"两会"看5G:加速网络建设,推动5G应用融百业入千行

2021年是中国共产党建党100周年、“十四五”规划开局之年、全面建设社会主义现代化国家新征程的起始年,亦是5G加速商用、数字经济飞速发展、城市数字化转型全面推进的关键之年。2021年3月5日,李克强总理在十三届全国人大四次会议作政府工作报告时提出“加大5G网络和千兆光网建设力度,丰富应用场景”,这是继2020年"发展新一代信息网络,拓展5G应用"之后,全国"两会"政府工作报告对"推动5G发展"提出的新期望、新要求,意味着我国5G发展已进入新阶段。     

基于低秩交叉重构的领域自适应算法

为了解决现有领域在自适应方法中忽略了整个数据域内部结构的信息和源域与目标域之间的差异问题,提出了一种新的基于低秩交叉重构的领域自适应方法.通过对源域和目标域的交叉重构来构造新的源域与目标域,使得同类数据相互交织,缩短了同类数据之间的距离; 通过对重构矩阵施加低秩约束,将2个域的同类数据对齐,以此来充分挖掘源域和目标域同类数据之间的内在结构信息,并利用该结构信息来学习分类器,从而取得更好的跨域识别效果.在5个公开数据集上的实验结果表明:该方法具有较高的跨域识别准确率.     

面向多任务调度的可重构算法设计

针对在单个逻辑芯片上实现多任务的应用场合,设计了面向多任务调度的可重构算法,以此提高逻辑芯片的资源利用率和任务的响应效率.详细描述了面向多任务调度的重构设计原理,并针对逻辑芯片中多任务的调度种类分别设计了逻辑芯片的重构调度算法,最后选取了多个典型的任务进行对比测试.测试结果表明,使用重构算法之后的逻辑芯片在资源占有率和任务响应延迟上均优于传统的逻辑芯片设计方法.     

叶片难抛光区域粗糙度对压气机性能的影响

研究压气机转子中叶片叶顶、叶根倒圆、下端壁这类难以自动抛光区域的表面粗糙度对转子气动性能的影响规律,旨在为叶片抛光加工表面粗糙度目标的制定提供指导.基于计算流体动力学(CFD)对跨音速转子rotor37进行气动计算,分析了98%阻塞流量工况不同转速下各部位表面粗糙度对转子的损失系数和出口总压的影响规律.结果表明,在设计转速下,叶片各部位的表面粗糙度增加均使转子损失增加,叶顶的表面粗糙度使出口总压升高,而叶根倒圆和下端壁表面粗糙度使出口总压降低;表面粗糙度15μm是一个转折点,大于15μm时表面粗糙度对气动性能的影响程度开始变大;下端壁表面粗糙度对性能的影响最大,在60%设计转速下,下端壁表面粗糙度使损失降低,但是在80%和100%设计转速下,则使损失增加.     

一类新的推广非凸变分不等式的平等投影算法

对定义在一致临近正则集上的一类新的推广的非凸变分不等式,本文提出了一个平行投影算法,算法的收敛点既是该变分不等式的解,又是两个Lipschitz映像的不动点。进一步,本文在适当条件下证明了该算法的收敛性。本文所得结论改进并推广了有关变分不等式和相关最优化问题的一些结果。     

芜湖市土地利用/覆盖变化的遥感分析

以安徽省芜湖市四区(镜湖区、弋江区、鸠江区、三山区)为研究区,利用1994年Landsat-5的TM影像、2006年和2014年Landsat-7的ETM+影像解译结果,获取芜湖市四区三期土地利用/覆盖分类图,并基于ENVI图像分析和数理统计方法对芜湖市四区1994—2014年土地利用/覆盖变化做定量分析研究,分析各土地利用类型间的相互转化关系,探讨各类面积发生变化的主要原因。     

一类二阶四点p-Laplacian边值问题的3个正解

利用不动点定理,讨论二阶四点p-Laplacian非线性边值问题{{(Ф p(u'))'+f(t,u(t),u'(t))=0,0t1,u(0)-αu'(ξ)=0,u(1)+βu'(η)=0.其中:α,β0,0ξη1.得到了3个正解存在的充分条件,并给出了1个实例.     

地铁列车荷载计算方法对盾构隧道动力响应的影响

采用地铁列车移动轮载、激振力函数法和数定分析法计算得到上海地铁列车荷载时程,考虑管片-土体及管片间的接触特性和纵向螺栓的连接作用,建立道床-管片-土体系统的三维动力有限元模型,分析比较了3种计算方法所得隧道结构动力响应的差异.研究表明:3种方法所得道床和土体单元动应力以及道床点位移时程曲线基本一致;基于实测数据的数定分析法适用于地铁列车荷载引起的环境振动评价,移动轮载和激振力函数法均会导致加速度频谱分布产生误差.     

准同型相界附近0.02Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.50Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.48Pb(Zr_xTi_(1-x))O_3陶瓷压电性能研究

采用传统固相反应法制备四元系0.02Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.50Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-0.48Pb(ZrxTi1-x)O3(0.29≤x≤0.34)陶瓷.观察样品的晶相结构和显微结构,测试压电性能和介电性能.随着Zr/Ti比的增大,晶相从四方相向三方相转变.发现准同型相界位置在x=0.32附近.1 240℃烧结的0.02PZN-0.50PNN-0.48PZ32T陶瓷展现了良好的压电性能,压电常数d33为715 p C/N,机电耦合系数kp为0.541,剩余极化强度Pr为25.5μC/cm2,矫顽场强Ec为5.6 k V/cm.新的压电材料适合高性能压电器件应用,且简单的制备方法给生产带来极大便利.