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1.
用XeCl准分子激光器对a-Si:H薄膜进行了低能量密度下的辐照处理,测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化。研究表明,能量密度在75mJ/cm^2附近的激光辐照可导致膜的电导率大幅度升高,这种电导率异常是膜表层形成了nmSi晶粒分散于a-Si:H基底中的混合相的反映。 相似文献
2.
3.
研究了有源层a-Si∶H的厚度对a-Si∶HTFT特性的影响.研究结果表明,a-Si∶H层的厚度对a-Si∶HTFT的静态特性(如开/关态电流比、阈值电压等)有较大的影响.理论分析表明,这是由于钝化层固定电荷在有源层背面引入了背面空间电荷层造成的.详细分析了背面空间电荷层对a-Si∶HTFT特性的影响,提出了一个a-Si∶HTFT有源层厚度优化设计的下限值,理论与实验相符合 相似文献
4.
用PECVD方法, 以固定的甲烷硅烷气体流量比([CH4]/[SiH4] = 1.2)和不同的氢稀释比(RH = [H2]/[CH4+SiH4] = 12, 22, 33, 102和135)制备了一系列的氢化非晶硅碳合金(a-SiC:H)薄膜. 运用紫外-可见光透射谱(UV-VIS)、红外吸收谱(IR)、Raman谱以及光荧光发射谱(PL)测量研究了氢稀释和高温退火对薄膜生长和光学特性的影响. 实验发现氢稀释使薄膜光学带隙展宽(从1.92到2.15 eV). 高氢稀释条件下制备的薄膜经过1250℃退火后在室温下观察到可见光发光峰, 峰位位于2.1 eV. 结合Raman谱分析, 认为发光峰源于纳米硅的量子限制效应, 纳米硅被Si-C和Si-O限制. 相似文献
5.
基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备非晶硅太阳电池,通过微量调节氢稀释(R_H),研究其对本征非晶硅吸收层的光学带隙及微结构的影响。实验结果显示当R_H由6.5增加到10时,本征非晶硅吸收层的光学带隙由1.796eV提高到1.973eV,电池效率随R_H的降低先升高后降低。并在R_H=7时达到最大值,此时的本征非晶硅薄膜的光学带隙约为1.836eV,其电池效率达到8.4%(V_(oc)=897.2mV,J_(sc)=14.86mA/cm~2,FF=62.96%)。实验表明R_H的提高并不能单调增加电池的效率。通过对微结构的分析发现,这主要是由于R_H过低或过高时,其Si-H_2键成分比例较高,微结构因子R较大,使得薄膜中缺陷较多所引起电池恶化导致的。 相似文献
6.
7.
金属/非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布 总被引:1,自引:0,他引:1
唐元洪 《湖南大学学报(自然科学版)》1990,17(4):35-41
本文证明:在一定条件下,描述非晶硅隙态密度分布的三种基本函数,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算金属/非晶硅势垒低频电容时也是等价的.并通过测量室温时低频势垒电容,得到了隙态密度分布函数模型等价的标准. 相似文献
8.
用两种不同波长、不同功率的单色光作为激发光源,研究非晶硅PIN太阳能电池的光电特性,测试并计算了有关数据,发现在高功率强光照射下,PIN太阳电池光电转换呈现一种异常的现象,对此作了理论解释。 相似文献
9.
用电解方法在非晶硅中掺入了原子氢,使非晶硅中悬挂键的ESR信号明显下降,相应悬键密度由2.5×10 ̄(18)cm ̄(-3)下降为8×10 ̄(17)cm ̄(-3).并发现以H_3PO_4为电解液时,对作为阴极的非晶硅和P型单晶硅均有轻度的腐蚀作用,在H_2SO_4中电解,温度高达220℃,对硅也无腐蚀作用. 相似文献
10.