在磁泡材料中作用在BL线和BL串上的动力学反应作用力

本文讨论了含有BL线和BL串的磁泡畴壁的动力学。应用磁畴壁运动的基本方程推导出作用在单个BL线和正常磁泡畴壁的动力学反应作用力并由含有BL串的畴磁壁运动的耦合方程给出这些力的合成形式。     

磁泡研究有新突破——在磁畴壁上读取信息

本文报告了最新重要科技信息.利用外加磁场控制布洛赫畴壁(简记BL)可产生磁化矢量复杂扭转.其中能形成一些磁化方向垂直指向膜面的小区域.称为垂直布洛赫线(或VBL).利用这些成对的布洛赫线,可以制成存储密度极高的计算机存储器,因为信息是在布洛赫线内被编码寄存的,而不是在磁泡本身内.因此,极限信息密度可达到10~(10)bit/cm~2,从布洛赫线存储器中检索信息只需要约2/1000s、而目前检索信息要10s.     

磁泡点阵

实验发现系列脉冲偏场能形成磁泡点阵,并给出了其形成规律,为磁泡点阵的形成提供了一种方法。     

温度对普通硬磁泡畴壁中VBL链的影响

实验研究了温度对普通硬磁泡（ＯＨＢ）畴壁内垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响，发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界温度范围〔Ｔ１；Ｔ２〕，为准确测得ＶＢＬ链不稳定的最小临界温度提供了一种实验方法     

直流偏磁场对第二类哑玲畴长度的影响

本文通过研究直流偏磁场Ｈｂ对标称成份为（ＹＳｍＣａ）３（ＦｅＧｅ）５Ｏ１２石榴石磁泡材料中第二类哑铃畴（ＩＤ）长度的影响，观察到：１）ＩＤ的长度随Ｈｂ的升高而缩短；２）经过直流偏场从低到高两次大幅度地准静态升降，ＩＤ长度与Ｈｂ的关系曲线基本重合；３）随着Ｈｂ的升高，直至ＩＩＤ缩灭的过程中，较长ＩＤ与较短ＩＤ的长度比变化不大．这些实验现象暗示，在Ｈｂ的准静态变化过程中ＩＤ畴壁中的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）数目保持不变     

软畴段在面内磁场作用下的行为

实验研究发现Ｈｉｐ对软畴段的条泡转变场Ｈｓｂ和磁泡缩灭场ＨＯ有较大影响，而且Ｈｓｂ和ＨＯ随Ｈｉｐ的变化与样品晶向有关     

直流偏磁场对三类硬磁畴畴壁长度的影响

在不同的直流偏磁场Ｈｂ下,测量了石榴石磁泡膜中三类硬磁畴长度（Ｌ）、宽度（Ｗ）和泡径（ｄ）．从而得到Ｌ、Ｗ和ｄ随Ｈｂ变化的曲线．结果表明,三类硬磁畴的畴壁长度都随Ｈｂ的增加而缩短．这些实验结果可为进一步的理论探讨提供实验依据     

硬磁畴稳定性与垂直布洛赫线间静磁相互作用的关系

研究石榴石磁泡膜在直流偏磁场作用下布洛赫线间的静磁作用对硬磁畴稳定性的影响.一方面实验研究了圆形硬磁畴的缩灭行为和条泡转变行为以及两种行为间的关系;另一方面通过引入相邻布洛赫线间的静磁作用能,改进了圆柱形硬磁畴的畴壁能公式,从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释,并在此基础上提出了估算硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线数目的方法.最后还应用经该文改进了的畴壁能公式定性地解释了部分硬磁畴种类随温度而变化的现象.     

硬磁泡参数测量

本文介绍硬磁泡的几个参数及其测量方法,具体介绍了普通硬磁泡最大缩灭场Homax、Ⅰ、Ⅱ类哑铃畴崩灭场H_(DB)~Ⅰ和H_(DB)~Ⅱ的测量方法。     

布洛赫线物理研究中的若干参数和测量方法

具体详细地总结了布洛灶线物理研究中的一些基本参数及其测量方法，其中有些名词、术语已被国内外同行所采用。