预退火对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶合金巨磁阻抗效应的影响

用HP4294A型阻抗分析仪测量了经不同温度预退火后再540℃退火的Fe73.5Cu1Nb3S i13.5B9纳米晶合金薄带的巨磁阻抗,并结合XRD衍射图谱和AFM图谱,研究了预退火对纳米晶介观结构的影响.结果发现,200℃、300℃和400℃预退火处理40 m in对随后540℃退火的Fe73.5Cu1Nb3S i13.5B9薄带-αFe(S i)纳米晶介观结构产生了影响,颗粒团聚优势明显减弱,横向各向异性场减小,巨磁阻抗比得到了显著的提高.     

Fe基合金薄带磁畴结构的MFM研究

利用磁力显微镜(MFM)观测了550℃自由退火和张应力(δ=170 MPa)退火的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金薄带表面磁畴结构.发现自由退火样品表面畴结构是迷宫畴,应力退火的为片状畴.并采用立体测量法测量了迷宫畴的畴宽为203 nm,片状畴的畴宽为214 nm.认为样品结构的差异可能是张应力退火所引起的α-Fe(Si)纳米晶粒的方向优势团聚所致.     

高导磁纳米晶Fe72.8Cu1Nb1.7V1.5Mn0.5Si13.5B9合金的磁性能

介绍了高导磁纳米晶Fe72 .8Cu1Nb1.7V1.5Mn0 .5Si13.5B9合金的直流和交流磁性能水平 ,磁导率频散行为以及高频铁损行为 ,给出了描述高频区频散行为和铁损行为的近似表达式     

非晶合金Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9磁致伸缩系数的测量

采用自制磁致伸缩测量系统,测量了非晶合金Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9的磁致伸缩系数.此测量系统的优点是性能稳定,精确度高(其灵敏度可达0.3×10-7),并且可以连续测量,直至得到饱和磁致伸缩系数λs和磁致伸缩曲线.     

一种新型巨磁阻抗磁敏开关的设计

利用540℃和17．8MPa退火后的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶合金薄带具有宽平台和陡峻下降沿的巨磁阻抗特性研制了一款新型磁敏开关,并介绍了磁敏材料的GMI特性及磁敏开关的电路设计原理．实验结果表明：该磁敏开关的重复性好（2．06％）,迟滞误差小（2．71％）．     

低频脉冲磁场处理Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金的磁致伸缩

用低频脉冲磁场处理Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金试样,用透射电镜分析处理后样品的结构,用自制磁致伸缩测量仪测定处理前后样品的磁致伸缩系数。结果表明,低频脉冲磁场处理后的非晶合金Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9发生了纳米晶化,处理后非晶合金的磁致伸缩系数比原始样品减小很多,使非晶合金的软磁性能得到改善。     

Fe基合金薄带温度应力退火及回火特性

为研究Fe基合金薄带温度应力退火及回火特性,利用HP42494A阻抗分析仪得到Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶薄带应力退火及回火后的磁各向异性场,用位移传感器测量退火和回火的伸长量.分析了经11次回火过程后样品的磁各向异性场的剩余百分比与薄带伸长量剩余百分比的关系.结果发现:11次回火后,磁各向异性场的剩余百分比为25.3%,薄带伸长量的剩余百分比为78.7%,表明:回火不能完全消除应力退火感生的磁各向异性场,且薄带的伸长不能完全恢复.     

软磁纳米晶丝的巨应力阻抗和巨扭矩阻抗效应

在频率f=1MHz和纵向直流磁场H=0～±11．2kA／m下,分别测量了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶丝（由非晶退火而得）在外加应力（σ=0～157MPa）及扭矩（ξ=0～62．8rad／m）作用下的磁阻抗效应分别为-35％和-66％。基于感生磁弹性各向异性的概念,对应力阻抗效应和扭矩阻抗效应进行了理论分析。与实验结果的对比表明,阻抗随应力和扭矩的改变可由感生各向异性模型来解释。     

非晶薄带Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶化的新方法

利用直流高压电场处理法，成功使非晶薄带Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9在低于其初始晶化温度140℃以下纳米晶化，析出大小为2～10nm的a-Fe(Si)晶粒．该方法避免了传统的退火法在晶化温度以上晶粒长大这一缺点，成功制备出晶粒极细小的纳米材料．延长处理时间，晶粒数明显增多，晶化效果好．随着非晶晶化量的增加，显微硬度随之增大．同时经过直流高压电场处理的非晶Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9试样晶化后其饱和磁化强度增大，表现出不同的磁性特征．     

Fe63.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶和纳米晶合金的巨磁阻抗效应

研究了退火处理引起结构上的变化对Fe63.5Cr10Cu1Nb13.5B9非晶合金磁阻抗效应的影响,实验结果的分析表明,在测量的频段（0．2－10MHz)内巨磁阻抗效应可归因于偏置场引起的环向磁化率的改变,良好的软磁性是获得大的磁阻抗效应的重要条件。     

