磁泡研究有新突破——在磁畴壁上读取信息

本文报告了最新重要科技信息.利用外加磁场控制布洛赫畴壁(简记BL)可产生磁化矢量复杂扭转.其中能形成一些磁化方向垂直指向膜面的小区域.称为垂直布洛赫线(或VBL).利用这些成对的布洛赫线,可以制成存储密度极高的计算机存储器,因为信息是在布洛赫线内被编码寄存的,而不是在磁泡本身内.因此,极限信息密度可达到10~(10)bit/cm~2,从布洛赫线存储器中检索信息只需要约2/1000s、而目前检索信息要10s.     

在磁泡材料中作用在BL线和BL串上的动力学反应作用力

本文讨论了含有BL线和BL串的磁泡畴壁的动力学。应用磁畴壁运动的基本方程推导出作用在单个BL线和正常磁泡畴壁的动力学反应作用力并由含有BL串的畴磁壁运动的耦合方程给出这些力的合成形式。     

旋转磁场对Al—Cu合金结晶组织影响的研究

本文详细地论述了对在旋转磁场作用下Al-Cu合金的铸造试验，给出本试验的目的、方法、过程以及实验原理，并分析了铸造后的Al-Cu合金的组织和性能。     

在磁泡材料中作用在BL线和BL串上的动力学反作用力

本文讨论了含有BL线和BL串的磁泡畴壁的动力学.应用磁畴壁运动的基本方程推导出作用在单个BL线和正常磁泡畴壁的动力学反作用力并由含有BL串的畴磁壁运动的耦合方程给出这些力的合成形式.     

磁泡研究有效突破——在磁畴壁上读取信息

本文报告了最新重要科技信息，利用外加磁场的控制布洛赫畴壁（简记BL）可产生磁化矢量复杂扭转。其中能形成一些磁化方向垂直指向膜面的小区域，称为垂直布洛赫线（或VBL）。利用这些成对的布洛赫线，可以制成存储密度极高的计算机存储器。因为信息是在布洛赫线内被编码寄存的，而不是在磁泡本身的。因此，极限信息密度可达到10^10bit/cm^2，从布洛赫线存储器中检索信息只需要约2／1000s，而目前检索信息要10s。     

第三代稀土永磁合金——钕铁硼

本文详细地综述了国内外钕铁硼（Nd-Fe-B）永磁合金的生产工艺流程，性能、应有么及展望。     

单磁泡静态泡径稳定区域的确定

本文计算了在饱和磁化的磁膜中形成单磁泡时系统能量的增量,用理论方法研究了单磁泡稳定存在的条件。从d_0/h和d_2/h与h/l函数关系的图解分析可见:磁膜厚h略增加时,泡径稳定区域变化不大,所以实际设计磁泡器件时为了增大磁泡信号的检出感度,建议最佳泡径d和最佳磁膜厚h都取8l,l为材料的特性长度。