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41.
通过理论解析研究了电磁场引起铸造过程中温度场改变的原因,并通过在铸造过程中连续测温的方法进行了实验验证.结果表明,低频电磁铸造对温度场产生影响的主要原因是低频电磁场引起熔体强制对流.强制对流对熔体产生强烈的搅拌作用,促进了熔体内部的热交换,加强了熔体与结晶器壁(石墨环)以及熔体和固液界面的传热,使熔体温度场非常均匀,接近于同一温度.研究还发现,低频电磁铸造过程对浇注温度不敏感,改变浇注温度,结晶器内熔体温度变化不大. 相似文献
42.
用X射线衍射方法,对采用固相反应方法制备的(Ba0.2Sr0.8)1-1.15yGdyTil-0.5xZnxO3(x=0.03864,y=0,0.04,0.05,O.06)系列陶瓷样品的物相、结构和晶粒尺寸进行测量与分析,结果表明:(1)当Gd3’含量y〈0.04时,(Ba0.2Sr0.8)1-1.15yGdyTil-0.5xZnxO3的晶体结构分别属于空间群P432(207)、P23(195)的立方晶系,晶胞体积随y增加而略有减小(-0.6%);(2)当v=0.05,0.06时,晶体结构变为属于空间群P4/n(85)、P41(76)的四方晶系,晶胞体积减小量较大(-2.7%);(3)该系列样品主要是由尺寸在441-1222A晶粒堆砌而成的晶相单一的陶瓷. 相似文献
43.
向Q235钢中分别添加质量分数为0.1%,0.3%,0.5%,0.7%,0.9%,尺寸为40~50nm的ZrO2纳米粒子,在相同条件下冶炼和轧制,采用金相显微镜、扫描电镜等进行分析,对其晶粒细化机制进行研究。结果表明:ZrO2颗粒在钢凝固结晶和轧制变形过程中起到形核核心和再结晶核心的作用,晶粒细化效果显著;添加ZrO2粒子的质量分数为0.3%时,铸造和热轧后晶粒最细小,尺寸分别为11.55μm和4.50μm。 相似文献
44.
利用EBSD技术对不同形变量冷轧并退火处理的316奥氏体不锈钢的晶界特征分布进行了研究.结果发现,小变形轧制经退火处理后,试样晶粒尺寸明显长大的同时∑3^n(n=1,2,3)晶界(也称特殊晶界)比例不断提高.晶粒取向分析表明,合金中高斯(Goss)、黄铜(Brass)、铜型(Cop—per)和立方(Cube)取向(包括其几何变体)的择优长大是特殊晶界比例提高的重要原因. 相似文献
45.
在水平集方法对运动界面进行追踪的过程中,利用自适应笛卡尔网格可以在水平集演化的关键区域对网格进行自动细化.水平集方程每个时间步求解后,细化区域和粗化区域的选择是决定迭代求解效率的一个重要因素,由于不同细化级别边界处的节点部分缺少同级别的邻接点,加大了求解水平集演化方程中偏微分近似解的复杂度.提出一种优化后的笛卡尔自适应... 相似文献
46.
贾哲 《太原科技大学学报》2010,31(6)
对改进的OPTA算法和指纹细节特征点提取算法进行了详细的研究,针对改进的OPTA算法产生的细化不全和毛刺较多的问题,提出了一种可变的消除模版和矫正消除模版;针对指纹细节特征点提取算法产生的大量伪特征点问题,提出了边缘信息判别法,有效地去除了边界伪特征点。实验证明,本文的方法简单快速,而且具有较高的准确率。 相似文献
47.
Sobel边缘检测的细化 总被引:1,自引:0,他引:1
边缘检测是数字图像处理中基础而又重要的课题,Sobel算子是图像边缘检测中常用的方法之一。首先将Sobel与其他几种常用的边缘检测算子进行分析和比较,对经典的Sobel算子进行更深入的研究,Sobel算子的优点在于检测速度快,对噪声都具有平滑作用,对噪声具有一定的抑制能力;虽然产生了较好的边缘效果,但也存在一些问题:检测出了一些伪边缘,使得边缘比较粗,降低了检测定位精度。针对Sobel算子存在的问题,研究学者提出了一些改进的方法,如:扩展检测模板,边缘跟踪等方法,在分析这些方法的基础上,提出一种新的简单的Sobel算子改进方法。这种方法在经典的Sobel算法检测出的边缘的基础上对边缘进行细化,实验证明该方法有效解决了Sobel算子边缘检测时边缘过粗的问题,得到的边缘较细,定位精确。 相似文献
48.
以氢氧化锂、磷酸二氢铵和醋酸钴为原料,加入少量水乙醇溶液,以聚乙二醇PEG-400为表面活性剂,在流变相状态下,经低热反应合成前驱体NH4CoPO4,再经固相反应活化制备LiCoPO4纳米晶体粉体,应用FTIR,XRD,TG-DTA,SEM表征分析,研究活化温度对LiCoPO4制备过程的影响.制备过程可描述为3个可阶段性控制的合成过程,在晶体生长过程中控制粒度,温度是关键因素,晶粒生长动力学指数为1.2,晶体生长激活能为E=18.54kJ/mol,晶粒的生长主要以界面扩散机理为主. 相似文献
49.
喻菁 《四川大学学报(自然科学版)》2010,47(6)
本文采用直流磁控溅射方法,在He/Ar混合气氛中,通过分别改变He/Ar流量比和沉积偏压制备不同He含量的钛膜。利用XRD(X-ray diffraction)对含He钛膜的微观结构和晶粒尺寸进行了研究。结果表明,在其它实验参数不变的情况下,当He/Ar流量比从1.0增加到25时,钛膜的平均晶粒尺寸从19.02nm减小到8.63nm。随着膜中He含量的增加,衍射峰宽化,晶粒细化,He的掺入有抑制纳米晶粒长大的趋势。而当沉积偏压从24V增加到151V时,其平均晶粒尺寸基本不变。He引入引起了(002)晶面衍射峰向小角度移动,晶格参数c增加,而a不变。 相似文献
50.