安全可信的电子印章体系与关键技术研究

电子印章作为法定物理印章在网络空间中的延伸,具有同等的法律效力。进入"互联网+政务服务"的新时代,电子印章在政务管理和社会治理中的作用已得到国家的高度认可。然而,当前电子印章还面临缺少权威根节点、互信互验以及统一监管的需求和挑战,亟需顶层设计。基于对电子印章的系统性分析,首次提出了信息化电子印章和法定安全可信印章分类,完善了具有兼容性的电子印章数据格式和协议设计,创新性地设计了"公安体系化制章,社会服务化用章"的电子印章新架构,提出了印章载体USB-Key签章模式、印章集中服务签章模式、骑缝章技术、批量签章技术、移动终端云签技术、信息化印章升级技术等应用模式与关键技术,对国家电子印章体系的规划建设及相关产品的研制具有重要的参考价值。     

基于LabVIEW的分布式驱动电动车辆测控平台

为了研究轮毂电机驱动电动汽车的操纵稳定性,设计开发一款具有4轮转向和4轮驱动的电动车辆试验平台,基于LabVIEW开发了试验平台的测控系统。针对直线加速和方向盘角阶跃输入等试验工况,利用该样车平台进行了控制算法的快速控制原型和道路试验测试研究,并对电子差速算法实验结果进行分析。试验结果表明,该平台能够进行电子差速和车辆操纵稳定性测试,满足设计功能要求,能验证控制策略的有效性以及评估控制算法的优劣性,为分布式驱动电动车辆的控制算法开发及其操纵稳定性分析评估奠定了良好的基础。     

人参纯露挥发性化学成分分析

采用水蒸气蒸馏法提取人参纯露,顶空固相微萃取技术处理样品,采用气相色谱/质谱联用法,从人参纯露中分离鉴定37种化合物。其中鉴定出烃类(13种,9.86%)、酮类(1种,0.42%)、醇类(5种,29.87%)、酚类(1种,0.38%)、酯类(1种,0.28%)、醚类(1种,1.67%)、醛类(10种,6.66%)、元素有机化合物(2种,0.44%)、苯胺类(1种,1.46%)、硝基类(2种,18.59%)10大类化合物(百分数为化合物含量),这些数据为人参纯露开发提供了科学信息。     

原子非简谐振动对石墨烯吸附系统电荷分布的影响

建立了石墨烯吸附原子系统的物理模型,考虑到原子的非简谐振动和电子-声子相互作用,计算了吸附原子与石墨烯原子的相互作用能,用统计物理理论和方法,得到在石墨烯上吸附原子的概率和金属原子电荷填充数随温度变化的解析表示式.以碱金属为例,探讨了电子-声子相互作用和原子非简谐振动对电荷填充数的影响.结果表明:石墨烯吸附系统的电荷填充数随吸附原子距离的增大而线性地减小,随温度的升高和电子-声子相互作用能的增大而非线性地增大;若不考虑非简谐振动,则电荷填充数与位置、温度等无关.温度愈高、电子-声子相互作用能愈小,非简谐效应愈显著.     

放电功率对微晶硅薄膜的晶化调控及光电性质的影响

以SiCl_4和H_2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在不同放电功率下沉积微晶硅薄膜,通过调节放电功率实现了微晶硅薄膜的晶化调控和光电性质的优化,并利用Langmuir探针和质谱计分别对等离子体空间的电子特性和中性基团进行在线检测,初步探讨了成膜的微观机理.     

掺杂与应力对ZrO2薄膜电子结构和光学性质的影响

利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法系统地研究了掺杂和应力对ZrO_2薄膜的电子结构与光学性质的影响.本文首先研究了Hf原子替代掺杂对ZrO_2薄膜物性的影响,研究结果表明,Hf原子掺杂减小了ZrO_2薄膜的带隙和态密度大小,可在一定程度上降低其表面缺陷电荷和漏电流.掺杂Hf原子后介电峰和吸收峰的值明显下降,同时介电峰和吸收峰的波形均出现了窄化现象,半高宽显著减小.本文也着重研究了不同应力下四方晶相ZrO_2薄膜物理性质变化及规律.研究发现压应力显著调控了ZrO_2薄膜的带隙以及价带顶和导带底附近的能带结构.施加应力后吸收峰的吸收范围和强度均显著增大,峰值对应的光子能量蓝移则表明对紫外光的吸收随着应力的增加有所增强.在低能量红外和可见光区域,施加压应力后ZrO_2薄膜的折射率变大,但在紫外线区域,压应力使ZrO_2薄膜的折射率呈现出先增大后减小的波动特性.上述研究结果为ZrO_2薄膜材料的设计与应用提供了理论依据.     

飞秒激光辐照CuZr非晶合金损伤动力学研究

采用考虑了电子压强梯度的双温分子动力学方法,研究了纳米CuZr非晶合金薄膜在脉宽为100 fs,能量密度为0.08～0.16 J/cm~2的飞秒激光辐照下的烧蚀动力学过程.结果表明,低能量密度下,电子压强梯度对靶材的结构损伤过程影响很小.高能量密度下,电子压强梯度对靶材内部的电子温度和晶格温度演化场产生了显著的影响,CuZr非晶合金薄膜的结构存在皮秒量级的由电子压强梯度诱导的非热烧蚀过程,并且随着能流密度的增大,这一超快的非热烧蚀过程在时间尺度上会得到提前.     

Si原子轰击石墨烯形成取代结构的带隙研究

石墨烯是零带隙半导体材料,无法在半导体领域直接应用。因此,本文采用基于第一性原理的密度泛函理论超软雁势平面波方法计算Si原子轰击石墨烯形成取代结构的能带结构希望能打开石墨烯的带隙。首先验证了石墨烯本身的带隙,模拟数据表明石墨烯具有零带隙的性质。然后采用lammps软件模拟Si原子轰击石墨烯中的C原子,在一定范围的轰击速度下(153～597/fs),Si原子轰击并取代石墨烯中C原子形成了石墨烯型SiC的取代结构。在相同的速度下,用不同数目的 Si原子分别轰击石墨烯得到不同的取代结构,把其导入到MS中,用CASTEP模块分别设置相同的参数进行几何优化并计算这些取代物的能带结构。结果表明,Si原子轰击石墨烯形成的取代结构具有禁带宽度,打开了石墨烯的带隙。为实现精准调控石墨烯带隙打下了基础。     

Co掺杂GaSb电子结构和磁特性的第一性原理研究

运用基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)框架下的第一性原理计算方法,研究了Co掺杂GaSb半导体的电子结构和磁特性,交换关联泛函采用局域密度近似(Local Density Approximation,LDA),通过U的引入对Ga-d电子和Sb-p电子的库仑作用势能进行修正,计算得到GaSb的禁带宽度和晶格常数与实验值相符.计算结果表明,Co替代Ga(Co@Ga)缺陷可以产生2μ_B的局域磁矩,而Co替代Sb(Co@Sb)缺陷对体系的局域磁矩没有贡献.Co@Ga产生局域磁矩之间的耦合为铁磁耦合,其居里温度的理论计算值高达410 K.对Co掺杂GaSb半导体的铁磁耦合机制进行了解释,为实验上制备GaSb基铁磁性半导体提供了理论依据.