对甲酸蒸气具有质量传感特性的类金刚石薄膜

用含有胺基的正丁胺作为碳源,用射频辉光放电方法制备出碳膜。Ｒａｍａｎ谱分析表明,该种碳膜具有类金刚石结构。红外光谱分析表明薄膜中存在着ＳＰ＾２和ＳＰ＾３结构的碳氢键。     

辐照金刚石的电子顺磁共振

对不同类型的金刚石辐照前后的电子顺磁共振波谱进行了研究．结果表明,人工辐照能使不同类型的金刚石产生类似的具顺磁性的中心（电子－空穴心）,但在相同辐照条件下辐照金刚石时,其顺磁中心浓度并不一致,该浓度与金刚石中杂质氮类型和含量以及金刚石的质量有关．该研究为金刚石辐照改色条件的控制指明了方向．     

WC—Co硬质合金刀片热丝法金刚石薄膜涂层附着力

用热丝法研究了ＷＣ－６％Ｃｏ硬质合金刀片金刚石薄膜涂层附着力。结果表明：采用温度为８０℃,（ＨＣｌ：ＨＮＯ３：Ｈ２Ｏ）（体积比）为１∶１∶１溶液对硬质合金刀片表面去Ｃｏ１５ｍｉｎ后,经４０ｕｍ金刚石粉及１．５ｕｍ金刚石加２０ｕｍＴａＣ混合粉进行超声预处理,结果表明,沉积的金刚石薄膜与硬质合金刀片基底具有良好的附着力,而经４０ｕｍ金刚石粉处理的薄膜涂层组织与附着力要好一些。     

CVD金刚石薄膜的界面能量分析

分析了CVD金刚石薄膜的界面能量情况,并由此研究了金刚石成核几率、晶核取向、附着强度与基底材料结构和性能的关系     

CH4／CO2体系化学气相淀积金刚石的非平衡定态相图计算

用非平衡热力学耦合模型首次获得了由ＣＨ４／ＣＯ２体系化学气相淀积金刚石的相图。该相图与用经典平衡热力学得 结果不同,相图中出现了１个金刚石的生长区,相图中的金刚石生长区是实现金刚石气相生长的热力学基础,它的存在体现了超平衡氢原子等激活粒子对石墨的激活和对金刚石的稳定作用。     

CVD金刚石薄膜表面晶形研究

本文较详细地研究了采用ＨＦＣＶＤ方法在Ｓｉ、Ｍｏ等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜，讨论了生长条件（衬底温度、碳源浓度、反应压强）对金刚石薄膜晶粒形貌的影响．结果表明在ＨＦＣＶＤ方法中，金刚石薄膜表面晶形对生长条件十分敏感，生长条件的微小变化就会导致不同表面晶形的生长．     

MPCVD法沉积金刚石薄膜中等离子体光谱

从等离子体发射光谱变化这一角度研究在不同沉积条件下等离子体中电子平均能量的特点，分析碳源气体分析与电子的碰撞以及碳氢基团的能态变化，从而对等离子体法沉积金刚石薄膜微观机理进行初步探索。     

用数据库技术实现PDC钻头选型

建立了一个微型计算机通用钻头数据库管理系统，确立了一套选择ＰＤＣ钻头类型的方法和步骤．该数据库管理系统不但能进行常规的数据检索，还实现了快速、可靠的ＰＤＣ钻头选型，为钻头设计和制造人员提供大量可不的数据及正确进行ＰＤＣ钻头选择的方法和工具．     

用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜

本文研究了在ＨＦ—ＣＶＤ法中，衬底温度Ｔｓ对ＰＥＴＥＯＳ（等离子体增强正硅酸乙酯）氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明：Ｔｓ变化影响ＰＥＴＥＯＳ氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ｔｓ较低时（７５０—８２０℃），ＰＥＴＥＯＳ氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面；随Ｔｓ升高（＞８２０℃），氧化硅区域成核密度增加很快；当Ｔｓ＞８５０℃时，氧化硅区域成核密度超过硅表面。     

超精密切削加工技术的现状与发展

本文对超精密切削加工技术研究的现状进行了系统的概述和分析，提出了该研究领域中尚存在的问题及发展前景．