NiO-TiO_2纳米复合薄膜的阻变特性

利用溶胶凝胶法制备了不同n(Ni)/n(Ti)比的Ni O-TiO_2复合薄膜,电学测试表明薄膜具有可重复双极阻变特性,且开关比与Ni O薄膜相比有显著提升.400℃退火n(Ni)/n(Ti)为7∶1的样品阻变阈值电压低、开关比高且稳定性好,原因是Ni O-TiO_2薄膜可形成P-N结纳米结构.焦耳热分析表明薄膜荷电输运属于热激发,高阻态符合由氧空位缺陷俘获电荷所致空间电荷限制导电机制,低阻态为欧姆特性,阻变机理为电荷俘获及再释放.     

黑龙江省图书馆地方文献补藏办法研究

地方文献的入藏是省级公共图书馆藏书建设中不可或缺的一部分,但要实现全部入藏存在一定难度。以黑龙江省图书馆为例,通过对地方文献书目数据库、地方人士著述书目数据库和版本图书馆书目数据库中地方文献的分析,提出了年鉴和方志、地方人士著述、多卷书和丛书的补藏方法,探讨了补藏的保障机制。     

二次回归组合设计的缺区分析方法

本文探讨了二次回归组合设计缺区分析(以下简称缺区分析)的现实意义;进行缺区分析的前提条件和计算途径;缺区分析的试算验证资料及应用实例。     

社会转型期教练员职业角色缺位的研究

从社会学的角度对教练员职业角色的缺位现象进行了分析,指出我国正处在社会转型期和教练员本位价值和价值归宿的转移是造成教练员职业角色缺位的社会根源。并提出了改革教练员管理制度的几点思考。     

不同氧分压下系列LaMnO_（3＋λ）化合物的合成与有关结晶学分析

不同氧分压下合成单一相ＬａＭｎＯ３＋λ系列样品。利用Ｘ射线衍射数据和未知品系点阵常数计算程序（ＴＲＥＯＲ）测定了其晶体结构，真空样品为四方晶系，其余为三方晶系，且随氧分压升高晶胞参数呈规律性变化，并计算出各位占有率、Ｌａ３＋空位量和非整比结构式。     

高强铝合金Mg偏析对晶界结合力和断裂应力的影响

提出了一个计算高强铝合金空位形成能的半径验公式Ｅｔ＝１／１６ＥＭ并用此分式和准化学方法分别计算了７０７５高强铝合金在不同时效状态下晶界的结合力的断裂应力不降百分数，结果表明：晶界结合力和晶界断裂应力随着晶界上Ｍｇ偏析深度的增加而减小。这与应力腐蚀裂纹扩展速率的实验结果相一致。     

NiO替位掺杂对（Mg_xCo_（1－x））O系材料的影响

用ＮｉＯ替位掺杂对（Ｍｇ＿ｘＣｏ＿（１－ｘ））Ｏ系氧敏材料的性能进行了研究，通过测量样品在不同氧分压条件下的高温平衡电导，以及用ＸＲＤ，ＳＥＭ，差热分析等手段对样品进行了分析。实验发现替位掺杂的ＮｉＯ强烈地影响材料的稳定性、缺陷结构及微观结构等．     

空位型晶体缺陷对CuAlbeCr形状记忆性能的影响

本文研究了２种成分的ＣｕＡｌＢｅＣｒ合金不同热处理状态在３００℃范围内空位型缺陷的回复行为以及合金的形状记忆效应， 探讨了空位型缺陷对合金记忆性能的影响，并由此解释了时效对合金记忆性能的影响。结果表明，空位型晶体缺陷主要影响合金逆转变的起始温度，在空位大量回复的温度范围内时效可显著降低合金逆转为的起始温度。     

钇掺杂ZrO_2中电导与氧空位跃迁的关系

分析了钇掺杂ＺｒＯ２中可能存在的氧空位跃迁类型，用静态计算方法计算了各种跃迁类型的空位跃迁能．在此基础上讨论了Ｙ２Ｏ３掺杂量变化对氧空位跃迁类型转化的影响，认为在掺杂量低于９．１ｍｏｌ％时，能量较低的空位跃迁类型是主要的，掺杂量高于９．１ｍｏｌ％时，能量高的空位跃迁类型逐渐占主导地位，这是ＹＳＺ电导率随着钇掺入量的增加有一个最大值的原因