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21.
在考虑B,P,As离子注入单晶硅中的浓度分布模型的基础上,讨论了快速热退火对3种注入离子浓度分布的影响,提出了3种离子在快速热退火后浓度分布的修正模型,由修正后的模型得到的多次离子注入模拟结果与实验结果符合很好。 相似文献
22.
RTP硅太阳电池的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
用快速热处理(RTP,Rapid Thermal Processing,)制备太阳电池p—n结开辟了一种新的低成本技术。这些年许多科研机构对RTP系统的设计、RTP快速扩散模型、RTP制作器件做了深入的研究。文章主要介绍了RTP快速扩散模型和回顾了RTP硅太阳电池的发展过程,提出了RTP硅太阳电池研究的一些发展方向。 相似文献
23.
通过金相显微镜、扫描电镜、透射电镜等对多层喷射沉积制备的大尺寸耐热铝合金管坯及其经过挤压、旋压等致密化加工后的显微组织结构进行了检测和分析,并通过Instron拉伸实验对致密化加工过程中管坯的力学性能进行了比较.喷射沉积管坯的致密度约为88.9%,晶粒为200nm-500nm的微晶,20nm-60nm的球形或近球形析出相均匀分布于基体上.经过热致密化加工后管坯中的界面和孔洞明显愈合,析出相未见明显粗化.管坯经过挤压后,室温和350℃的断裂强度分别提高130%和400%.挤压管材旋压后,350℃力学性能变化不大,而室温屈服强度和断裂强度分别提高22%和13%. 相似文献
24.
华春 《淮阴师范学院学报(自然科学版)》2003,2(1):62-65
以库拉索芦荟茎段为材料进行离体培养,研究了外植体的取材,激素浓度及配比,抑制外植体褐化,糖,活化炭等因素对芽分化及根形成的影响。结果表明:芦荟幼茎及具芽切段适宜作为外植体材料;不定芽的分化与增殖以MS+6-BA3.0-4.0mg/L+NAA0.2mg/L,其6-BA与NAA浓度配比为15-20最佳,生根培养以1/2MS+NAA0.5-1.0mg/L+0.3%活性炭为适宜,在诱导芽和根的培养基中,食用白糖的适宜浓度为3%,抗坏血酸浓度为4%时对外植体材料的抗褐化作用较为明显。 相似文献
25.
26.
为欲充分发挥AlFeVSi系耐热铝合金应用潜力,进一步提高合金的综合性能,本文采用金相、X射线衍射、透射电镜和力学性能等测试手段研究了稀土元素Er对FVS0812合金的显微组织、力学性能以及热稳定性的影响,结果表明,FVS0812合金中加入少量Er可以保持合金良好的高温强度,明显改善合金塑性,而且降低了主要强化相A1_(12)(Fe,V)_3Si硅化物的粗化率,提高合金的高温稳定性;但是稀土Er也促使了δ(AlFeVSiEr)相的形成,因而不利于进一步改善合金韧性。为此,防止有害相形成,加入适当稀土元素合金化,将成为改善AlFeVsi耐热铝合金性能的有效途径。 相似文献
27.
凝固速度对CuZnAlMnNiTi形状记忆合金析出相形态的影响王世栋宋经章常凤莲张谨平(东南大学分析测试中心,南京210018)快速凝固可以显著地细化Cu.基形状记忆合金(SMA)的晶粒[1,2],有助于克服其冷加工脆性.为了防止快速凝固薄带在随后... 相似文献
28.
29.
一种大容量IGBT的驱动和快速保护方法 总被引:2,自引:0,他引:2
提出的大容量绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的驱动和快速保护方法能满足各种容量的IGBT器件和功率场效应晶体管(MOSFET)器件对驱动和短路保护的要求。介绍了驱动电路和快速保护电路的原理,及保护电路响应时间的测量方法。给出了在不同基准电压下,模拟不同退饱和的集射电压下的保护响应时间。短路试验证明了保护电路的快速性。此驱动保护电路已用于由50A/600V IGBT模块构成的逆变器和由400A/600V IGBT模块构成的直流斩波器。工业运行结果表明保护方法响应时间快,抗干扰能力强。 相似文献
30.
采用透射电镜研究了快速凝固Al-8.5Fe-1.3V-1.7Si合金在600℃长时间热暴露后强化相的转化行为.结果发现,高温下稳定性极好的Al12(Fe,V)3Si相在600℃时粗化速率明显加快.在有些强化相颗粒粗化的同时,伴随部分小尺寸颗粒的溶解.随热暴露时间的延长,强化相体积分数减小,粗化的颗粒外形由球形变为多边形,半共格关系遭到破坏.热暴露200h后,在基体中有异常粗大的Al13(Fe,V)形成,该相为底,X单斜结构,相内为孪晶结构. 相似文献