直流偏场和面内场作用下OHB的条泡转变

实验研究了直流偏场和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中普通硬磁泡的条泡转变现象.实验表明,在室温下所有硬磁泡经条泡转变后存在2个特征偏场(Hb)Ⅰ和(Hb)Ⅱ,当Hb≤(Hb)I时,条泡转变后的泡畴全是软泡,当Hb≥(Hb)Ⅱ时,条泡转变后的泡畴全是硬磁泡.随着直流偏场的升高,普通硬磁泡的最小条泡转变面内场和最大条泡转变面内场逐渐降低.     

磁泡温度测量

本文是在用脉冲偏场法研究外延柘榴石磁泡薄膜条状畴畴壁中VBL群体形成和消失与温度关系的基础上,着重介绍了几个重要的特征温度及它们的测量方法     

磁泡点阵

实验发现系列脉冲偏场能形成磁泡点阵,并给出了其形成规律,为磁泡点阵的形成提供了一种方法。     

硬磁泡畴壁中VBL特性的进一步研究

实验对在固定直流偏场下产生的硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的分布均匀性进行了研究.实验发现,泡径越大的硬泡,缩灭场就越大,VBL数目就越多;泡径越小的硬泡,缩灭场就越小,VBL数目就越少,即硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是均匀分布的,且存在一个平衡间距.实验结果验证了均匀旋转模型的正确性.     

石榴石磁泡膜中枝状畴的形成

“低直流偏场法”是一种以枝状畴为出发点来形成硬磁畴的新方法；使用它能够在“脉冲偏场法”无法 产生硬磁畴的磁泡薄膜上很容易地产生三类硬磁畴。     

温度对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距的影响

实验研究了温度对外延石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴畴长的影响.研究发现,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场和硬泡标准场处其畴长随温度的升高而增大,由此揭示了三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变大,纠正了垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变小这一结论.证明了三类硬磁畴的畴壁结构是一致的,在直流偏场下之所以会出现不同的缩灭行为,完全是由垂直布洛赫线的数目引起的.在同一温度下,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴中的垂直布洛赫线数目依次增多.     

直流偏磁场对三类硬磁畴畴壁长度的影响

在不同的直流偏磁场Ｈｂ下,测量了石榴石磁泡膜中三类硬磁畴长度（Ｌ）、宽度（Ｗ）和泡径（ｄ）．从而得到Ｌ、Ｗ和ｄ随Ｈｂ变化的曲线．结果表明,三类硬磁畴的畴壁长度都随Ｈｂ的增加而缩短．这些实验结果可为进一步的理论探讨提供实验依据     

直流偏场和面内场交替作用对普通硬泡的影响

实验研究了直流偏场“整形”和面内场交替作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线（ＶＢＬ）的消失规律。发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界面内场范围［Ｈ（０）ｉｐ,Ｈ（２）ｉｐ］,证明了面内场作用下普通硬磁泡畴壁中ＶＢＬ的消失与其畴壁中所含ＶＢＬ数目的多少无关。为准确测得面内场作用下ＶＢＬ不稳定的最小临界面内场提供了一种实验方法     

脉冲偏场对形成正、负VBL的影响

实验研究了哑铃畴在固定旋转脉冲偏场作用下的特性，发现了影响正、负ＶＢＬ形成的条件，对于固定直流偏场下得到的硬磁畴，认为正、负ＶＢＬ的形成，只与硬化脉冲偏场的脉冲宽度（τｐ）ｂ有关。     

直流偏场和面内场共同作用下第Ⅰ类哑铃畴的条泡转变

实验研究了直流偏场和面内场共同作用第Ⅰ类哑铃畴(IDs)的条泡转变现象.实验表明:1)存在3个特征直流偏场,即:条泡转变后的磁畴均为软泡的磁场以及条泡转变后的磁畴中依次出现普通硬磁泡和第Ⅰ类哑铃畴的磁场;2)IDs的最小条泡转变面内场和最大条泡转变面内场均随直流偏场的增加而减小.     

超声场中双气泡非线性动力学参数

从气泡动力学出发,建立了双气泡在外加声场作用下的运动方程,对气泡间的相互作用力进行了研究.研究结果表明：考虑到气泡之间相互作用后,气泡的运动方程、谐振频率、谐振时半径的变化情况明显与单个气泡不同,这些参数不只与气泡各自的初始半径,外加声压强度,液体的黏滞性等因素有关,还与它们之间距离和相对另一气泡的初始半径有关.研究发现：气泡的谐振频率与它们之间距离有关,随着气泡之间距离的增大,其谐振频率在不断减小.但当它们之间的距离增大到某一值时,其谐振频率趋于一定值.这也可以理解为当气泡相对较远时它们之间的相互作用对其影响可以忽略,此时的谐振频率即为单泡的谐振频率.对于谐振时它们的半径变化而言,两气泡之间的作用是相互抑制的,但气泡的初始半径的不同,这种抑制作用的强、弱不同.气泡初始半径相同的气泡,相互抑制作用较弱,数值计算表现出半径相同时其谐振半径的变化幅度要大于半径不同时的结果.     

