Ti(Fe_(1-x)Mn_x)金属间化物的穆斯堡尔效应研究

用X射线衍射和穆斯堡尔效应对金属间化物Ti(Fe_(1-x)Mn_x)的结构随锰含量的改变而变化进行了系统的研究,结果表明,当x≥0.45时发生了结构相变.对三元系合金的同质异能移数值变化作了一定解释.     

Structural stability of infinite-layer CaCuCO<Subscript>2</Subscript> under high pressure

Since the discovery of high temperature supercon-ductivity by Bednorz et al. in 1986[1], many series of cu- prate superconductors have been synthesized. Critical temperature has been improved continuously. But no verdict has been given upon what mechanism causes su- perconductivity. CaCuO2 conductive layers are the parent structure of the high Tc cuprate superconductors, such as Cu-12 (n-1)n[2], Tl-12(n-1)n[3] and Hg-12(n-1)n[4,5] super- conductor families. In 1988, infinite-layer (Ca0.86S…     

X－ray reflectivity investigation of the foam bilayer film formed by hexaethylene glycol dodecyl ether

When the thickness of soap foam film varies in adefinite region, color changes of a soap bubble will be observed due to the interference of light. Black soap films are the final stages of thinning of soap films due to the drainage of water in the absence of evaporation and are generally formed from solutions of an ionic surfactant in the presence of salt. After a bubble is formed, in the beginning the soap film is relatively thick and it appearswhite; then the film thins gradually and finally …     

太阳耀斑放能机制的讨论——评《太阳高能物理》

本文对《太阳高能物理》所表述的太阳耀斑流行理论作了讨论,给出一种新的太阳耀斑放能机制——"电子—离子束缚态及其引发核过程"模型。并指出太阳耀斑中存在两个独立过程,有～12.5keV(p-e-p～12.5keV)、～25keV(p-e-A ～25keV)、～25keV(d -e-d ～25keV)线发射和(d,d)聚变。对太阳耀斑的一些主要现象作了分析,给出了太阳耀斑中X射线和高能粒子与流行理论不同的产生机制。     

用XANES研究Ga_(1-x)Mn_xN稀磁半导体的Mn原子的局域结构

利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga1-xMnxN(x=0.01,0.25,0.10)稀磁半导体中Mn原子的局域结构.结果表明在低Mn含量(摩尔浓度)的Ga0.990Mn0.010N样品中,Mn原子替代了GaN中的Ga,以替位形式存在.当Mn含量增加到0.025时,部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位,并与替位Mn原子形成了MnGa-MnI二聚体.当Mn含量进一步增加到0.100时,样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在.     

X射线磁性圆二色吸收谱:实验设备与初步实验

合肥国家同步揭射实验室已建立了初步的X射线磁性圆二色吸收谱（XMCD）技术，可以测量铁磁性3d过渡族元素Fe，Co和Ni的L边的XMCD，并获得它们的轨道和自旋磁矩．XMCD线站的主要技术参数为：能量范围100～1000eV，光子通量≈10^8 ph／s，能量分辨率≈1000；外磁场1500Gs.除了测量XMCD外，还可以测量C，N，O的K边近边吸收谱，以及部分元素的L边近边吸收谱．     

纳米Ti(CN)基金属陶瓷烧结过程中的相成分变化

采用在不同温度下真空烧结和X射线衍射研究纳米Ti(CN)基金属陶瓷在烧结过程中的相成分演变。研究结果表明:纳米Ti(CN)基金属陶瓷在900℃后,Mo2C和TaC由于扩散而发生固溶反应;在1 200℃前,Mo2C和TaC固溶反应结束,两相均消失;WC在1 100℃后,开始由于扩散而发生固溶反应,在1 250℃前消失;在1 250℃后,合金中只有Ti(CN)和Ni(Ni Co)两相存在;与纳米Ti(CN)基金属陶瓷不同,微米Ti(CN)基金属陶瓷中的WC在1 200℃后,由于扩散而发生固溶反应,在1 300℃消失;纳米Ti(CN)基金属陶瓷在固相反应完成之前,随着烧结温度的升高,硬质相和粘结相的晶格常数增加。     

35例累及颈动脉间隙病变的影像分析

目的:探讨邻近或转移性病变累及颈动脉间隙的影像特点.方法:搜集35例疾病经临床病理证实患者的影像资料,分析其病变累及颈动脉间隙的影像学表现.结果:转移性淋巴结20例(占57%)均推压、包绕颈动脉间隙内血管.淋巴瘤7例(占20%)均为推移颈动脉间隙内血管.其他病变(8例,占23%)如神经鞘瘤等均以推压为主,使颈动脉间隙内血管移位.10例恶性肿瘤及1例病灶感染(占31%)则表现为病变与血管之间的脂肪层消失.结论:转移性淋巴结多为包绕颈动脉间隙内的血管.淋巴瘤及良性肿块主要是推移颈动脉间隙内的血管.     

磁控弧光增强等离子体CVD(化学气相沉积)法制备立方氮化硼薄膜

采用一种新的自行设计的磁控弧光增强等离子体化学气相沉积法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜.现已成功地在单晶硅上制备出了含量较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.制备出的薄膜用傅立叶红外(FTIR)光谱和X射线衍射(XRD)谱来表征.同时研究了各个沉积参数(基底直流负偏压、弧光等离子体放电电流、气体流量比)对立方氮化硼薄膜制备的影响.     

用蒙特卡罗方法计算X射线在酞菁铜与重金属界面的剂量增强系数

用蒙特卡罗方法计算金-酞菁铜、 钨-酞菁铜和钽-酞菁铜界面的剂量增强系数. 结果表明, 当X射线能量为100~150 keV时, 界面附近酞菁铜一侧存在较大的剂量增强. 