狄拉克（Dirac）与当代物理学

从量子力学、真空、大数假说、磁单极子诸方面，阐述了坎拉克的治学思想和研究方法的特点及其对当代物理学所做出的重大贡献．     

钢管单芯棒圆周剪切法的实验研究

介绍钢管圆周剪切的另一种方法－单芯棒圆周剪切法。通过运动学分析阐述了剪切金属的变形原理；实验研究证明了该方法的可行性并对切口断面质量进行了分析。     

Fabrication and Application of High Quality Diamond-coated Tools

Diamond-coated tools were fabricated using Co-cemented carbide inserts as substrates by the electronically aided hot filament chemical vapor deposition (EACVD). An amount of additive in an acid solution was used to promote the Co etching of the substrate surface. The surface of the WC-Co substrate was decarburized by microwave plasma with Ar-H 2 gas. Effect of the new substrate pretreatment on the adhesion of diamond films was investigated. A boron-doped solution was brushed on the tool surface to diffuse ...     

CsLiB6O10晶体光参量振荡器的线宽分析

采用355nm脉冲激光作为泵浦源,对影响CsLiB_6O_(10)晶体光参量振荡器的信号光线宽的各种物理机制进行了数值模拟计算和分析.结果表明,泵浦光的发散角和偏轴方向对信号光线宽的影响较大。     

溶胶凝胶法制备三维规则排列大孔TiO2材料

以聚苯乙烯微球 (LatexSphere)离心后形成的三维规则排列的胶晶 (colloidcrystal)作模板 ,用钛酸丁酯、水、乙醇等配制的溶胶填充微球之间的间隙 ,然后原位形成凝胶 ,最后通过焙烧除去微球得到三维规则排列大孔TiO2 材料 (3DOM)。溶胶的浓度一般控制在 0 5～ 1 0md/L之间。焙烧过程的升温速度应控制在 5℃ /min以下。得到的样品表面可观察到五颜六色的彩光。从SEM照片可观察到 ,球形孔大小均匀 ,排列整齐 ,孔壁填充完全。孔径在 5 30nm左右 ,孔的排列呈面心立方结构 ,孔与孔之间由小孔窗相互交连。XRD表明孔壁含有锐钛矿和金红石两种晶型 ,2种晶型质量分数大约各占 5 0 %。     

(E)-3-(3,4-二甲氧基苯基)-2-氰基丙烯酸乙酯的合成和晶体结构

标题化合物C14 H15O4N(3)是由 3,4 二甲氧基苯甲醛 (1) 与氰乙酸乙酯 (2 ) 在KF/蒙脱土催化下以N ,N 二甲基甲酰胺 (DMF)作溶剂反应而得 .结构通过单晶X射线衍射分析确定 ,其晶体属于单斜晶系 ,空间群P2 1/n ,a =1.310 1(3) ,b =0 .80 32 (2 ) ,c =1.385 4 (2 )nm ,β =114 .2 1(1)° ,Mr=2 6 1.2 7,V =1.32 96 (5 )nm3 ,Dc=1.30 5 g/cm3 ,Z =4 ,μ(MoKα) =0 .0 96mm-1,F(0 0 0 ) =5 5 2 .晶体结构用直接法解出 ,使用全矩阵最小二乘法对原子参数进行修正 ,最后的偏离因子R =0 .0 398,RW =0 .0 816 .单晶X衍射分析表明标题化合物为 (E)式异构体产物 ,说明该反应具有立体选择性 .     

镀铜板镀铜量检测分析仪的研制

根据电解剥离原理，采用Cygnal F020单片机为智能部件，研制出的镀铜板镀铜量检测分析仪．本仪器采用微分电位法，使各层界面自动分层难题得到了解决，同时对双电层电容充电电流所引起的测量误差作了修正．该仪器通过USB接口与上位机配合使用，具有小型轻便、操作界面友好和检测数据精确等特点，并具有本机显示和打印测量结果的功能．     

QSTEM技术中晶面指数的模糊逼近

本文阐述了 QSTEM 技术中获得的晶面夹角值与晶面指数之间的位相关系,提出了测量值与理论值的隶属度,建立了测量值与晶面指数之间的模糊关系——矩阵 A,通过两个例子,说明了模糊逼近的具体方法以及参数 T、m 和算子 H 等的具体意义。     

半导体单晶硅的离子束蚀刻实验研究

离子束蚀刻是一种有超精细加工能力的微细加工技术,广泛应用于微电子、光子技术、表面科学等领域。硅及其化合物常用来制作大规模集成电路,在其表面蚀刻出具有一定几何布图尺寸的沟槽。其深度、宽度、边壁倾角及槽底形状等直接影响器件的性能。