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| 准同型相界附近0.02Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.50Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.48Pb(Zr_xTi_(1-x))O_3陶瓷压电性能研究 | |
| 引用本文： | 余洋,李岳彬,李晓天,吴金根.准同型相界附近0.02Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.50Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.48Pb(Zr_xTi_(1-x))O_3陶瓷压电性能研究[J].湖北大学学报(自然科学版),2015(1):25-28. |
| 作者姓名： | 余洋 李岳彬 李晓天 吴金根 |
| 作者单位： | 1. 湖北大学物理与电子科学学院暨铁电压电材料与器件湖北省重点实验室，湖北 武汉 430062; 有机化工新材料湖北省协同创新中心，湖北 武汉 430062; 北京大学工学院材料科学与工程系，北京 100871 2. 湖北大学物理与电子科学学院暨铁电压电材料与器件湖北省重点实验室，湖北 武汉 430062; 有机化工新材料湖北省协同创新中心，湖北 武汉 430062 3. 北京大学工学院材料科学与工程系,北京,100871 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部博士点基金，湖北省自然科学基金 |
| 摘 要： | 采用传统固相反应法制备四元系0.02Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.50Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-0.48Pb(ZrxTi1-x)O3(0.29≤x≤0.34)陶瓷.观察样品的晶相结构和显微结构,测试压电性能和介电性能.随着Zr/Ti比的增大,晶相从四方相向三方相转变.发现准同型相界位置在x=0.32附近.1 240℃烧结的0.02PZN-0.50PNN-0.48PZ32T陶瓷展现了良好的压电性能,压电常数d33为715 p C/N,机电耦合系数kp为0.541,剩余极化强度Pr为25.5μC/cm2,矫顽场强Ec为5.6 k V/cm.新的压电材料适合高性能压电器件应用,且简单的制备方法给生产带来极大便利. |
| 关 键 词： | 压电陶瓷 Zr/Ti比 准同型相界 |
Piezoelectric properties of 0.02Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.50Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-0.48Pb (ZrxTi1-x)O3 ceramics near the morphotropic phrase boundary |
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| YU Yang,LI Yuebin,LI Xiaotian,WU Jingen.Piezoelectric properties of 0.02Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.50Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-0.48Pb (ZrxTi1-x)O3 ceramics near the morphotropic phrase boundary[J].Journal of Hubei University(Natural Science Edition),2015(1):25-28. | |
| Authors: | YU Yang LI Yuebin LI Xiaotian WU Jingen |
| Institution: | YU Yang;LI Yuebin;LI Xiaotian;WU Jingen;Key Laboratory of Ferroelectric and Piezoelectric Materials and Devices of Hubei Province,School of Physics and Electronic Sciences,Hubei University;Hubei Collaborative Innovation Center for Advanced Organic Chemical Materials,Hubei University;College of Engineering,Peking University; |
| Abstract: | |
| Keywords: | piezoelectric ceramics Zr/Ti ratio morphotropic phrase boundary |
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