Structural and optical properties of Zn1−xNixTe thin films prepared by electron beam evaporation technique

Zn1-xNixTe thin films with different composition(x=0.0, 0.05, 0.10, 0.15 and 0.20) were deposited on glass substrate by electron beam evaporation technique followed by its characterization using advanced structural and optical analysis techniques. Structural properties of the prepared thin films were studied by X-ray diffraction(XRD). The XRD patterns revealed that the binary compounds transformed into a ternary compound with cubic structure having preferred orientation along the c-direction with(111) planes. Composition analysis of the films was determined by energy dispersive analysis of X-rays(EDAX) and found to be in agreement with the precursor composition. Optical properties such as extinction coefficient(k) and band gap energy of these films were examined by using a spectroscopic ellipsometer. It was found that the extinction coefficient(k) increased with the addition of Ni content in the alloy. In comparison, the band gap energy was also determined by using transmission spectra and found to be agreed with that of the ellipsometric results. These analyses confirm that the band gap energy decreases with the increase of Ni content in the alloy.     

应变层超晶格（CdTe）n／（ZnTe）m的带偏移与亚带结构

本文由形变势理论研究了应变对超晶格（ＣｄＴｅ）ｎ／（ＺｎＴｅ）ｍГ点带边的影响计算了带偏移。在有效质量近似下，计算了对称的双量子阱中的亚带结构随阱宽与垒宽的变化规律及电子和空穴的几率密度分布。     

应变层超晶格（ZnSe）n／（ZnS）m的亚带结构

本文讨论了应变对越晶格（ＺｎＳｅ）＿ｎ／（ＺｎＳ）＿ｍ在Ｔ点带边结构的影响，计算了带偏移：并在双量子阱近似下，用有效质量近似方法计算了应变层超晶格（ＺｎＳｅ）＿ｎ／（ＺｎＳ）＿ｍ的亚带结构。     

带状方程组q叉树MIMD算法

利用行处理法贪心方法和分治策略给出一个基于分布式存储MIMD一级q叉树树机模型求解任意带状方程组的并行迭代算法，证明算法对相容性带状方程组收敛并分析算法的通信复杂度。     

低噪声宽带放大器的设计及应用

本文详细地叙述了UHF频段低噪声宽带放大器的设计及其应用。放大器由三只低噪声双极晶体管2sc3358组成,制作在环氧玻璃纤维敷铜板上,并安装在一个90×50×30mm~3的铝制屏蔽盒内。其性能为:频率范围470～970MH_2,增益>28dB,噪声系数(合混频器)<1.5dB。     

TAN分类器及其应用

主要介绍了贝叶斯网络分类器中的TAN分类器的模型、构造方法及分类方法.通过对参加2006年6月大学英语四级考试同学的学习情况及考试成绩的问卷调查获得数据,采用Hold-out检测方法,即取出其中2/3的数据集作为训练集,另外1/3数据集作为测试集,构造TAN分类器,检验分类器的分类效果.并通过与朴素贝叶斯分类器分类效果的对比实验,证明TAN分类器是分类效果较好的分类器.     

CrC的能带结构研究

采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了ＣｒＣ的能带结构，对引起Ｓｉｎｇｈ与ｚｈｕｋｏｖ等人计算结果差异的原因进行了探讨．结果表明，特殊ｋ点数的选取对计算结果有较大影响，而在原子球间隙区添加空原子球有助于改善计算结果     

六方氮化钼电子结构的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理方法,采用vasp计算程序包,计算六方氮化钼的晶胞参数,在此基础上计算它的能带结构、总态密度和局域态密度,分析了六方氮化钼的电子结构,并阐明了其具有高导电性的原因.     

正则带的自由积与张量积

本文证明正则带的自由积的极大正则带同态象同构于这些正则带的正则范畴中的自由积,并证明正则带的自由积的张量积可表为张量积的自由积。