2-硅萘与乙炔和苯乙炔杂Diels-Alder反应的理论研究

采用密度泛函理论(DFT)方法在B3LYP/6-311G(d,p)水平上研究了2-硅萘与乙炔和苯乙炔的杂Diels-Alder反应的微观机理和势能剖面,考察了反应的取代基效应和溶剂效应,并与硅苯参与的类似反应进行了比较.计算结果表明,所研究反应均以协同非同步的方式进行.乙炔分子中碳原子上的苯基取代基对反应活化能垒的影响与产物中苯基所处的位置有关.2-硅萘分子中硅原子上的C(CH3)3或NH2取代基对反应势能剖面的影响一般都比较小,而其上的CCl3取代基对反应势能剖面的影响则比较复杂.苯溶剂对所研究反应的势能剖面影响不大.2-硅萘参与的杂Diels-Alder反应在热力学和动力学上均不如涉及硅苯的相应反应容易进行.     

两个“千人计划”人才带出一个重要产业

天威集团以高层领导的诚意和关怀、股权和期权的中长期激励、现代化的研发中心、提升为主业的重点关注,成功地引入并留下麦耀华、黄跃龙两位博士,使之入选"千人计划",带动了我国太阳能薄膜光伏产业的快速发展。     

肉芝软珊瑚素全合成的研究：Ⅲ.肉芝软珊瑚素的合成

由3,7-二甲基-6,7-环氧-8-苯硫基-2-辛烯醛和6-甲基-8-三甲硅氧基-6-烯-2-酮-1-辛酸乙酯通过羟醛缩合、内酯化、Wittig反应、闭环等反应合成得肉芝软珊瑚素,总产率10.6％。其中的关键步骤是以硫稳定的碳负离子烷基化。讨论了合成品的立体化学。     

硅中硼磷的横向扩散及其引起的CMOS LSI失效问题

实验发现,硼磷通过掩膜窗口向硅中扩散时,横向与纵向扩散深度之比 y_j/x_j 不是一个常数,而是随扩散温度的降低增大。此外,对于硼和磷的扩散来说,这个比值是不同的,且有(y_j/x_j)_B>(y_j/x_j)_P。通过解剖一些实际的 CMOS LSI 芯片结构发现,无论是采用常规工艺,或者是采用全离子注入技术,其失效的一种重要模式是 PMOS FET源、漏区硼扩散横向连通。分析了产生这种失效模式的机理。并提出在设计 CMOS LSI 时,适当调整 NMOS FET 和 PMOS FET 的沟道长度,有利于提高成品率和电路性能。     

非晶态合金Pd77.5Ag6.0Si16.5中含氢引起的内耗峰

用倒扭摆研究了非晶态合金Pd_(77.5)Ag_(6.0)Si_(16.5)的低温内耗和切变模量行为.经电解充氢后在120—130K范围内发现一个弛豫型内耗峰,随氢含量的增加,峰高增大,峰温移向低温,退火去氢后则具有可逆趋势.弛豫激活能为0.28±0.05eV.氢内耗峰的微观机制,是处于四面体或八面体中间隙位置的氢原子应力感生有序.     

钛和锆钨硅杂多酸盐异构体的合成及表征

合成了α－和β－Ｍ１０－ｎＨｎ〔ＳｉＷ９Ｔｉ３Ｏ４０〕·ｘＨ２Ｏ（Ｍ＝Ｋ＋、Ｍｅ４Ｎ＋），α－（Ｍｅ４Ｎ）４Ｈ２〔ＳｉＷ１１ＺｒＯ４０〕·１３Ｈ２Ｏ和β－（Ｂｕ４Ｎ）４Ｈ２〔ＳｉＷ１１ｚｒＯ４０〕·１４Ｈ２Ｏ等杂多酸盐异构体。并用ＩＲ，ＵＶ，ＴＧ和ＤＴＡ、极谱以及Ｘ－射线粉末衍射等手段进行了表征。     

氢化纳米硅薄膜的光声光谱研究

分析了纳米硅薄膜材料从可见光到近红外范围的光声光谱，并与微晶硅和非晶硅材料进行了对比．纳米硅的光吸收系数比后两者都高（特别是在１．４～１．９ｅＶ之间，高出近一个数量级），其原因是纳米硅薄膜中大量晶粒对光子的散射、晶粒界面缺陷的吸收及载流子吸收的影响，此外，纳米硅光声谱中Ｕｒｂａｃｈ边宽且缓，反映出这种材料很高的无序程度．     

n^＋／p常规硅太阳电池表面“死层”的减少方法

磷透过热生长氧化层扩散的方法，可以减缓高浓度浅结磷扩大硅表层带来的晶格损伤（即“死层”）双晶Ｘ射线衍射图形和杂质纵向分布测量均证实了这一点，用此方法制备的常规结深的太阳电池，其相对光谱响应４００～６００ｎｍ波段内平均提高了５０％，在ＡＭＯ（２５℃）条件下，其光电转换效率也从常规电池的１１．８％提高到１２．３％，转换效率可望在工艺最佳化研究后得到进一步提高。     

应变致价带分裂对p型Si_（1－x）Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的影响

针对应变Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ的应变致价带分裂及重掺杂对裂值的影响，提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型和有关算法，模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型，计算了赝形生长在＜１００＞Ｓｉ衬底上的ｐ型Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度超过约２×１０１９ｃｍ（－３）后它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于此浓度时它则随Ｇｅ组分的增加单调下降，与实验报道的对比证实了本模型的有效性。