高频放电处理ITO电极对有机电致发光器件性能的影响

采用高频放电的方法对ITO电极表面进行了处理,并用接触势差法测量了处理前后的ITO表面功函数.用单载流子器件模拟表明ITO经高频放电处理后降低了器件界面的空穴注入势垒.此外,处理后的ITO的双层发光器件的驱动电压下降,发光亮度及效率得到明显提高.     

16MnR钢裂纹体空穴扩张的有限元分析

本文采用弹塑性有限元方法,对16MnR钢的三点弯曲试件进行了应力应变分析,发现空穴扩张比V_G在裂尖前方存在一极大值,且V_G值随COD单调增加,文中指出,对高韧性材料,当裂尖前方V_G～y曲线的极大值达到某一临界值时,可作为主裂纹向前扩展的判据.     

三轴应力场中空穴扩张临界值与材料的微观断裂延性

选用一种球化碳钢的轴对称光滑和不同缺口拉伸试样研究了材料在三轴应力场中的宏、微观断裂延性。基于不同应力三轴性水平下空穴扩张与聚合的特性,给出了一个新的材料微观断裂延性表达式。结合空穴扩张的临界尺寸与断口韧窝几何的三维测量结果,证明了在不同的三轴应力水平下,材料微观断裂延性与实测宏观断裂延性之间均有着良好的一致性。从而揭示了材料断裂延性随应力三轴性水平升高而下降的微观机理。     

叶片型空穴射流清洗器结构的数值模拟研究

根据现有的数学模型与工业参数对叶片张开型清洗器进行结构设计,通过使用CFX软件对该清洗器进行流场的模拟计算,对速度场和压力场进行分析,综合比较、探究了不同结构参数,即叶片的最优组数,叶片组间的最优距离,以及叶片与管壁的最佳距离,对空化效果的影响。结果证实叶片的最优组数为2组,得到了组距与叶片垂直高度的最佳比,并发现叶片与管壁的间距越小,负压越明显。对叶片空穴射流清洗器的结构进行了优化。     

基于InAs／GaSb的二类、断带半导体量子阱中载流子的量子态

基于InAs／GaSb的二类、断带半导体异质结构由于其特殊的能带结构和独特的光电性质而备受关注。主要研究了基于InAs／GaSb的二类、断带半导体量子阱（AlSb／InAs／GaSb／AlSb）中电子和空穴的波函数和能级。通过直接求解有效质量近似下的Schrodinger方程得到电子（空穴）沿生长方向的能级和波函数，研究发现：电子和空穴的波函数在材料层的交界面上有一定程度的耦合，所以该系统可以在新型光电器件方面有重要的应用。     

考虑空穴和微观弹流润滑效应的连杆大头轴承热弹流混合润滑分析

基于多体动力学原理建立了考虑空穴效应和微观弹流润滑效应的连杆大头轴承热弹性流体动力混合润滑的计算模型,提出了穴蚀位置的识别方法,分析了轴承润滑状态并获得了轴承摩擦损失的热量分配方法.结果表明:连杆大头轴承处于混合润滑状态,其粗糙接触发生在上轴瓦顶部的两侧边缘;结合轴心轨迹、润滑油填充率、润滑油填充率的变化率和液动油膜压力变化率可以有效识别穴蚀位置;连杆大头轴承的平均摩擦功率为0.44kW,最大粗糙摩擦功率仅为111.1mW,但对其瞬时摩擦功率的监测并不能判断局部的润滑状态;大头轴承的润滑热量散失以热传导为主要方式.     

晶体中电子的行为与空穴概念的引入

本论述通过一个例子—分析P型半导体在磁场中的霍尔效应,提出＂空穴＂概念的准确理解问题。利用量子物理学理论分析了晶体中电子的行为,得出了＂晶体电子＂与自由电子行为不同的结论,进而引出＂空穴＂概念的准确定义并对引入＂空穴＂概念的必要性做出了说明。     

紊流大流量液体动静压混合轴承的设计计算

结合超高速磨削主轴轴承设计实例，分析了超高速大功率条件下液体动静压混合轴承的工况，考虑了紊流，空穴以及油的温升，惯性的影响，提出了较全面的数学模型及设计计算过程，设计实例理论值与实验值较好吻合。     

超弹性-塑性材料中空穴的动生成

研究不可压超弹性-塑性材料球体中空穴的动生成问题,采用不可压neo-Hookean超弹性材料和满足不可压条件与Tresca屈服条件的理想塑性材料来描述材料的弹塑性。当球体表面突加载荷超过其临界值时,球体内部有空穴的突然生成,并随时间无限制地增长。     

动载径向滑动轴承油膜空穴研究

径向滑动轴承通过动压作用形成动压油膜来承受载荷,在几何间隙发散区会产生油膜空穴,存在油膜空穴区.油膜空穴的形成对轴承的静动特性有一定影响,而对于载荷变化的动载径向滑动轴承来说影响更为显著.本文用不可压缩流体空穴算法描述动载径向滑动轴承油膜分布,并在此基础上分析了动载滑动轴承的性能变化.