| 磁泡点阵的形成条件 |
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| 引用本文： | 杨素娟,封顺珍,孙会元.磁泡点阵的形成条件[J].河北师范大学学报(自然科学版),2006,30(3):288-289. |
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| 作者姓名： | 杨素娟 封顺珍 孙会元 |
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| 作者单位： | 1. 承德职业学院,基础部,河北,承德,067000;河北师范大学,物理科学与信息工程学院,河北,石家庄,050016
2. 河北师范大学,物理科学与信息工程学院,河北,石家庄,050016 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目
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河北省教育厅科研项目
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河北师范大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 实验研究了磁泡点阵的形成条件,发现石榴石磁泡薄膜样品在系列脉冲偏场作用下可以形成规则的泡阵,泡阵呈六角密排结构.形成泡阵的条件与脉冲偏场的幅度和脉冲宽度有关,存在一个与材料参量相关的阈值脉冲宽度,只有大于此阈值时才能够得到泡阵.对于某一直流偏场,形成泡阵的脉冲幅度不随脉冲宽度变化.直流偏场和脉冲偏场联合作用下形成泡阵的条件:脉冲幅度与直流偏场的Hb和为条泡转变场.还进一步探讨了脉冲宽度和脉冲频率对泡阵形成的影响.
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| 关 键 词： | 磁泡 磁泡点阵 脉冲偏场 脉冲宽度 脉冲频率 |
| 文章编号： | 1000-5854(2006)03-0288-02 |
| 收稿时间： | 2005-12-22 |
| 修稿时间： | 2005年12月22 |
Forming Condition of the Bubble Array |
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| YANG Su-juan,FENG Shun-zhen,SUN Hui-yuan.Forming Condition of the Bubble Array[J].Journal of Hebei Normal University,2006,30(3):288-289. |
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| Authors: | YANG Su-juan FENG Shun-zhen SUN Hui-yuan |
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| Institution: | 1. Fundamental Education Department,Chengde Vocational College, Hebei Chengde 067000, China ; 2. College of Physics Science and Information Engineering, Hebei Normal University, Hebei Shijiazhuang 050016, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetic bubble bubble array pulse bias field width of the pulse bias field |
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