一种用于锂离子电池的三维多孔Cu_(2-x)Se_x负极材料及其制备方法

本文介绍了一种新型Cu_(2-x)Se_x负极材料制备方法,通过非溶剂致相分离法制备得到微米级孔径的多孔铜平板膜,并在平板膜上原位生长Cu_(2-x)Se_x制备一体化Cu_(2-x)Se_x负极材料。该材料制备工艺简单,无须加热,常温即可制备且反应高效快速。借助SEM发现,Cu_(2-x)Se_x均匀分布在多孔铜集流体上。在不同电流密度下对该材料进行电化学测试,发现500μA/cm~2电流密度下的性能最佳,首圈容量达到2 432μAh/cm~2,500圈后仍能稳定在458μAh/cm~2。     

影响金钱松种子萌发因素研究

为了研究不同消毒时间、不同浸种时间和不同培养基配方对金钱松种子萌发的影响.金钱松种子采用75%酒精消毒30 s和0.1%升汞消毒15 min,用40℃无菌水浸泡12 h后,接种在不添加任何激素的MS培养基上,其种子的萌发率最高为64.5%,且幼苗生长也好.     

青刺尖油枯的化感作用及其化感物质的分析

以青稞和豌豆的幼苗为试验材料，评价不同质量浓度青刺尖油枯挥发物对其生长的影响，并研究其化感作用；测定青刺尖油枯气态挥发物对豌豆、青稞幼苗的IC₅₀值；最后，用GC-MS分析测定其挥发性成分.结果表明：在一定条件下，不同质量浓度的青刺尖油枯挥发物对两种植物幼苗的生长均表现出显著的影响，且作用效果随着质量浓度的增加，呈现出一定的规律.对豌豆幼苗的生长，各浓度在1～16 d每日间断处理，都显示抑制效果显著(P≤0.05),随着质量浓度的增加，抑制效果增强；2.88和1.44 g/cm³质量浓度处理的抑制效果与黄花蒿一样，随着质量浓度的增加，抑制效果呈升高的趋势，豌豆幼苗的IC₅₀值为0.752μg/mL.青稞幼苗的生长，各浓度在1～16 d每日间断处理，0.18和0.36 g/cm³质量浓度抑制效果显著(P≤0.05),随着质量浓度的增加，抑制效果减弱；0.72、1.44和2.88 g/cm³质量浓度促进效果显著(P≤0.05),且随质量浓度的增加，促进效果呈先升高再下降的趋势，青稞...     

Cu纳米粒子的光化学制备及其可逆生长-溶解现象

采用光化学方法在五水硫酸铜(CuSO4·5H2O)的乙二醇溶液中制备了Cu纳米粒子,通过反应过程中的紫外可见光谱(UV-Vis)探讨了反应历程。采用扫描电镜、X射线衍射仪和能谱仪分析了产物的形貌、物相、晶体结构和化学组成,并研究了光化学法制备Cu纳米粒子的反应参数。研究结果证明了反应仅在隔绝空气,紫外光引发的条件下才能发生,发现了生成的Cu纳米粒子敞口静置时会被溶解在胶体中的氧气逐渐氧化,再次在隔绝空气的条件下用紫外光照射后,又会重新生成Cu纳米粒子的现象,并讨论了出现这一现象的原因。而加入三乙醇胺后,同样在隔绝空气,紫外复色光照射的情况下,Cu纳米粒子会优先生长在表面上,采用这种方法,在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上制备得到了Cu纳米粒子。     

施肥的“宜”与“忌”

五、钾肥宜早施，忌在作物生长后期追施 钾能从作物下部茎叶中转移到顶部幼嫩枝叶再利用，缺钾症较缺氮、缺磷症状表现晚，发现时往往已经较严重。因此，钾肥宜提前在作物苗期或拔节期追施或一次性作基肥施入，不宜在作物后期追施。     

