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| 准分子激光诱导下a—Si：H膜的电导率异常 | |
| 引用本文： | 戴永兵,安承武.准分子激光诱导下a—Si：H膜的电导率异常[J].华中理工大学学报,1998,26(3):5-7. |
| 作者姓名： | 戴永兵 安承武 |
| 作者单位： | [1]华中理工大学电子科学与技术系 [2]华中理工大学激光技术与工程研究院 |
| 摘 要： | 用ＸｅＣｌ准分子激光器对ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜进行了低能量密度下的辐照处理，测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化。研究表明，能量密度在７５ｍＪ／ｃｍ＾２附近的激光辐照可导致膜的电导率大幅度升高，这种电导率异常是膜表层形成了ｎｍＳｉ晶粒分散于ａ－Ｓｉ：Ｈ基底中的混合相的反映。 |
| 关 键 词： | 电导率异常 准分子激光 氢化非晶硅 半导体 |
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