反式-9,10-二氢-9,10-二苄基-9,10-菲二醇的合成与表征

以菲醌为原料合成了标题化合物,通过IR和1H NMR对其结构进行了表征.氢谱分析表明,亚甲基二氢核构成了AB二级谱自旋体系,这主要是由于孤立亚甲基的2个氢是化学不等价造成的.通过Chem3D程序模拟得到了标题化合物的能量最优化立体结构.     

基于YT0-101总线的PC与单片机通信系统的研究

在对YT0—101通信接口电路及其通信协议研究的基础上，探讨了PC机与8051单片机之间进行etech—bus串口通信软件和硬件设计的原理及方法，给出了单片机与YTO—101总线的部分接口程序。     

应用程序与数据库的接口设计技术

在管理系统开发过程中，应用程序的编写和数据库的设计都是比较容易实现的，而应用程序与数据库的接口设计却难于实现且容易出错。文章就这一问题论述了几种常见的编程语言编写的应用程序与数据库间的接口设计方法与技巧。     

计算机工具软件的知识产权与界面结构

对计算机工具软件的概念、知识产权、版权分类、界面结构、基本使用方法及设计方法等进行了论述．工具软件从版权意思上可以分为：公用软件、商业软件、共享软件、免费软件．工具软件一般具有标题栏、菜单栏、快捷按钮(工具)栏、正文操作区、右键快捷菜单栏、状态栏等界面结构．     

高频MOS－CV特性的界面态形变及其测量

讨论了工艺过程中产生的界面态陷阱电荷Ｑ（ｉｔ）对高频ＭＯＳ－ＣＶ特性线的形变规律，提出了一种沿电压方向形变的数据处理方法，以此算出Ｑ（ｉｔ）密度在禁带中的分布，并对常规高频ＣＶ法的测量误差作了讨论和修正，由于数据的采集和处理可以由微机完成，使这种方法变得简便、准确并易于在工艺线上推广使用。     

非欧姆氧化锌陶瓷的界面态和晶界势垒模型的探讨

本文对非欧姆氧化锌(ZnO)陶瓷的界面态进行了探讨,提出了控制非线性电导特性的界面态是由于晶界的深能级电子陷阱,且深能级电子陷阱的形成是由于存在氧缺位缺陷和金属离子正电中心的观点.本文在实验分析的基础上提出了一种新的晶界势垒模型,认为晶界势垒分为主晶界势垒和次晶界势垒,两种势垒的物理性质相同,但形成和蜕变的温度不同。     

一种含5-硝基间苯二甲酸和菲咯啉配体的超分子化合物：结构表征，光致发光和电化学性能

采用水热法合成了含混合配体的铜配合物[CuClPhen]⁺·[HL]^-·2H₂O（HL=5-硝基间苯二甲酸,Phen=1,10-菲咯啉）,其结构由单晶X射线晶体学确定。标题化合物在三斜空间群P-1的晶体化合物。标题化合物的晶体数据：C₃₂H₂₄ClN₅CuO₈,M_r = 704.54,a = 10.4044(5),b = 12.3912(9),c = 12.4632(9)Å,α = 73.859(6),β = 85.036(5),γ = 78.202(5)^°,V = 1510.09(17) ų,Z = 2, T = 293(2) K,D_c = 1.549 g/cm³,μ(MoKα) = 0.874 mm^-1,F(000) = 720.0,R = 0.0554,wR = 0.1434,GOF = 1.098。当用作超级电容器电极材料时,所制备的配合物具有高比电容、良好的循环稳定性和优良的倍率性能。在1mol/L KOH溶液中,最大比电容可达到69 F/g。在2 A/g电流密度下,10000次循环后比电容保持率为72%。标题化合物是一种潜在的红色光致发光材料。     

乌龙茶做青环境微机控制系统硬件与接口设计

本文介绍乌龙茶做青环境电脑控制系统中的温、湿度测量、A/D转换卡、输出控制电路的硬件、接口设计原理以及系统软件与控制方式。该系统对乌龙茶做青生产过程的环境能进行自动巡回检测,控制温、湿度达到最佳状态,并使生产过程自动化。     

用于VLSI的新型介质膜界面陷阱的特征

采用雪崩热电子注入技术和高频Ｃ－Ｖ准静态Ｃ－Ｖ特性测试,研究了新型快速热氮化的ＳｉＯｘＮｙ介质膜界面陷阱的特征,侧重于研究界面陷阱的特性与分布。结果表明：这种ＳｉＯｘＮｙ薄膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的分布变化呈现”回转效应“,且存在着不同类型、密度悬殊很大的电子陷阱、指出雪崩热电子注入过程中在Ｓｉ／ＳｉＯｘＮｙ界面上产生两种性质不同的快界面态陷阱;给出了这两种界面态陷阱密度在禁带中能量的分布     

西文状态下汉字图形用户界面的设计

本文讨论了在西文操作系统下汉字图形界面的实现方法,以及在这类程序中的输入控制技术。