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51.
采用射频(RF)磁控溅射法在玻璃衬底上制备了c轴择优取向的ZnO薄膜。对所制备的ZnO薄膜在空气气氛中进行不同温度(350~600℃)的退火处理。利用XRD研究退火对ZnO薄膜晶体性能和应力状态的影响;用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜的表面形貌;用分光光谱仪测试薄膜的透光率。研究表明,随退火温度的升高,ZnO薄膜(002)衍射峰强度不断增强,半高宽逐渐减小;ZnO薄膜中沿c轴方向存在着的张应力在500℃退火时得到松弛;退火处理后薄膜的平均透光率变化不大,但透射光谱出现了“红移”现象。 相似文献
52.
结合T10A钢胶木成型模具的具体工作条件、性能要求和失效形式,采用性能(硬度)测试和金相显微分析等研究手段,分析了T10A钢胶木成型模具失效的主要原因,在失效分析和试验研究的基础上,有针对性的改进了T10A钢胶木成型模具的热处理工艺.研究结果表明,通过优化和改进模具的热处理工艺及其参数,有效地改善了胶木成型模具的使用性能,提高了模具的使用寿命. 相似文献
53.
热处理对直流磁控溅射ITO薄膜光电学性质的影响 总被引:2,自引:4,他引:2
利用直流磁控溅射在石英衬底上沉积透明导电的掺锡氧化铟(ITO)薄膜,在相同条件下制备了两种不同溅射时间(30、10min)的样品,样品在400℃的大气中进行1h退火处理.利用分光光度计测量薄膜的正入射透射光谱,并拟合透射光谱得到薄膜的折射率、消光系数及厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质,包括载流子浓度、载流子迁移率和电阻率.实验结果显示退火处理对ITO薄膜的光学、电学性质有重要影响,退火样品在可见光区域的透过率明显提高,且光学吸收边向长波方向移动;然而,退火前薄膜的电学性能更好. 相似文献
54.
冷卷热处理生产调度模型的启发式算法 总被引:1,自引:0,他引:1
针对某钢铁公司冷轧厂热处理车间冷卷热处理生产调度中车间大、炉区小的实际状况,建立了以热罩和冷罩为机器,冷卷为工件的一类不允许等待的混合流水车间排序模型.利用参数排序策略,实现炉区之间冷卷的重新分配;利用值排序策略,确定新的热处理顺序,使得所有冷卷最长热处理时间最短.在此基础上开发的冷卷热处理生产调度系统正在冷轧厂试运行,目前系统运行稳定、速度较快、功能较强,预计每年可创直接经济效益5000多万元. 相似文献
55.
作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成。 相似文献
56.
对触变成形AZ91D镁合金在不同热处理条件下的时效组织进行了研究,结果表明:随着固溶温度的增加,第二相具有较大的时效析出速度,并且析出数量较多.经415 ℃、24 h固溶处理后的试样在时效处理过程中,第二相有两种析出方式:连续与不连续析出.在180 ℃没有连续析出,温度高于200 ℃后两种方式交替进行.时效处理温度越高,第二相析出的速度越快.同时也使得连续析出在很短时间内就开始发生,并且在晶粒内部与不连续析出互相交织在一起进行. 相似文献
57.
本文通过对断裂的活塞销进行宏观检验、化学分析、金相检验、SEM分析、硬度检测及受力情况的分析,找到了活塞销发生断裂的原因,即活塞销设计思想有误.并且在淬火时温度偏低或保温时间较短,致使组织中出现大量铁索体,降低了活塞销的疲劳强度,另外,活塞销油槽,油孔加工时较租糙,在应力的作用下发生了疲劳断裂。 相似文献
58.
59.
结合唐钢镀锌线退火炉的工艺特点,热模拟了退火工艺,检验了退火后带钢的力学性能和金相组织,为实际生产提供了理论依据. 相似文献
60.
从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs量子阱材料在高温热退火过程中的结构和物理性能的变化。在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs材料的带隙增加,从而引起PL谱峰值的蓝移。 相似文献