p-i-n型非晶硅薄膜电池p层材料制备及光学性能研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)薄膜材料,借助紫外可见(UV-Vis)光谱、激光拉曼(Raman)光谱和傅里叶变换红外(FTIR)光谱等手段,研究了p-i-n型非晶硅(a-Si:H)薄膜太阳能电池p层a-SiC:H薄膜材料的制备与光学性能.研究结果表明甲烷和硅烷掺杂比能影响a-Si:H薄膜成键情况,而射频功率一定程度上能影响薄膜沉积速率,该研究结果可为制备转换效率高、性能稳定的p-i-n型非晶硅薄膜太阳能电池提供支持.     

β-SiC陶瓷材料增韧机制的分子动力学模拟

采用分子动力学模拟了纳晶β-SiC材料在不同晶粒尺寸和应变率下的力学行为以及β-SiC纳米多层复合结构的增韧特性.模拟中分别采用Nosé-Hoover方法和Berendsen方法控制温度和压力,采用Tersoff多体原子势函数描述β-SiC中碳、硅原子间的相互作用.结果表明:在低应变率条件下,小晶粒的纳晶β-SiC的主要破坏方式为晶粒破裂成非晶团簇,非晶团簇和晶界的相互作用提高了纳晶的延展性;而大晶粒的纳晶β-SiC以晶界断裂为主,表现为脆性破坏.在高应变率条件下,不同晶粒尺寸的纳晶β-SiC均能表现出延展性.对于非晶夹层复合结构,厚度较小的纳米非晶层能有效地提高复合结构的屈服应变,并出现类似于塑性流动的性质,有利于增强材料的韧性.     

热压烧结α-SiC陶瓷基复合材料力学性能的研究

以α-SiC为原始粉体,采用1 800℃热压烧结工艺制备了BAS/SiC复合材料.利用阿基米德排水法、XRD、SEM、三点弯曲和单边切口梁法等分析测试手段研究了复合材料的致密度、物相组成、断口形貌及室温力学性能.实验结果表明,随着BAS含量的增加,复合材料的致密度增大,其相应的力学性能也有很大的提高.而复合材料的物相不受BAS含量的影响,只有六方BAS和α-SiC两相组成.     

煤矸石制β-SiC调节α-SiC的导电性能研究

用煤研石低温合成制取的β－ＳｉＣ微粉来调节α－ＳｉＣ的非线性导电性能，取得了良好效果。讨论了β－ＳｉＣ的导电机理和粒度、含量对α－ＳｉＣ非线性导电性能的影响。指出了有可能用β－ＳｉＣ代替α－ＳｉＣ作防晕材料，从而使材料成本大大降低。     

CF2自由基电子激发态解离通道的静力学分析

本文根据原子分子反应静力学的基本原理,利用对称性关联的方向性原则,研究了三原子CF2体系的可能解离通道.在轨道和自旋规则限制下,得到了母体自由基特定电子态与解离碎片电子态之间的对应关系,并具体给出了CF2自由基在不同电子态下可能的解离通道.     

K2分子A1∑+u电子态的高能级振动能谱和离解能的精确研究

K2分子的各电子态的能谱研究以及分子离解能的研究很活跃,也具有很重要的意义,然而对K2分子的多数电子态,用实验的方法一般只能获得低振动能级的能谱,对于高阶振动能谱,实验是很难获得的,从而用实验的方法来获得各电子态的完全振动能谱是很困难的.利用文献中实验测得的低阶振动能谱,运用SUN、REN等人提出的代数方法(AM)获得了K2分子A1∑ u电子态的高能级振动能谱,从而得到电子态的完全振动能谱,进而得到比较精确的离解能的理论值.     

三维晶体非理想表面的电子态密度

本文利用双时格林函数方法,讨论三维晶体非理想表面对电子态密度的影响,分析了提高电子态密度的条件.     

NaK分子31Ⅱ电子态的高能级振动能谱和离解能的理论研究

NaK分子的各电子态的能谱研究以及分子离解能的研究很活跃,也具有很重要的意义.利用SUN、REN等人提出的代数方法(AM)和文献中实验测得的低阶振动能谱,获得了NaK分子31Ⅱ电子态的高能级振动能谱,从而得到电子态的完全振动能谱,进而得到比较精确的离解能的理论值.     

添加β-SiC对固相烧结α-SiC陶瓷性能的影响

该文以B4C和酚醛树脂为烧结助剂,研究了不同β-SiC(立方SiC)添加量对固相烧结α-SiC陶瓷性能的影响,确定了β-SiC最佳添加量。通过XRD、SEM和密度等测试分析表明,β-SiC在烧结过程中全部转化为6Hα-SiC,β-SiC的加入量为15%时烧结体的组织结构最为致密,烧结体体积密度达到3.13g/cm3。     

一维三元Ⅱ型准晶电子态的局域化

研究了Fujita和Niizeki用高维投影法构造的一种一维三元Ⅱ型准晶的电子波函数的性质.波函数二阶矩的数值结果表明,绝大多数的电子态都是局域化的.对几个典型的波函数进行直接观察和进一步多分形分析后确认,在准晶极限,所有的电子态都是局域化的.     

