断层破碎带影响下隧道的震害分析

断层破碎带对隧道震害影响巨大,利用FLAC3D数值计算方法,研究了不同空间方位断层破碎带影响下隧道的地震破坏规律。研究结果表明:含断层破碎带是隧道震害发生的主要影响因素;在相交断层破碎带处,与隧道横断面大角度相交的工况比小角度相交的工况不利,且破坏的部位发生在与断层破碎带相交的位置;在非相交断层破碎带处,倾角为30°的工况最不利,且隧道破坏发生在左边墙肩部和右边墙角部,位于地震波输入的水平和竖直扰动的剪切波和疏密波的合力方向。     

含零元的同余自由正则半群的一个注记

设S是一正则半群,E(S)为正则半群S上的幂等元集。通过建立S上的几种集合关系,得到了判断含零元同余自由正则半群的新方法。     

同课异构课题研究在我校不同专业英语教学中的研究成果与分析

各职业学校有不同的专业,不同专业的学生,在英语学习过程中有不同的需求,在教学过程中,根据学生专业特点,采用不同的教学方法,形成特色教学,达成不同的教学目标,并以不同的考试方式,考察学生的学习成果,从而调动学生的学习积极性,也调动老师的教研积极性,大家在课题活动中交流自己的新想法,在我校英语老师形成了集体备课,相互听课,及时总结、反思的教研风气。     

随机跳频压缩感知雷达动态高分辨距离成像

针对实际中难以事先确定随机跳频压缩感知雷达所需脉冲数的问题,设计一种高分辨距离像动态合成策略。该策略的核心是序贯发射和接收跳频脉冲,同时用接收数据序贯更新对目标距离像的估计,直至满足设定的停止条件为止。为实现快速序贯更新,提出一种高效的复数域同伦算法。该算法实现快速递归稀疏恢复,避免每次加入一个新的观测时都要求解一个新的优化问题。此外,利用距离像的相关性特征,给出一种合理的停止准则。研究结果表明:采用所提出的动态合成策略,能够利用雷达回波信号自适应地确定最优脉冲数,在非合作运动目标成像方面具有显著优势。     

扇三角洲沉积高分辨率层序对比及其对油藏开发的指导意义:以柳北油田Ⅳ_2砂组为例

以柳北油田Ⅳ2砂组为例,应用高分辨率层序地层学原理,以分级控制、模式指导、相控约束为对比方法,重建研究区扇三角洲高分辨率层序地层格架,并指出其对油田开发的指导意义。研究结果表明:中期旋回是受强烈构造活动产生的异旋回,其基准面的变化使得不同期次的沉积地层中微量元素、放射性等存在明显差异,造成Ⅳ2砂组顶界面上下自然伽马存在具有等时意义的拐点;短期旋回是自旋回或受自旋回干扰的异旋回,其基准面的变化造成不同期次间存在明显前积现象,前积角度为2°~5°,且层序地层自下而上倾角逐渐减小;超短期旋回是自旋回,其基准面的变化造成砂体叠置方式呈独立型、叠加型和切叠型,受水动力条件的控制,扇三角洲砂体往往以叠加型和切叠型2种叠置模式为主;短期旋回(小层)规模的注采关系不完善,导致剩余油分布。     

福山凹陷南部缓坡流沙港组坡折带特征及对沉积、油气成藏的控制

分析坡折带的油源条件、储集条件、输导条件、封盖条件与圈闭条件,并对不同沉积时期不同坡折背景下的隐蔽油气藏类型及分布进行预测。研究结果表明,受海南隆起持续隆升和中部凹陷区持续沉降,及福山凹陷非对称拉伸应力的控制,在流沙港组沉积期,福山凹陷南部缓坡东、西部形成不同的坡折带类型:即西部受美台断层控制的断裂坡折带,东部受南部缓坡古地形控制的挠曲坡折带。南部缓坡坡折带控沉积作用受湖平面变化及物源供给的影响显著,流二段沉积期控制作用弱,到流一段沉积时期显著增强,坡折背景下流一段低位期和流二段的浊积体形成机理、发育规模及展布样式也存在差异;因坡度、坡折面延伸规模及坡降产生的可容纳空间大小的不同,断裂坡折带和挠曲坡折带控制了不同扇体发育规模及沉积相带纵向分异特征。南部缓坡坡折带是形成隐蔽油气藏富集带的有利地区。该研究结果将为福山凹陷油气藏勘探部署提供科学意见。     

