Glauber和Kawasaki动力学下正方格子上伊辛模型居里温度的蒙特卡罗计算

利用蒙特卡罗方法研究正方格子上的伊辛模型的相变问题．讨论了不同翻转方式(随机翻转和顺序翻转)以及不同动力学规则(Glauber动力学和Kawasaki动力学)对正方格子上的伊辛模型的居里温度Tc的影响．结果表明，当Glauber动力学占主要地位时，在两种翻转方式下都可以计算出居里温度Tc的值，当Kawasaki动力学占主要地位时，只能用随机翻转的方法获得居里温度Tc．     

DGPVT软件包的开发及应用

介绍了针对油藏流体及其注气体系的相态及物性的预测而开发的DGPVT软件包功能、模型及特点。基于实验数据对DGPVT软件包的预测准确性进行了检验,并与石油界知名的商用油气相态及物性计算软件包STATPACK进行了比较。     

用焓法有限元解相变问题的离散化方法

为了消除应用焓法进行含有相变的有限元传热计算结果呈台阶形的现象,本文作者提出“焓计算单元”和“固相分数”的概念,并将几种一维有限元实施方案的计算结果与精确解对比,说明采用所提出的概念,可以使有限元计算得出更为合理的结果。     

细支纱摩擦纺初探——尘笼胆结构及其安装角α对纺纱的影响

本文以细支纱摩擦纺为研究对象,利用实验测试手段研究了尘笼胆结构对吸口轴向负压和尘笼胆安装角α对加捻区轴向负压和流速分布的影响。最后,基于类似于控制论中的“黑箱”原理,采用二次正交回归设计在实验室自制单头机上进行了32支纱的纺纱试验,建立了加捻辊加稔效率、纱线品质指标及CV值与尘笼胆几何尺寸、尘笼胆安装角α、摩擦辊转速及纺纱速度间的关系,并作了分析,由此得到选取α=0°、S=6毫米左右较好的结果。     

Microstructure and optical properties of Ag5In5Te47Sb33 phase change thin films with high reflection in thermal annealing process

The microstructure and optical properties of Ag-5In-5Te 47Sb 33 phase change films with high reflection in the thermal annealing process were systematically reported. The as_deposited film is amorphous and its crystalline temperature is 160℃. The annealed films are crystalline. The crystalline phases are AgInTe-2, AgSbTe-2 and Sb when annealed at low temperature. When annealed at 220℃, the AgInTe-2 phase disappears and the amount of AgSbTe-2 is the largest. The research of electronic transmission microscopy shows that the morphology of AgSbTe 2 is sphere and that of Sb is bludgeon. The reflection of the annealed films is higher and reaches its peak value at 220℃.     

SAG法合成钛酸铅纳米晶粒的工艺和结构研究

ＳＡＧ法合成钛酸铅纳米晶粒的工艺和结构研究李永祥刘泽吴冲若（东南大学电子工程系,南京２１００９６）ＰｂＴｉＯ３是应用广泛的铁电和光电材料之－,研究ＰｂＴｉＯ３纳米晶粒的合成技术和电学性能对基础研究和新型复合功能材料研究都有重要意义．作者曾采用Ｓｏｌ...     

2-(1-萘甲基)-3(2-四氢呋喃基)丙酸N,N-二乙氨基乙酯草酸盐的新法合成

改进２－（１－萘甲基）－３－（２－四氢呋喃基）丙酸Ｎ,Ｎ－二乙氨基乙酯草酸盐（Ⅵ）合成方法．方法在１－氯甲基萘和四氢糠基丙二酸二乙酯（Ⅰ）的烷基化反应中使用ＮａＨ／ＤＭＦ为催化剂;在２－（１－萘甲基）－３－（２－四氢呋喃基）丙酸（Ⅳ）与２－氯乙基－Ｎ,Ｎ－二乙基胺的酯化反应中加入相转移催化剂;在２－（１－萘甲基）－３－（２－四氢呋基）丙酸Ｎ,Ｎ二乙氨基乙酯（Ⅴ）与草酸成盐中,直接使用二水合草酸替代脱水草酸．结果烷基化反应产率提高到７５％,反应时间缩短到２ｈ;酯化反应产率从文献报道的７２％提高到９２％;二水合草酸成盐效果与脱水草酸相同．结论该方法较已有的合成方法产率有较大提高且操作简便,有较好的工业化前景．     

Preparation and optical properties of solid solution semiconductor (Zn x Cd1−x S) doped silica glasses

Semiconductor(Zn_xCd_1−x S) doped silica glasses were prepared by Sol-Gel process andin situ growth technique. The structure of the materials was characterized by X-ray diffraction technique, the particle size of semiconductor crystallites from X-ray patterns was estimated less than 10 nm. From absorption spectra, it is obtained that the absorption edges shifted to short wavelength direction when Zn contents increased, and the absorption edge can be adjusted from 2.46 eV to 2.96 eV by controlling Zn contents. The third-order nonlinear optical susceptibility was studied at 532 nm with 8 ns pulse laser by degenerate four wave mixing (DFWM) technique.