反射损耗最大化的EMI滤波器端口阻抗失配网络设计

针对电磁干扰(EMI)滤波器在噪声源、负载阻抗失配情况下的工作性能受较大影响的问题,提出了一种带有阻抗失配网络的EMI滤波器设计方法,利用合适的阻抗网络来减弱或消除不利影响.通过选取合适的失配网络参数使得噪声源与滤波器的输入阻抗和负载阻抗与滤波器的输出阻抗均满足一定的比例关系,且利用不同阻抗比例关系产生不同的反射损耗这一特性对滤波器端口阻抗失配网络进行设计,使得滤波器在原有插入损耗的基础上增加其反射损耗,达到改善滤波器工作性能的目的.     

铝合金在3.5%NaCl中电化学腐蚀行为研究

铝是一种广泛应用于工业生产的金属元素,因此铝及其合金的耐蚀性能的研究对工业生产有着重要的意义。在制备阶段采用阳极氧化法对铝合金表面进行预处理,于是在合金表面获得了一层较致密的氧化膜。在电化学测试阶段利用PARM273A和M5210电化学综合测试系统,通过测定电化学极化曲线和交流阻抗谱研究了基体铝合金和阳极氧化处理后的铝合金在3.5%NaCl溶液中的电化学腐蚀行为。电化学测试结果表明:与基体合金相比,在3.5%NaCl溶液中,经过阳极氧化预处理后的铝合金的腐蚀电流明显下降,并且电荷传递电阻明显升高,说明经阳极氧化预处理后铝合金的耐腐蚀性能加强,腐蚀速度下降;阳极氧化后,铝合金在3.5%NaCl溶液中的阻抗图谱呈单容抗弧,因此腐蚀过程受电化学控制。     

纵向磁场沉积态(F/SiO_2)_3/Ag/(SiO_2/F)_3多层复合结构膜的巨磁阻抗效应

采用射频溅射法分别在零磁场和72kA/m的纵向静磁场下,制备了结构为(F/SiO2)3/Ag/(SiO2/F)3(F=Fe71.5Cu1Cr2.5V4Si12B9)的多层复合膜.研究了沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应.结果表明,在无磁场沉积态样品中未探测到GMI效应.在沉积过程中加纵向磁场明显优化了材料的软磁性能,从而获得显著的GMI效应.在6.81MHz的频率下,最大纵向和横向GMI比分别高达45%和44%.同时还分析了磁阻抗比、磁电阻比、磁电抗比和有效磁导率比随频率变化的行为,发现磁场沉积态样品的纵向和横向GMI效应随频率变化的频谱曲线几乎重合.阻抗在低频下主要是巨磁电感效应.当频率f>9MHz时,磁电抗比变为负值,即电抗的性质从电感性变成了电容性.     

基于负阻抗电路的跨阻放大器的设计

对基于负阻抗电路技术的跨阻放大器的带宽性能进行了理论分析与仿真仿真结果表明，在具有相同的跨阻增益条件下，基于0.18 μm CMOS工艺下 shuntfeedback型跨阻放大器无负阻抗电路时，其-3 dB带宽约为3.1 GHz，而具有负阻抗电路时，其-3 dB带宽约为4.3 GHz，两者相比带宽性能约提高了40%该方案可以提高跨阻放大器带宽并避免因引入电感而增加芯片面积，在实践上具有一定的可行性     

Ag@SiO2纳米复合涂层在大肠杆菌作用下的电化学阻抗谱研究

研究了添加不同含量Ag@SiO₂ 纳米材料的环氧树脂涂层在大肠杆菌溶液中浸泡前和浸泡110h后的电化学阻抗谱特征，分别提出了其等效电路模型，并比较了浸泡前和浸泡850h后的涂层形貌变化。结果表明，浸泡后未添加Ag@SiO₂ 的涂层的阻抗降低了96%，添加0.3%的Ag@SiO₂ 涂层的阻抗也下降了73%，且两者都出现了明显的锈斑；而添加0.1%的Ag@SiO₂ 涂层的阻抗和形貌在浸泡前后基本保持不变。可见，添加适量的Ag@SiO₂ 可以显著提高涂层的耐微生物腐蚀性能。     

纵向磁场沉积态(F/SiO2)3/Ag/(SiO2/F)3多层复合结构膜的巨磁阻抗效应

采用射频溅射法分别在零磁场和72 kA/m的纵向静磁场下, 制备了结构为(F/SiO₂)₃/Ag/(SiO₂/F)₃ (F=Fe_71.5Cu1Cr_2.5V4Si₁₂B₉)的多层复合膜. 研究了沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应. 结果表明, 在无磁场沉积态样品中未探测到GMI效应. 在沉积过程中加纵向磁场明显优化了材料的软磁性能, 从而获得显著的GMI效应. 在6.81 MHz的频率下, 最大纵向和横向GMI比分别高达45%和44%. 同时还分析了磁阻抗比、磁电阻比、磁电抗比和有效磁导率比随频率变化的行为, 发现磁场沉积态样品的纵向和横向GMI效应随频率变化的频谱曲线几乎重合. 阻抗在低频下主要是巨磁电感效应. 当频率 f >9 MHz时, 磁电抗比变为负值, 即电抗的性质从电感性变成了电容性.     

线路参数中正序及零序参数非常规测试浅析

由：L1=L-M;L0=L＋2M;R0=R＋3RN。得：L=1/3（L0＋2L1）;M=1/3（L0＋L1）;RN=1/3（R0-R1）。     

话机线路不容忽视的公共阻抗——阻抗在电子线路中的影响之一

线路阻抗,线路设计时很容易不加考虑的忽略不计,实际应用中出现问题了,也还是不会想到线路阻抗的影响.详细分析计算的一个话机故障,就是一个典型案例.由于信号采样电流与话机总电流在回路上共用一根地线,因而总电流在公共地线上产生的压降直接影响了信号采样回路上的电压值.虽然公共地线阻抗的数值不大,但本案例已经造成数字电路采样的信号值出错,话机出现故障；又由于在地线阻抗微不足道的思维定势下,迟迟查不出原因.直到两年后换了新的技术人员,并在现场监测时,才查明原因得以解决.     

退火张应力控制Fe基纳米微晶带各向异性场技术的研究

报道了测量Fe73.0Cu1.0Nb1.5V2.0Si13.5B9.0非晶带的应力退火方法，通过测量经0MPa~245MPa不同退火应力作用下的Fe73.0Cu1.0Nb1.5V2.0Si13.5B9.0微米微晶薄带的磁特性，发现通过退火应力的控制，可以控制基磁晶各向异性场HK；利用材料的磁阻抗曲线，可以测定其各向异性场。     

变数据窗阻抗算法的频域分析方法研究

分析典型变数据窗阻抗算法的估计原理和特点 ,提出了一种适用于不同阻抗估计算法的新型频率响应计算方法 ,为不同算法的频域特性分析和比较提供了共同的基础 .该方法也可用于对算法抑制非周期分量的性能进行分析研究