不同成分和结构的CoCu纳米线阵列的沉积规律

利用直流电化学沉积法通过调节沉积参数在多孔阳极氧化铝模板中沉积制备出了一系列不同成分和结构的磁性Co Cu纳米线阵列。XRD和TEM的结果显示,沉积溶液的p H值对纳米线的成分比例和相结构的影响表现出了明显的规律性。笔者认为p H值对纳米线成分比例和相结构的控制主要源于它对溶液中Co2+沉积速率的影响。基于此沉积规律,沉积出了立方结构与六角结构共存的复相结构的Co Cu纳米线。由于复相结构的Co Cu纳米线中包含较多的相边界,因此它们具有远好于单相结构Co Cu纳米线的磁性,其矫顽力和剩磁比均是单相结构纳米线的3倍。     

La/V2O5复合电极材料的制备及电容性能研究

采用电化学沉积和高温热氧化法制备了La/V2O5复合电极材料.研究了电位范围、扫描速度和焙烧温度及La掺杂量对样品的影响.利用SEM,EDS和循环伏安法对所制备的复合电极的形貌、组成及电化学性能进行分析、表征.结果表明,所制备的La/V2O5复合材料主要由V、O、La组成;V2O5粒子形成层状结构,La弥散分布在层状结构的间隙处.电化学测试结果表明,煅烧3 h温度为200℃所得的样品在电位范围为0.2~1.0 V,扫描速度为0.1 mV/s的2 mol/L KCl溶液中复合电极的电容性比纯的V2O5明显提高,且La含量为0.005 g时比电容提高了51%.经1000次循环后,循环稳定性较好且容量衰减仅为初始容量的10.3%,适于作超级电容器电极正极材料.     

单双层石墨烯的制备及电导特性调控

石墨烯二维材料有着优异的物理、化学特性,在多个科学领域展现出广阔的应用前景.采用化学气相沉积方法在Cu-Ni合金表面制备了二维石墨烯薄膜并揭示其生长机制;研究生长时间、温度等对石墨烯覆盖度和晶格质量的影响.通过优化生长条件,成功制备了大面积单层及具有强烈层间耦合作用的AB堆叠双层石墨烯薄膜.进一步运用表面沉积技术在单层石墨烯上构建零维Au团簇和二维Au薄膜,研究其对石墨烯电导特性的影响;并结合第一性原理计算,揭示Au的形态及覆盖度影响石墨烯电导特性的规律.据此制作了石墨烯场效应晶体管器件,通过精确控制Au的覆盖度,实现石墨烯电导类型和载流子浓度的有效调控,拓展了其在微电子领域的应用.     

MEVVA离子束技术的发展及应用

金属蒸汽真空弧放电能够产生高密度的金属等离子体.通过二或三电极引出系统,可以把金属等离子体中的金属离子引出,并加速成为载能的金属离子束,这是MEVVA离子源技术.将载能离子束用于离子注入,可以实现材料表面改性.经过MEVVA源离子注入处理的工具和零部件,改性效果显著,因此MEVVA离子源在离子注入材料表面改性技术中得到很好的应用.另一方面,利用弯曲磁场把等离子体导向到视线外的真空靶室中的同时,过滤掉真空弧产生的液滴(大颗粒),当工件加上适当的负偏压时,等离子体中的离子在工件表面沉积,可以得到高质量的、平整致密的薄膜,称为磁过滤等离子体沉积.是一种先进的薄膜制备的新技术.此外,将MEVVA离子注入与磁过滤等离子体沉积相结合的复合技术,可以首先用离子注入的方法改变基材表面的性能,再用磁过滤等离子体沉积的方法制备薄膜,可以极大的增强薄膜与基材的结合强度,得到性能极佳的薄膜.适用于基材与薄膜性能差别大,结合不易的情况(例如陶瓷、玻璃表面制备金属膜).本文简要介绍了MEVVA离子注入技术、磁过滤等离子体沉积技术和MEVVA复合技术的发展和应用状况.