腹壁和肠系膜移植法制作大鼠子宫内膜异位症模型效果比较

目的比较不同移植部位建立大鼠子宫内膜异位症模型效果的差别,以期建立重复性高的子宫内膜异位症造模方法。方法 SPF级成年雌性SD大鼠11只,10%水合氯醛麻醉后,手术取出带有内膜、肌层、浆膜子宫组织,用可吸收线分别将其缝于左右腹壁各1块,左右肠系膜靠近肠袢处各1块。术后常规饲养4周后检测移植内膜存活情况及生长情况。结果开腹后见移植内膜体积明显增大,呈暗红色或透亮的小囊泡视为造模成功。术后大鼠死亡1只,存活大鼠腹壁移植造模成功率为65%,肠系膜移植造模成功率为95%,χ~2检验P<0.05,两者差异有统计学意义。移植至腹壁的子宫内膜形成的囊肿体积(35.53±22.58)mm~3较肠系膜处(90.29±74.93)mm~3小,但两者比较差异无统计学意义。结论内膜移植至肠系膜更利于存活,且易形成较稳定的生长病灶,更利于子宫内膜异位症动物模型相关研究。     

垂直氮化镓功率晶体管及其集成电路的发展状况

氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,因其优越的性能,例如高电子迁移率、高电子饱和速率、耐高温及高热导率等优点吸引了越来越多的关注.也正是因为这些优点,垂直氮化镓功率晶体管在未来的电力电子领域中具有很大的发展和广泛的应用前景.本文列出了氮化镓材料和其他半导体材料主要的物理参数、氮化镓单晶制备及其外延生长的主要方法,阐述了氮化镓功率器件在目前环境下的优势.针对器件结构,列出了横向器件本身存在的问题和垂直器件的优点,解释了垂直器件为何能够成为未来功率器件的主流结构.在此基础上,详细介绍了氮化镓电流孔径垂直晶体管、垂直氮化镓沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管、基于原位氧化物氮化镓夹层的垂直沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管和垂直氮化镓鳍式场效应晶体管的结构、工作原理、研究进展及所存在的一些问题,并将文中所提及的垂直氮化镓功率晶体管的性能参数按器件种类和时间顺序进行归纳为未来氮化镓功率晶体管的发展提出了大致的方向.针对集成电路系统,归纳了氮化镓功率器件在驱动芯片方面的特殊要求和关键技术.最后,针对当下的市场环境,列举了垂直氮化镓功率晶体管在中、低压范围内比较热门且发展前景较好的应用场景.     

朝鲜崖柏生境及高生长规律分析

采用标准地调查法测定朝鲜崖柏的土壤特征、林下植被和高生长规律.结果表明:朝鲜崖柏生长于土层较薄且呈弱酸性的山地暗棕壤,不同标准地林下植被差异明显;不同标准地朝鲜崖柏树高的年生长量均呈逐年下降趋势.     

阿拉伯半乳糖蛋白在茉莉花粉萌发和花粉管生长中的作用研究

阿拉伯半乳糖蛋白(arabinogalactan proteins, AGPs),是一类具有繁杂构造的糖蛋白，遍及于植物的不同组织中.大量研究表明，AGPs在花粉的黏附、水合、萌发和花粉管在花柱内极性生长过程中都起着重要作用.采用花粉离体培养技术，对AGPs与其抑制剂β葡萄糖基-Yariv试剂(β-D-glucosyl-Yariv reagent,βGlcY)结合后，茉莉花粉萌发和花粉管生长的情况，以及去除抑制剂后，花粉管再生情况进行了研究，以探明AGPs是否对茉莉花粉萌发和花粉管生长起作用.结果表明：Yariv试剂在处理后1～2 h内能明显抑制茉莉花粉萌发和花粉管的生长，花粉萌发率和花粉管生长速度与对照相比都显著下降；去除抑制剂后，茉莉花粉管可恢复正常生长能力，故AGPs在茉莉花粉萌发和花粉管生长过程中起着重要的促进作用.研究结果对提高茉莉花粉活力、促进花粉管生长以克服结实障碍、提高结实率有重要的指导意义.     

科学施肥对桉树生长中的影响分析

追肥以及基肥施放是桉树不合理施肥主要表现,若不合理施肥将对桉树生长造成直接的影响,因此科学施肥较为重要。而要想科学施肥就应将肥力因素、养分因素及土壤因素综合考虑在内,注意合理追肥且注重施基肥。基于此基础上,对科学施肥在桉树生长中的影响进行分析,以期将相应参考依据提供给同行业人士。