4—氨基—1,2,4—三唑Schiff碱双核M（Ⅱ）配合物的合成及磁性

合成一类新的配合物［M2L2］（ClO4）2·nH2O［M＝Cu（Ⅱ）（1）、Co（Ⅱ）（2）Ni（Ⅱ）（3）,L为4－（邻羟苯基亚甲基）亚胺－1,2,4－三唑］．元素分析、红外光谱、电子光谱等分析数据表明配合物具有酚氧桥的结构．配合物的变温（4～300K）磁化率测定值与理论模型拟合,求得磁参数分别为：配合物（1）J＝－99．32cm－1,g＝2．12;配合物（3）J＝－72．58cm－1,g＝2．12．表明金属离子间有弱的反铁磁相互作用．     

乙烯气相聚合高效催化剂的组成和聚合反应

研究了２种类型的乙烯气相聚合高活性催花剂．用ＳｉＯ２,ＭｇＣｌ２作复合载体,负载ＴｉＣｌ４制得的ＳＭ型催化剂,载体中含ｗ（Ｔｉ）为２％～３％,ｗ（Ｔｉ３＋）为３５％～５９％,比表面积１０５～１２０ｍ２／ｇ,催化活性每小时每克催化剂Ｔｉ催化得５．０～５．７ｋｇ产物ＰＥ（ｋｇ·ｇ－１·ｈ－１）,聚合动力学曲线为衰减型．用镁粉、卤代烷、四氯化钛为主要组分制备的ＭＧ－２型催化剂,载体中ｗ（Ｔｉ）为６％～７％,ｗ（Ｔｉ３＋）为５５％～６９％,比表面积７０～８５ｍ２／ｇ,催化活性１．８～２．０ｋｇ·ｇ－１·ｈ－１,聚合动力学曲线为平稳型．对ＳＭ型催化剂扫描电镜及图象分析得到颗粒平均粒径（ｄ）,颗粒长短轴比（ｄｌ／ｄｓ）及颗粒大小粒径比（ｄｍａｘ／ｄｍｉｎ）分别为３１μｍ,１．４０２,４．１,ＭＧ－２型催化剂为３３μｍ,１．５２４,７．０,相应聚合产物颗粒的ｄ,ｄｌ／ｄｓ,ｄｍａｘ／ｄｍｉｎ,ＳＭ型催化剂为２４７μｍ,１．２９５,４．６,ＭＧ－２型催化剂为２６３μｍ,１．５４０,９．０．显示出ＳＭ催化剂更优良的聚合性能．     

细小煤粉绕流球形颗粒的数值模拟

为了深入研究气固两相流中颗粒间的相互作用情况,应用颗粒轨道模型和单元内颗粒源方法,对不同直径的细小煤粉颗粒绕流单个球形大颗粒后的运动特征进行了数值预测和模拟,研究了宽筛分条件下大颗粒的尾涡作用对小颗粒运动轨迹的影响。同时将计算结果与激光全息的实验结果进行了对照,二者符合得较好。结果表明,只有当细颗粒的尺寸小到一定程度时,大颗粒的尾涡才对其运动轨迹有显著影响。这些结果对深入研究高浓度、宽筛分条件下循环流化床锅炉内颗粒场的分布和流体动力特性有重要意义。     

电荷转移多金属氧酸盐的研究进展

概述了多金属氧酸盐与ＴＴＦ类π电子有机给体形成的电荷转移盐研究的简短历史和新近进展,着重评述了它们的合成、结构、性质以及研究方法．     

暂态过程中金属电导率的探讨

分析暂态过程驰豫时间的不合理性,估算出暂态过程中金属电导率σ≈１ｓ·ｍ－１,即比稳态时的电导率小７个数量级左右．     

配合物PdCl（μ—dppm）2Rh（CN）2—P（OMe）3的成键特性

含有各种类型配体的过渡金属配合物化学是一个非常活跃的领域。当代化学的一个热点就是有机金属配合物和键。其中由于大多数含磷配体的配合物可作为各种重要反应的催化剂或催化剂前体已经引起了人们的浓厚兴趣［1-2］。在研究过渡金属原子簇电子结构和成键规律时,由于过渡金属原子含有d轨道,有时甚至要考虑f轨道,使金属的价轨道数目增加,成键情况要远比非过渡金属复杂,研究金属原子和配体之间的结合形式和成键性质可为了解分子结构和反应机理提供重要依据。对于具有M2（μ-dppm）2骨架的配合物,我们曾用EHMO法研究了一系列具有M2（…     

硬脆颗粒增强金属基复合材料的切屑形成机理

颗粒增强金属基复合材料具有非均匀的显微组织结构,在切削力作用下其剪切变形不是在一个平面内而是在一个有相当厚度的区域内完成,传统的单一剪切平面模型不适合用于这类非连续增强型复合材料的切削分析．颗粒增强复合材料基体的塑性变形始终受到不可塑性变形颗粒的干扰,故在复合材料成屑过程中裂纹的形成和扩展起重要作用,并由此决定了切屑的基本形态．分析了材料进入剪切变形区后发生的非定向连续滑移、剪断和基本稳定滑移三种情况．     

粒状FeCu纳米颗粒体磁性和磁粘滞性的研究

溶胶法制备了不同粒度的ＦｅＣｕ纳米颗粒体,Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）确定了样品的相组成和颗粒的平均粒度,振动样品磁强计（ＶＳＭ）测量了样品在不同温度下的磁化曲线,磁滞回线,涨落场和有效激活体积．“趋近饱和定律”方法求出了样品的有效磁各向异性常数．利用均匀反磁化模型计算了样品的矫顽力,计算值与测量值基本相符．结果表明,样品的激活体积随颗粒体积的增大而增大,激活体积与颗粒的平均体积的大小基本属于同一数量级,粒状ＦｅＣｕ纳米颗粒的反磁化基本符合均匀反磁化．     

小尺寸金属系统电导率的计算

运用量子统计要函数方法和久保公式分别计算一维金属线、二维金属薄膜的杂质散射电导率,计算结果表 尺寸金属系统的电导率跟金属系统上有关,具有量子尺寸效应。     

化学法清洗硅片过程中清除颗粒的机理(英文)

对化学法清洗硅片过程中消除颗粒的机理作了定量的探讨。颗粒的清除是由于化学蚀刻和颗粒与表面排斥力共同作用的结果。首次提出了最浅蚀刻深度和最小蚀刻速度的概念。最浅蚀刻深度可通过颗粒与表面间作用能的关系进行计算。是小蚀刻速度则可通过蚀刻侧形进行计算。研究结果对于优化化学法清洗过程和设计高性能清洗液都具有重要意义。