纵向驱动巨磁阻抗效应的相位特性

作者测定了９８ＭＰａ应力退火生成的Ｆｅ７３Ｃｕ１Ｎｂ１．５Ｖ２Ｓｉ１３．５Ｂ９纳米微晶带纵向驱动微磁阻抗的相频曲线和不同频率的相位随外磁场变化的规律。从相频曲线的峰位可确定样品的特征频率。从不同频率驱动场下磁阻抗的相位随外磁场变化的规律，说明了纵向驱动巨磁阻抗效应在小于特征频率时是磁电感效应，大于特征频率时是磁阻抗效应，且在高频时主要是与畴壁移动磁化的阻尼而引起的磁损耗密切有关。     

纵向驱动纳米微晶玻璃包裹丝的巨磁阻抗效应

采用高频感应加热熔融拉引法制备Fe_73.0Cu_1.0Nb_1.5V_2.0Si_13.5B_9.0 非晶玻璃包裹细丝,经适当温度退火处理得到纳米微晶丝。首次研究了样品在纵向驱动方式下的巨磁阻抗效应,发现T=570℃下退火得到的样品,在驱动电流频率f=300kHz时其最大磁阻抗变化可达1020%.     

An AFM investigation of the mesostructure of Fe-based nanocrystalline ribbon

The mesostructure at the cross section of the Fe-based nanocrystalline (Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9) ribbon was observed with atomic force microscopy (AFM). An apparent mesostruetural difference was found between the sticking roller face area (SRFA) and the free face area (FFA) of the ribbon crystallized after annealing. In SRFA there is a preponderance of rough grain gathering in longitudinal arrangement, while in FFA a fine grain gathering arranged transversely dominates. This phenomenon could be due to the different residual stress remained in the different areas of the amorphous ribbon resulting from the single-roller quenching technique.     

非晶Co基软磁合金巨磁阻抗效应研究

巨磁阻抗可应用于微型高灵敏度磁传感器．我们研究了三种非晶合金薄带的巨磁阻抗效应．实验表明,在一定频率范围内提高测试频率,磁阻抗效应有明显提高;适当温度的退火也有助于磁阻抗效应的提高．其中成分为Ｃｏ７０Ｆｅ４．５Ｎｉ４Ｎｂ１Ｓｉ１２．５Ｂ８的非晶合金带的效应最显著,制备态非晶样品在频率为 ５ＭＨｚ下达 １２０％左右,经过退火处理的非晶样品在 ５ＭＨｚ下的效应可达４００％左右。     

CoFeBSiNb非晶合金带材纵向驱动巨磁阻抗效应研究

采用单辊快淬法制备了具有强非晶形成能力的Co63Fe4B22Si5,6Nb5非晶合金带材。利用HP4294A阻抗分析仪测量了经不同温度退火的Co基非晶合金带材在纵向驱动模式下的巨磁阻抗效应（GMI）．实验结果表明：材料经去应力退火后,其软磁性能得到了有效的改善,其中经580℃退火1h的Co基非晶薄带在475kHz电流驱动下的GMI比值可高达2400％,其灵敏度达114％／（A·m^-1）．     

Fe36 Co36 Nb4 Si4.8 B19.2合金带巨磁阻抗效应研究

在Fe36 Co36 Nb4 Si4.8 B19.2非晶合金中发现明显巨磁阻抗效应,最大磁阻比达到35．9％,并利用直流电流退火对样品进行热处理．实验表明：电流密度为35A／mm^2时退火600s灵敏度得到大幅提高,达到0．0067／（A·m^-1）;适当大小的张应力电流退火有效地提高了磁阻比幅度．     

不同Nb,Mo含量的Fe基微晶软磁合金磁性能的频谱特性

利用无磁场、纵向磁场和横向磁场３种热处理方式，制力求４种不同Ｎｂ、Ｍｏ含量的Ｆｅ７４．５Ｃｕ１Ｍ３Ｓｉ１２．５Ｂ９．５（Ｍ为Ｎｂ、Ｍｏ原子质量百分数之和）纳米晶试样，分别测量试样的复值磁导率｜μ｜Ｏ．３，矫顽力｜Ｈｃ｜和铁芯损耗Ｐｃｏ．２，分析试样的频谱特性和成分的影响．结果表明，不含Ｍｏ的Ｆｅ７４．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１２．５Ｂ９．５合金的｜μ｜０．３随频率增加而下降的趋势最小，需含Ｍｏ的Ｆｅ７４．５Ｃｕ１Ｎｂ２Ｍｏ１Ｓｉ１２．５Ｂ９．５合金的｜μ｜Ｏ．３值最大，且｜Ｈ｜和Ｐｃｏ．２的值最小．在３种磁场热处理中，无磁场热处理后的试样的｜μ｜０．３最大，且｜Ｈｃ｜和Ｐｃｏ．２的值最小；而纵向磁场热处理后的试样的｜μ｜０３最小，且｜Ｈｃ｜和Ｐｃ０２的值最大     

频率和磁场对非晶薄带的磁感应效应的影响

研究了频率、磁场对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响。结果表明：非晶薄带的磁感应效应随着频率的升高而增强,随着磁场的增强而减弱;非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着磁场的增强而增大,当频率低于30 kHz时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着频率的升高而增大,当频率高于30 kHz时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着频率的升高而减小。