放矿随机过程中散体颗粒移动概率密度方程

通过对放矿随机过程的分析，提出了以布朗运动为理论基础的放矿过程散体颗粒移动的概率密度方程。为真实的模拟放矿随机过程中颗粒的移动奠定了理论基础，同时也为放矿理论研究提出了一条新的思路     

a-Si∶H/a-SiN_x∶H超晶格薄膜的光声谱

我们应用光声技术,研究a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大。     

双α射线冷却法测空气湿度的研究

介绍了双α放射线性同位素检测露点的方法。使用半导体探测器及半导体制冷器构成传感器,并利用无模型控制器进一步控制半导体制冷温度,达到对露点跟踪,实施在线检测并显示输出。实验结果表明,在-40～20℃范围内,具有很好的测量精度和重复性,测量精度优于±1℃。     

快速模拟退火算法用于MESFET大信号建模

对快速模拟退火算法的关键参数进行确定，将该算法应用于微波半导体大信号建模，解决了多变量非线性优化难题，实验结果表明该方法是有效的。从而为解决ＭＥＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＳｅｍ ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）大信号建模问题提供了一种新思路。     

用分子束外延技术按样定制半导体微观结构

在按样定制的半导体微观结构中，通过把异质结精确地植入晶体内即可定域地确定所期望的势能差。分子束外延技术用于以一个原子接一个原子的构建晶体薄膜，从而可以在微观惊工内精确地“裁剪”人工层状晶体。在ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ超晶格中各组分的周期性调制产生了新颖的电子性质，它开辟了崭新的技术用途。     

纤锌矿结构的GaAlN/GaN量子阱中电子激发态极化的压力效应

研究了GaN／GaAlN量子阱内电子的激发态极化（EESP）的压力效应，计算中考虑了纤锌矿结构材料的晶格常数、形变势的各向异性。以及内建电场（IEF）的作用．结果表明：电子势垒高度随压力下降；电子基态有效质量随压力下降而电子的第一激发态有效质量随压力上升；EESP强度随压力缓慢上升；电子极化的偶极矩随Al浓度非线性下降．一般情况下，EESP对IEF的影响可忽略，但当掺杂浓度n足够大（n〉10^19／cm^3）时，EESP可屏蔽IEF．     

极性半导体中通过形变势表面极化子

有不少的极性半导体，电子与表面光学（SO）声子耦会强，但与表面声学（SA）声子耦会弱。本文采用线性组合算符方法，导出了极性半导体中通过形变势表面极化子的有效哈密顿量。并对两种限情形进行了讨论。     

布拉格反射波导双光束边发射半导体激光器

报道1种在垂直远场方向上产生2个极窄的稳定对称光斑多量子阱边发射半导体激光器,在其有源区两侧设计布拉格反射波导结构.制备100μm条宽的边发射激光器,在垂直方向±33.4°附近实现2个稳定的7.2°对称的近圆形光斑,对器件镀膜后进行测试,在连续和脉冲工作条件下分别得到1.40,2.26 W的输出,器件的特征温度可达到91K.