Underwater holmium-laser-pulse-induced complete cavitation bubble movements and acoustic transients

The complete evolution of holmium-laser-pulse-induced cavitation bubble movements and acoustic transients underwater are investigated experimentally. The laser was single fiber-guided and had a 300 mJ pulse energy and 300 μs pulse duration (full width at half-maximum). In our experiments, more than four oscillations and four acoustic transients were demonstrated. 272 μs after laser onset, the cavitation bubbles reached their maximum transverse and longitudinal lengths of 2046 and 1914 μm, respectively. The maximum transverse and longitudinal bubble wall velocities were 28.9 and 39.2 m/s at 560 and 528 μs after laser onset, respectively. This investigation will be helpful to make good use of cavitation effect in medical applications of holmium laser pulses.     

电场对注入气泡和沸腾汽泡影响的研究

为进一步探索电场强化沸腾换热的机理,利用高速摄像仪拍摄了注入氮气气泡和R123工质沸腾汽泡在直流电场作用下的实验图像,并对气泡脱离壁面时的形态进行了定量分析.实验结果表明,注入氮气气泡和R123沸腾汽泡在电场作用下形状发生了显著变化,电场强度越大,气泡的形状变化也就越明显,并且电场对沸腾汽泡的影响更为显著.此外,注入氮气气泡和沸腾汽泡的脱离体积在电场作用下也发生了变化,随着电场强度的增大,脱离体积有减小的趋势,且冷态注入氮气汽泡的体积在电场作用下的变化较沸腾汽泡明显.     

铁磁性FeMnC插入层对FeMn/Co交换偏置的影响

我们用磁控溅射方法制备了FeMn/FeMnC/Co薄膜,研究了FeMn-FeMnC-Co体系的交换偏置现象,并探讨了铁磁薄膜FeMn/Co的交换偏置场相对于插入层FeMnC厚度的变化,发现随插入层FeMnC厚度的增加,交换偏置场Heb、矫顽力及剩磁比均减小.     

硬磁畴动态特性的进一步研究

实验研究了直流偏场为0时形成的枝状畴的一些动态特性,发现由这些枝状畴形成的硬磁畴均顺时针转动,通过与固定直流偏场下形成的硬磁畴的转动状态的比较,首次证明脉冲偏场上升沿和下降沿对形成的VBL所起的作用是不同的.     

电弧离子镀技术中脉冲偏压对TiN薄膜的影响

用正交设计实验研究了电弧离子镀技术中采用脉冲偏压以后各种参数对沉积TiN薄膜性能的影响.研究表明,与直流偏压相比,直流叠加脉冲偏压能更好地细化颗粒,降低薄膜的表面粗糙度,提高沉积速率.对实验结果的方差分析显示:气氛和频率是降低表面粗糙度、提高沉积速率的主要因素.     

脉冲电场作用下Hela细胞穿孔率研究

以宫颈癌Hela细胞为实验对象，利用自制脉冲电源和台盼蓝染色法计数，针对不同的电脉冲参数作用于Hela细胞上，研究了细胞可逆和不可逆电穿孔的场强阈值范围，重点研究了脉冲个数、脉冲宽度和电场强度对细胞不可逆穿孔率的影响，并选择了优化的参数组合。实验发现，在固定脉冲宽度50 μs和20个脉冲个数不变的情况下，Hela细胞出现可逆电穿孔（存活）的场强阈值范围分别为500～750 \begin{document}$ \mathrm{V}/\mathrm{c}\mathrm{m} $\end{document}，出现不可逆电穿孔（死亡）的场强阈值范围为750～1 000 \begin{document}$ \mathrm{V}/\mathrm{c}\mathrm{m} $\end{document}。在对电脉冲参数优化组合的实验中，Hela细胞的不可逆穿孔率随着脉冲个数、脉冲宽度和脉冲场强的增加而增加，最终趋于饱和。宜选择场强1 500 \begin{document}$ \mathrm{V}/\mathrm{c}\mathrm{m} $\end{document}、脉宽60 μs和70个脉冲的参数组合，不可逆穿孔率为93.42%。     

面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响

实验研究了直流偏场(Hb)下,面内场(Hip)对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线(VBL)稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[Hip(1),Hip(2)],其中Hip(1)是硬磁畴壁中VBL开始丢失时面内场,Hip(2)是VBL完全丢失时的面内场Hip及Hip*为剩余率降至0时的Hip值.在相同的Hb下(Hip(1))IID＜(Hip(1))ID＜(Hip(1))OHB;(Hip(2))IID=(Hip(2))ID=(Hip(2))OHB.在不同的Hb下,临界面内场Hip(1)和Hip*以及范围[Hip(1),Hip*]都随着Hb的增加而减小或变窄.