铁基双层非晶带材压磁效应的研究

采用单辊法制备了宽4.5mm厚25μm的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶带材,并利用4294A型阻抗分析仪测试了非晶带材的压磁效应.结果表明,随着频率和压应力的升高,Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶带材的压磁效应出现了明显的加强;双层非晶带材的压磁效应比单层的小,当测试频率为100MHz,测试压应力为2.72MPa时,单层非晶带材的压磁效应为33.03%,双层非晶带材的压磁效应为30.75%.     

铁基双层非晶带材压磁效应的研究

采用单辊法制备了宽4.5mm厚25μm的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶带材,并利用4294A型阻抗分析仪测试了非晶带材的压磁效应。结果表明,随着频率和压应力的升高,Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶带材的压磁效应出现了明显的加强;双层非晶带材的压磁效应比单层的小,当测试频率为100MHz,测试压应力为2.72MPa时,单层非晶带材的压磁效应为33.03%,双层非晶带材的压磁效应为30.75%。     

Ni80F20复合结构多层膜的巨磁阻抗效应研究

用磁控溅射法在载玻片上制备了(Ni80Fe20/SiO2)n/Cu/(SiO2/Ni80Fe20)n复合结构多层膜,并对其巨磁阻抗效应进行了研究.研究结果表明,采用多组双层结构(n＞1)后,样品的巨磁阻抗效应明显增大;当n=3时,观测到最大的纵向巨磁阻抗(LMI)效应为10.81%,最大的横向巨磁阻抗(TMI)效应为17.08%.当n=4,5时,巨磁阻抗效应比n=3时略有减小.由XRD谱和磁滞回线等,研究了双层结构(Ni80Fe20/SiO2)循环次数n引起的样品材料晶体结构和磁性能等变化,以及对样品巨磁阻抗效应的影响.     

CaCu3Ti4O12-xZnO陶瓷介电性能研究

采用传统陶瓷烧结方法,制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)-xZnO(x=0,0.05,0.20,0.60,1.00)陶瓷样品.应用X射线衍射仪及扫描电镜,分别确定了样品的物性和形貌.利用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗,研究了ZnO对CCTO材料的微观结构和介电性能的影响.结果表明:添加ZnO可促进CCTO晶界处小晶粒生长,抑制大晶粒生长,降低CCTO陶瓷样品高频范围的介电损耗.当x=1时,在1kHz～1MHz频率范围内,tanδ均小于1.1,并且可将陶瓷的压敏电压提高至100V/mm.这为优化CCTO材料性能、推进其在电容器方面的应用,提供了一定的实验依据.     

非晶合金变压器设备选型的探讨

阐述了干式非晶合金变压器的特点,分析了无储油柜非晶合金全密封变压器可能出现的隐患,提出了优化的选型方案。     

非晶硅锗薄膜太阳能电池研究

介绍了薄膜电池的制备技术及发展进程. 采用射频等离子体加强气相沉积法（PECVD）,制备了非晶锗硅薄膜,提出了制备优质非晶锗硅薄膜的条件和非晶锗硅薄膜的基本性质及其制备工艺中存在的问题和解决方案.     

α-SiC和α-SiC:H体系的电子态

本文用EHT方法计算a-SiC和a-SiC:H体系的电子态.得到的结果表明,由悬挂键引起的禁带中的电子态可因氢原子饱和而消失,与实验结果相符.     

熔态合金急冷非晶化转变与深过冷非晶化转变

比较了合金的急冷非晶化转变与深过冷非晶化转变技术及机理,讨论了深过冷技术及合金的非晶形成能力的影响要素并提出“△Tm原子集团(cluster)结构孕育温区”这一新概念．综合热力学、晶化动力学以及合金组织结构三个方面对合金的非晶形成能力及其机理进行探讨并指出尚需努力的方向．     

估算单辊甩带法制备镁基非晶薄带的冷却速度

临界冷却速度是表征非晶态合金非晶形成能力的一个重要参数,但是正确地测量和估算非晶态合金形成时的冷却速度却十分困难.结合热传导理论和凝固理论,单辊甩带过程的热传输可以用一维傅立叶热传导方程描述.通过对热传导方程的数学解析求解,具体计算了单辊甩带法制备镁基非晶薄带的冷却速度,得到了铜辊制备50μm厚镁薄带的自由侧在凝固结束时的冷却速度为5.84×106K/s,这与早期人们预测的单辊甩带法的冷却速度相当.     

非晶AlNiZr合金成分的优化

为了解决铝基非晶合金在形成过程中容易析出α-Al晶体导致玻璃形成能力较低且不易评估的问题,设计了简单易行的玻璃形成能力评估方法,对非晶AlNiZr合金成分进行优化。首先,制备9种不同组分的AlNiZr合金铸锭;然后,在相同制备条件下,用单辊甩带法制备不同组分的合金薄带;最后,采用X射线衍射仪对薄带进行XRD表征,基于XRD结果拟合计算合金薄带的非晶含量。结果表明:在合金组分Al_(100-x-y)Ni_xZr_y中,随着Ni含量的增加玻璃形成能力提高,随着Zr含量的增加玻璃形能力成降低;当Zr含量为3%时,进一步增加Ni含量达到20%和25%,合金的玻璃形成能力降低,Al_(82)Ni_(15)Zr_3具有更好的玻璃形成能力。通过对非晶AlNiZr合金成分的优化,可以为不含稀土元素的铝基合金的玻璃形成能力评估提供新的方法,拓展其在设备防护领域的应用空间。     

电镀Ni—P非晶合金的研制

本文研究了在电沉积过程中阴极超电位与形成非晶态的关系。实验结果表明,在阴极极化曲线的平台处易产生非晶态。还讨论了电沉积条件对形成非晶态镀层的影响。在较高的镀液温度,低的pH值及适当的电流密度的条件下,镀液中H_3Po_3含量达到一定的比值,镀层易形成非晶态。镀液中H_3PO_3含量越高,镀层中的磷含量越高,当磷含量超过9％时形成非晶态,且镀层的耐蚀性随其磷含量的增加而增强。热处理温度对镀层的影响也做了检验。     

非晶半导体中 S-W 效应的范氏键模型

本文给出了硅基非晶态半导体 Staeber-Wronski 效应(SWE)的范氏键模型,该模型认为硅基非晶态半导体的光致变化是网络内范氏键光致断裂引入的隙态所致。     

非晶态电力变压器及其近期发展

介绍了以非晶态合金材料为铁心的电力变压器的结构和特性；阐明了非晶态铁心材料的种类，性能及其开发情况；综述了国内外在非晶态电力变压器方面的最新发展．     

块体非晶合金的应用与研究进展

综述了块体非晶合金的发展历史、主要特性及其应用,详细介绍了块体非晶合金的制备技术、国内外的研究现状和目前存在的问题,对今后研究与发展的方向进行了展望。基于块体非晶合金具有诸多优良的特性,其必将在社会各个领域得到广泛的应用。