BN+，BN-分子电子态能量及光谱常数的ab initio计算

选用STO-4G双Zeta扩展基组,用单组态自洽场方法计算了分子轨道,然后作较大规模的组态相互作用计算,得到分子电子态的能量,并与分子的离解产物原子进行比较,进而计算出电子态的各光谱常数.对于BN     

用新公式精确研究碱金属分子电子态的离解能

使用W.G.Sun等(J.Mol.Spectrosc.,2002,215:93-105.)提出的基于微扰理论的代数方法(AM),研究了碱金属异核双原子分子NaLi的A1Σ+,NaK的X1Σ+、c3Σ+,KRb的21Π等4个电子态的离解能;然后使用最近提出的新公式计算了这些电子态的离解能,并分别与实验值进行了比较.理论计算结果表明:使用新公式得到的分子离解能与实验值非常吻合.对那些还没有离解能实验数据的电子态,该公式提供了一种推测其离解能的新方法.     

NO分子通过中间共振态C2Σ态的共振增强多光子离化光谱

利用激光光谱技术得到NO分子经由电子态C2Σ←X2Π跃迁的多光子共振离化光谱.NO分子通过中间共振电子态C2Σ,实现了五光子共振离化过程. 根据实验计算得到了NO分子C2Σ态平衡位置的力常数k=(2.44±0.08)×103 N·m-1.     

负脉冲电晕放电氮气激发电子态的有效振动温度测量

依据荧光发射强度正比于激发态粒子数原理,通过测量同一激发电子态不同振动能级所发射荧光的相对强度,得到了大气情况下负脉冲电晕放电N2激发电子态C3Ⅱu的有效振动温度.在此基础上,对N2激发电子态C3Ⅱu的有效振动温度随负脉冲电晕放电的峰值电压、样品气压的变化进行了实验研究.结果表明,有效振动温度随放电电压和样品气压的变化规律呈现出先升高而后降低的现象,这是因为电子碰撞激发截面不仅与电子能量有关,而且还与电子运动速度有关.     

高压下α-Al2O3电子结构和光学性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法结合局域密度近似(LDA),研究了高压下α - Al2O3(corundum)的能带结构、电子态密度分布和光学性质,解释了已经报道的实验结果,且进一步研究了α - Al2O3的其他物理参数随外压力的变化规律.     

低维量子系统中电子态的数值解法

在有效质量近似下,讨论GaN基低维量子系统(包括量子线和量子点)中电子态的数值求解方法.首先,在无限深势阱近似时,由薛定谔方程解得量子线和量子点中单电子波函数的解析解,分别为贝塞尔函数和球贝塞尔函数,并获得本征能级的解析表达式;然后,通过有限元差分法,数值求解单电子的本征能级和本征态.对比发现,数值求解方法与解析解获得的电子波函数和本征能量在误差允许范围内相等.这说明有限元差分方法求解低维量子系统中电子态的可行性,并可进一步推广到有限高势有限厚垒结构中电子态的求解.最后,计算和讨论不同组分下纤锌矿InxGa1-xN/GaN核壳结构量子线和量子点中的电子态.     

Pu_4~+在D_(4h)结构下的红外-拉曼活性及电声耦合的群论分析

利用群论方法分析了Pu4+在D4h结构下振动模式,以及红外-拉曼活性,并且讨论了在以f轨道为基函数下可能存在的电声耦合及其杨-泰勒效应.结果表明,可能发生的杨-泰勒效应系统是Eub1g系统,或者Eub2g系统,或者Eu(b1g+b2g)系统.Eub1g畸变导致Pu4+分子从D4h的正方形结构降低到D2h对称性的菱形D2h结构,Eub2g畸变导致体系变化到矩形的D2h结构.这两种变化导致电子态从Eu分裂为B2u+B3u2个电子态.Eu(b1g+b2g)畸变导致体系变化到菱形的C2h结构,而电子态则分裂为2个Bu电子态.     

BC2N纳米管的电子态和电学性质

采用ROHF对BC2N纳米管进行构型全优化,并用密度泛函理论的DFT/ROB3LYP方法计算了BC2N纳米管的电子态分布.根据其分子轨道能量数据、电子态分布曲线和成键电子云密度分布图形,研究讨论了掺入硼氮对碳纳米管导电性的影响,并与碳纳米管和硼氮纳米管作了比较.     

N2分子部分电子态的完全振动能谱和分子离解能的精确研究

对于大多数双原子分子的电子态, 往往很难直接用现代实验技术或精确的量子理论方法获得体系精确的全部高激发态振动能级和分子离解能D_e, 而且从理论上推导分子离解能的精确解析表达式也很困难. 以LeRoy和Bernstein基于WKB理论的能量表达式为基础, 建立了计算精确分子离解能的新解析表达式. 并用作者最近建立的代数方法(AM) 获得了N₂分子部分电子态的包含所有高振动激发态的完全振动能谱, 进而将AM完全振动能谱与建立的新解析表达式相结合, 计算了这些电子态的精确分子离解能. 研究表明: AM方法和新的离解能解析表达式优势互补, 获得的结果与实验值符合得非常好, 从而在理论上提供了计算双原子分子电子态的精确分子离解能的一个物理新方法.     

强场驱动下 ClO基共振增强多光子电离的含时理论研究

采用含时波包方法中的劈裂算符方案模拟了强场下ClO蕈涉及一个激发态C2∑-的(2+1)共振增强多光子电离过程.模拟得到了光电子能谱、粒子在各电子态上的布居以及波包在各电子态不同振动态上的投影.通过"三态模型"计算的结果与实验结果符合得很好.