垂直布洛赫线间静磁相互作用探讨

本文以实验现象为基础，利用想邻布洛赫线间的静磁作用能，改进圆柱形梗磁畴的畴壁能公式，公式中只使用了一个由实验数据拟合而确定的参数c。由一个典型样品得到的参数c，用于其它几个样品计算时，所得数据都与实验数据符合较好。从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释，特别是成功地解释了硬磁畴的一些温度特性，并首次提出垂布洛赫线元模型，从而首次热激发的观点解释了硬磁畴的自收缩现象。     

硬磁畴稳定性与垂直布洛赫线空间静磁相互作用的关系

研究石榴石泡膜在直流偏磁场作用下布各赫线间的静磁作用对硬磁畴稳定性的影响。一方面实验研究了圆形硬磁畴的缩灭行为和条泡转变行为以及两种行为间的关系；     

枝状畴形成的哑铃畴在系列脉冲偏场作用下的一些行为

实验研究了由多枝畴收缩而成的哑铃畴（ＩＤ，ＩＤ）在系列脉冲偏场作用下的一些旋转行为以及丢失ＶＢＬ的现象．     

单磁泡静态泡径稳定区域的确定

本文计算了在饱和磁化的磁膜中形成单磁泡时系统能量的增量,用理论方法研究了单磁泡稳定存在的条件。从d_0/h和d_2/h与h/l函数关系的图解分析可见:磁膜厚h略增加时,泡径稳定区域变化不大,所以实际设计磁泡器件时为了增大磁泡信号的检出感度,建议最佳泡径d和最佳磁膜厚h都取8l,l为材料的特性长度。     

温度对ⅡD畴壁中VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,ⅡD畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T),H(2)ip(T)].当Hip≤H(1)ip(T)时,ⅡD畴壁中VBL稳定存在;当H(1)ip(T)＜Hip＜H(2)ip(T)时,ⅡDD畴壁中VBL变得不稳定;随着Hip的增大VBL丢失得越来越多,当Hip≥H(2)ip(T)时,ⅡD畴壁中VBL完全丢失.并且随着温度的升高,临界面内场值H(1)ip(T)和H(2)ip(T)逐渐减小.     

磁泡点阵的形成条件

实验研究了磁泡点阵的形成条件,发现石榴石磁泡薄膜样品在系列脉冲偏场作用下可以形成规则的泡阵,泡阵呈六角密排结构.形成泡阵的条件与脉冲偏场的幅度和脉冲宽度有关,存在一个与材料参量相关的阈值脉冲宽度,只有大于此阈值时才能够得到泡阵.对于某一直流偏场,形成泡阵的脉冲幅度不随脉冲宽度变化.直流偏场和脉冲偏场联合作用下形成泡阵的条件:脉冲幅度与直流偏场的Hb和为条泡转变场.还进一步探讨了脉冲宽度和脉冲频率对泡阵形成的影响.     

硬磁泡临界面内场的重新测定

实验找到了一种准确测量OHB临界软化面内场的方法,用这种经过改进的方法测量时,在面内场软化的起始值,OHB就会有较高的软化率,实验观察非常方便.同时,也证明了在临界面内场H(1)ip时开始丢失VBL的OHB对应的是那些含VBL较少的OHB.