文化意象空缺与翻译中格式塔意象再造

许多文化意象只有本国或本族人才能理解,这是文化的异性使然。翻译这样的文化意象时常会面临文化意象空缺的问题,而格式塔意象再造正是翻译中文化意象传递中的一个重要手段。通过格式塔意象再造能更好地传达原文的整体含义,使异域读者一看便能心领神悟。     

计算典型结构金属元素空位形成能的新方法

在Tiwari和Patil计算空位形成能的模型基础上,对金属表面能的计算方法进行了改进,计算了面心立方(fcc)、体心立方(bcc)、密排六方(hcp)典型金属的空位形成能,并引入能量修正因子,可使理论计算结果与实验值基本一致,对fcc, bcc, hcp结构金属的能量修正因子分别取1.292,1.265和1.357,可以比较精确地计算fcc, bcc, hcp金属的空位形成能.     

空位缺陷对过渡金属表面电子态及化学吸附的影响

本文用Ｅｉｎｓｔｅｉｎ和Ｓｃｈｒｉｅｆｆｅｒ的单电子化学吸附理论及Ｙａｎｉｖ的空位理论研究了空位缺陷对过渡金属表面态密度及化学吸附引起的表面态密度变化的影响。结果表明，空位离表面格点愈近，对其表面态密度影响愈大，空位的存在有利于表面复合物的形成。这与实验符合得很好。     

空位波理论——量子化的唯象理论与晶格动力学的关系

本文对文献[1]提出的物理模型进行了严格的量子化处理。结果表明,声子模型与完美晶体的空位波量子模型一致,得到了晶体低温比热与单空位浓度的关系。     

非零温的正电子湮没率的计算

试用有效位势方法计算金属中非零温的总湮没率.所得结果与实验符合得较好。     

词汇空缺的翻译

英汉两种语言在表达形式和内容上不是一一对应，英语中的一些表达形式和概念在汉语中可能是空缺。反之，亦然。本对词汇空缺及其翻译做了一些探讨。     

空位缺陷对高自旋极化材料Fe3F4磁电性能的影响

Fe3F4是一种高自旋极化材料，在自旋电子器件中具有广阔的应用前景。采用第一性原理赝势法计算了3种Fe空位缺陷对Fe3F4磁电性能（能态密度、电荷分布、分子磁矩等）的影响，并利用配位场理论分析了3种空位缺陷影响Fe3F4磁电性能的微观机理。     

Zn_2SiO_4∶Ga蓝紫色长余辉的发光特性

在高温下合成了Zn2SiO4长余辉发光材料;对掺杂Ga后的Zn2SiO4长余辉发光材料的激发光谱、发射光谱、余辉光谱以及衰减曲线进行分析,指出该材料基质中氧缺陷能级和锌缺陷能级是材料的发光中心;掺杂Ga后的GaZn能级能吸收光子,同时能储存电子,停止激发后,储存的电子缓慢释放,从而产生长余辉发光;同时分析了不同Ga掺杂质量分数对发光强度的影响,指出掺杂质量分数为2%时的发光效果最好;并提出了一个材料发光及长余辉发光模型.     

氧退火对Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜电荷存储特性的影响

采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺 ,在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜 ,再在氧气氛中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极 ,从而形成金属 -绝缘体 -氧化物 -半导体 (MIOS)双介质电容器结构 .通过该薄膜电容器的充放电实验 ,研究薄膜的电荷存储特性 .结果表明 ,该薄膜在不超过 80 0 ℃下退火 ,其电荷存储能力主要与氧组分有关 ;氧空位越多 ,电荷存储能力越强 .     

双向正交等拉应力作用下的空位聚集研究

本文从应力感生有序及最小势能原理出发，探讨了在双向正交等拉应力作用下，空位聚集的必然性和不可逆性．并采用格气模型和ＭｏｎｔｅＣｏｌａ方法计算了双向正交等拉应力作用下二维格气的各种空位浓度及分布状态的能量曲线，得到了在双向正交等拉应力作用下，空位聚集的最可几形态为圆形聚集的结论．