排序方式: 共有31条查询结果,搜索用时 173 毫秒
1.
利用溶剂热法可控制备出了具有核壳结构的锰掺杂ZIF67纳米复合材料(Mn-ZIF67),通过扫描电子显微镜(FESEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了其微观形貌和元素组成,利用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS)分析了样品的物相组成以及元素价态.电化学测试结果表明Mn-ZIF67拥有优异的超电容特性和循环稳定性,在1A·g~(-1)的电流密度下的比电容可达257F·g~(-1),是ZIF67比电容的十几倍,并且在10000圈的充放电后仍保持着95.3%的比容量.卓越的电化学性能归因于二维的片状结构可以缩短离子的传输路径,并且提供了更多的活性位点,有利于电荷的快速转移. 相似文献
2.
文章利用超微铂电极,结合循环伏安法和电化学阻抗谱,研究了所制备的一碘化N-(2-羟乙基)乙二胺盐(HEEDAI)中,不同I2浓度对溶液中I3-的氧化还原行为及Pt电极/电解质溶液界面的影响;将HEE-DAI和1-甲基-3-丙基咪唑碘(MPII)分别作为I-供体,组成纯离子液体电解质组装成染料敏化太阳电池(DSSC),并比较了相应DSSC的光伏性能。结果表明,随着HEEDAI中I2浓度的增加,溶液中I3-的扩散系数逐渐减小;I2浓度为0.15 mol/L的HEEDAI所组装成的DSSC表现出较好的光伏性能;且与MPII相比较,HEEDAI所组装的DSSC具有较高的开路电压和填充因子。 相似文献
3.
文章采用电化学阳极氧化法以纯钛薄片为阳极,惰性电极石墨为阴极,以含0.4 mol/L HF的乙二醇溶液为电解液,在恒定的电压(100 V)下制备了TiO2纳米阵列,并分别通过水热法和高温退火对纳米阵列进行晶化处理;利用XRD、SEM、TEM、紫外-可见光分光光度计(UV-Vis)对纳米阵列的组织结构、形貌及光吸收性能进行了表征。在该体系下,制备出的TiO2纳米管阵列直径为120~140 nm,管壁厚为15~25 nm,长度为30~40μm。经过不同温度的水热处理或高温退火处理,均可得到锐钛矿相的TiO2晶体。通过电化学综合测试系统测定了晶化后的TiO2纳米阵列的线性伏安曲线,为提高光电催化效率做了理论分析。 相似文献
4.
本文借助于DSC热扫描仪、电子显微镜和硬度计等仪器,研究了化学沉积镍磷合金镀层的强化性能和机制。试验结果表明,随着镀层的磷含量增加,镀层硬度上升,然后下降;在热处理过程中,镀层的硬度变化经历了一个最大值过程,最高硬度出现在400℃。低磷镀层表现为沉淀强化过程,高磷镀层产生分散强化作用。 相似文献
5.
本文采用化学镀方法制备非晶态Ni-P合金,研究了非晶态Ni—P合金的组织结构转变过程。结果表明,非晶态Ni-P合金的磷含量影响其晶化转变,磷含量小于11.0%,晶化相为f.c.c Ni,大于11.0%的则为Ni_3P,其过程类似过冷液体的结晶过程。 相似文献
6.
采用射频(RF)磁控溅射法在玻璃衬底上制备了c轴择优取向的ZnO薄膜。对所制备的ZnO薄膜在空气气氛中进行不同温度(350~600℃)的退火处理。利用XRD研究退火对ZnO薄膜晶体性能和应力状态的影响;用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜的表面形貌;用分光光谱仪测试薄膜的透光率。研究表明,随退火温度的升高,ZnO薄膜(002)衍射峰强度不断增强,半高宽逐渐减小;ZnO薄膜中沿c轴方向存在着的张应力在500℃退火时得到松弛;退火处理后薄膜的平均透光率变化不大,但透射光谱出现了“红移”现象。 相似文献
7.
前驱体碳酸铝铵的制备及相变研究 总被引:4,自引:0,他引:4
以硫酸铝铵和碳酸氢铵为主要原料,采用沉淀法制备出α-Al2O3的前驱体碳酸铝铵。利用X射线衍射仪和透射电镜对纯碳酸铝铵粉末进行表征,并对其煅烧过程中的相变进行了探讨。结果表明,所制得的前驱体碳酸铝氨粒径较小,约为9nm,在煅烧过程中,经历如下相变:AACH→无定型→γ→γ+θ+α→θ+α→α。 相似文献
8.
文章介绍了采用高能球磨法制备Cu-Zr复合粉体,采用SEM、XRD等方法研究粉体的机械合金化过程,并进一步研究了其冷压成形和烧结过程.结果表明:随着球磨时间的延长,一部分Zr固溶到Cu中,形成Cu-Zr过饱和固溶体,另一部分则与铜生成铜锆金属间化合物;粉体由片状转变为近球状,显微硬度逐渐增加;当球磨超过15 h后,复合粉体硬化,为了得到某一密度的压坯,需要更高的压制压力. 相似文献
9.
研究了Ni-P-PTFE复合材料的组成与摩擦学特性,结果表明,改变PTFE的添加量,可获得不同成分的Ni-P-PTFE复合材料,与Ni-P合金相比,Ni-P-PTFE复合材料保持基体的结构,硬度降低,磨耗量提高,但是摩擦系数显著降低,减摩性能增强,热处理后Ni-P-PTFE复合材料的硬度和耐磨性能提高。 相似文献
10.