在硅基材料上用Sol-gel法制备涂层测定氧扩散系数研究

提出一种测定氧扩散系数新方法。用Sol-gel法制备了Y2O3/SiO2均匀致密的薄膜，能成功解决其它方法无法得到的冶炼所得到的熔体，光学椭偏测定氧化层的膜厚。探讨了氧在薄膜中的扩散，在Wagner理论基础上，用数学方法表达在掺杂SiO2薄膜氧扩散系数与氧化层膜厚的关系。     

Ca~(2+)对普通念珠藻(Nostoc commune Vanch.)生长影响的试验

对普通念珠藻(NostoccommuneVanch.)进行了生长条件的探索研究。初步研究结果表明:普通念珠藻的生长需要最适光照强度为2200lux左右,最适温度25℃,生长最适点pH=8;在0.02%的Ca2+浓度下的生长状况最好。     

Oracle 8i数据库性能优化技术

探讨和分析了Oracle 8i数据库系统的原理和特点，阐述了优化Oracle应用系统性能的一些原则和方法，从Oracle数据库服务器、应用和网络等方面分析了性能优化技术，从而使数据库应用系统运行得更有效，资源更充分，以达到最佳性能。     

固体电解质Li4+xBxSi1-xO4-yLi2O的合成及导电性

用溶胶－凝胶法制备了Li4 xBxSi1-xO4-yLi2O(x=0.1-0.6;y=0.0-0.5)离子导体材料，并用DTA－TG，XRD及交流阻抗等技术对样品进行了测试，结果发现用溶胶－凝胶法可降低Li4 xBxSi1-xO4的合成温度；随Li2O的掺入可增强基质材料的致密性并可提高其离子的导电性能。     

纳米固体超强酸SO42-/Fe2O3催化合成柠檬酸三丁酯

合成了纳米固体超强酸，考察了该催化剂在柠檬酸三丁酯合成中的催化活性，并与非纳米的SO4^2-/TiO2,SO4^2-/ZrO2,SO4^2-/Fe2O3，浓H2SO4催化剂进行了比较，同时对酯化反应的几种影响因素进行了研究。     

正则地稳定环和模的稳定同构

设R是一个含幺结合环。如果任意两个稳定同构的有限生成投射R－模均是同构的，则称R是强Hermitian环；如果对任意正则元a,b∈R且aR bR=R,均存在y∈R使得a by可逆，则称R是正则地稳定环。本文证明了环R是强Hermitian环，当且仅当对任意自然数n有Mn(R)是正则地稳定环。还给出了正则地稳定环的一些性质和刻画。     

低热固相法合成纳米(NH4)3PMo12O40·4H2O及其机理的研究

通过低热固相反应合成了纳米(NH4)3PMo12O40*4H2O,XRD、31P NMR研究发现,在此固相反应的4个步骤中(扩散,反应,成核,生长),反应的速率控制步骤是产物的成核.     

液相法制备LiMn2O4及掺杂研究

以LiNO3,Mn(NO3)2和弱有机酸为原料,将其按一定比例混合,先于低温蒸干水分,再在250℃加热1h,得到黑色前驱物粉末;将前驱物在650～800℃焙烧10～20h便可得到LiMn2O4晶体.此外,研究了生产LiMn2O4晶体过程中温度及添加Ni,Co,Al对LiMn2O4晶化程度和结晶结构的影响.研究结果表明:利用液相法可以使反应物充分反应,能够得到晶形完整、结晶度高的尖晶石型LiMn2O4;并通过该液相法能更均匀掺杂,得到晶粒粒径更小的掺杂Ni,Co,Al型LiMxMn2-xO4.     

高性能CMOS LVDS I/O接口单元的设计研究

提出了一种适用于笔记本电脑平板显示器接口的高性能CMOS LVDS I／O接口单元，着重分析了高性能CMOS LVDS I／O接口单元电路结构及其工作原理，基于TSMC的3．3V0．25μm CMOS SPICE模型，在Cadence的环境下用Spectre仿真器进行模拟，仿真结果充分体现了该LVDS I／O接口单元的高速率、低功耗及低噪声等高性能．     

凝胶-固相反应法制备SrBi2Ta2O9

以碳酸锶、五氧化二钽、三氧化二铋等物质为原料，采用凝胶一固相反应法制备了SrBi2Ta2O9。利用XRD、DTA、SEM等分析手段对其形成过程和烧结特性进行了研究。结果表明，球磨时间、烧结时间以及烧结温度对烧结密度和SrBi2O9的分解都有明显的影响。介电性能显示，该方法合成的SrBi2Ta209和传统的固相法合成的SrBi2TaO9性能差别不大。